在充电过程中，开关闭合(三极管导通)，等效电路如图二，开关(三极管)处用导线代替。这时，输入电压流过电感。二极管防止电容对地放电。由于输入是直流电，所以电感上的电流以一定的比率线性增加，这个比率跟电感大小有关。随着电感电流增加，电感里储存了一些能量。

如图，这是当开关断开(三极管截止)时的等效电路。当开关断开(三极管截止)时，由于电感的电流 保持特性，流经电感的电流不会马上变为0，而是缓慢的由充电完毕时的值变为0。而原来的电路已断开，于是电感只能通过新电路放电，即电感开始给电容充电， 电容两端电压升高，此时电压已经高于输入电压了。升压完毕。

说起来升压过程就是一个电感的能量传递过程。充电时，电感吸收能量，放电时电感放出能量。如果电容量足够大，那么在输出端就可以在放电过程中保持一个持续的电流。如果这个通断的过程不断重复，就可以在电容两端得到高于输入电压的电压。

P 沟道高端栅极驱动器

直接式驱动器:适用于最大输入电压小于器件的栅- 源极击穿电压。

开放式收集器:方法简单，但是不适用于直接驱动高速电路中的MOSFET。

电平转换驱动器:适用于高速应用，能够与常见PWM 控制器无缝式工作。

N 沟道高端栅极驱动器

直接式驱动器:MOSFET最简单的高端应用，由PWM 控制器或以地为基准的驱动器直接驱动，但它必须满足下面两个条件:

VCC<Vgs,max and Vdc<VCC-Vgs,miller

浮动电源栅极驱动器:独立电源的成本影响是很显著的;光耦合器相对昂贵，而且带宽有限，对噪声敏感。

变压器耦合式驱动器:在不确定的周期内充分控制栅极;但在某种程度上，限制了开关性能。但是，这是可以改善的，只是电路更复杂了。

电荷泵驱动器:对于开关应用，导通时间往往很长;由于电压倍增电路的效率低，可能需要更多低电压级泵。

自举式驱动器:简单，廉价，也有局限;例如，占空比和导通时间都受到刷新自举电容的限制。需要电平转换，以及带来的相关问题。

举个简单的例子:有一个12V的电路，电路中有一个场效应管需要15V的驱动电压，这个电压怎么弄出来?就是用自举。通常用一个电容和一个二极管，电容存储电荷，二极管防止电流倒灌，频率较高的时候，自举电路的电压就是电路输入的电压加上电容上的电压，起到升压的作用。

自举电路只是在实践中定的名称，在理论上没有这个概念。自举电路主要是在甲乙类单电源互补对称电路中使用较为普遍。甲乙类单电源互补对称电路在理论上可以使输出电压Vo达到Vcc的一半，但在实际的测试中，输出电压远达不到Vcc的一半。其中重要的原因就需要一个高于Vcc的电压。所以采用自举电路来升压。

常用自举电路(摘自fairchild，使用说明书AN-6076《供高电压栅极驱动器IC 使用的自举电路的设计和使用准则》)

开关直流升压电路(即所谓的boost或者step-up电路)原理

the boost converter,或者叫step-up converter，是一种开关直流升压电路，它可以是输出电压比输入电压高。基本电路图见图1.

假定那个开关(三极管或者mos管)已经断开了很长时间，所有的元件都处于理想状态，电容电压等于输入电压。下面要分充电和放电两个部分来说明这个电路。

下图是典形的OTL电路，其工作点的调整有2点:

1.中点电位(C点电位)为EC/2.第二，BG2和BG3提供一定的正向偏置电压.

首先调整C点电压VC，图3中的R3，R4，R5是BG1的集电极，其中R3和C2组成自举电路，R5则是为了给BG2，BG3提供偏压的.为了避免调整VC时因R5数值不合适而造成BG2，BG3的集电极电流过大，可将R5短接，R1，R2是BG1的偏流电阻，调整R1使VC=EC/2

2. 接着调整BG2，BG3的工作电流，从图3中可看出，BG2，BG3的发射极电压由R5两端的电压所确定，即VA-B=VBE1+VBE2，所以只要调整R5的大小就能达到调整BG2，BG3工作电流的目的.实际调整时因R5数值很小，可用一个100欧的电位器代替，将电流表串联到BG2的集电极与EC之间，一边调节电位器，一边观察电流表的指示，使电流指示为5--10毫安即可.

需要说明，VC及BG2，BG3电流在调整时，会相互影响，VC调好后再调IC2，IC3时，VC又要变化，因此还要再调R1使VC再回到EC/2值.而调整R1时，又使IC2，IC3变化，所以需要反复调整几次才行。