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载流子注入网格型GaAs4*4光开关阵列研究

《载流子注入网格型GaAs4*4光开关阵列研究》是依托浙江大学,由王明华担任项目负责人的面上项目。

载流子注入网格型GaAs4*4光开关阵列研究基本信息

载流子注入网格型GaAs4*4光开关阵列研究项目摘要

光开关列阵是集成光学技术研究的热点之一,在MEMS、液晶光开关列阵广受关注的同时,由于全反射型光开关具有体积小、工艺简单、易于集成化等优点同样受到研发单位的重视。本课题按计划要求顺利完成光开关单元及列阵的理论研究、器件设计,并在整体上采用正交输入输出结构,使器件较均匀地分布在晶片上,既避免电流注入引起的器件发热集中,又有利于输入输出波导与光纤的耦合,同时利于列阵的维护与扩充。本项目成果已申请国家发明专利并获初审通过。对单元其间非对称Y分支波导节点设计进行了优化,减少注入区截面积,既提高消光比,又降低注入电流。国内某通讯公司研发部门希望对该项研究进行合作,并转向InP基底,目前正在探讨方案及可行性。 2100433B

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载流子注入网格型GaAs4*4光开关阵列研究造价信息

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加强型网格

  • 300g规格(mm):16目;品种:网格布;
  • 吉锐
  • 13%
  • 济源市吉锐外墙保温有限公司
  • 2022-12-07
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加强型网格

  • 250g规格(mm):10目;品种:网格布;
  • 吉锐
  • 13%
  • 济源市吉锐外墙保温有限公司
  • 2022-12-07
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加强型网格

  • 品种:网格布;规格(mm):定制;生产厂家:鲁西南公司(国标产品);规格型号:160g/㎡;
  • m2
  • 鑫隆
  • 13%
  • 新疆鲁西南科技节能有限公司
  • 2022-12-07
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B网格絮凝器

  • L×B=1590×1092mm/L×B=1590×1092mm
  • 13%
  • 江苏联恒环保工程有限公司河北销售
  • 2022-12-07
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C网格絮凝器

  • L×B=1592×1188mm/L×B=1592×1188mm
  • 13%
  • 江苏联恒环保工程有限公司河北销售
  • 2022-12-07
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网格

  • 5×5-140g
  • 珠海市2020年2月信息价
  • 建筑工程
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网格

  • 5×5-140g
  • 珠海市2019年9月信息价
  • 建筑工程
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网格

  • 5×5-140g
  • 珠海市2019年6月信息价
  • 建筑工程
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网格

  • 5×5-140g
  • 珠海市2019年3月信息价
  • 建筑工程
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网格

  • 5×5-140g
  • 珠海市2019年2月信息价
  • 建筑工程
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线阵列音箱4阵列

  • 2台
  • 3
  • 中档
  • 不含税费 | 含运费
  • 2020-03-04
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PoE注入

  • 强制供电,30W防雷加强千兆PoE注入
  • 1个
  • 3
  • 中档
  • 含税费 | 含运费
  • 2022-03-24
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POE注入

  • 802.3at 千兆PoE 注入
  • 18个
  • 1
  • 信锐
  • 中高档
  • 不含税费 | 含运费
  • 2019-03-21
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磁盘阵列4T专业硬盘×28

  • 磁盘阵列 4T专业硬盘×28
  • 1套
  • 2
  • 中档
  • 不含税费 | 含运费
  • 2022-04-20
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4开关模块

  • 4开关模块
  • 10个
  • 1
  • 普通
  • 含税费 | 不含运费
  • 2015-10-23
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载流子注入网格型GaAs4*4光开关阵列研究基本信息

批准号

69677014

项目名称

载流子注入网格型GaAs4*4光开关阵列研究

项目类别

面上项目

申请代码

F0502

项目负责人

王明华

负责人职称

教授

依托单位

浙江大学

研究期限

1997-01-01 至 2000-12-31

支持经费

10(万元)

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载流子注入网格型GaAs4*4光开关阵列研究常见问题

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载流子注入网格型GaAs4*4光开关阵列研究文献

一种新型双光子激发荧光开关 一种新型双光子激发荧光开关

一种新型双光子激发荧光开关

格式:pdf

大小:140KB

页数: 2页

本刊讯绿色荧光蛋白是近几十年来生物医学研究热点,并在2008年获得诺贝尔化学奖。实际上,通过基因重组可以得到蓝、绿、橙和红等各种不同颜色的荧光蛋白,还可以得到具有光响应或光开关的荧光蛋白。与普通荧光蛋白比较,光响应荧光蛋白表现出光致变色荧光或光致可逆荧光特征。所有这些蛋

GaAs-LED阵列器件隔离沟槽的制备研究 GaAs-LED阵列器件隔离沟槽的制备研究

GaAs-LED阵列器件隔离沟槽的制备研究

格式:pdf

大小:140KB

页数: 4页

良好的电学和光学隔离能显著提高微LED阵列器件的亮度、分辨率等工作性能,高深宽比隔离沟槽的制备是决定电学隔离效果的关键。本文分析比较了各种制备工艺,选择湿法腐蚀工艺,使用了不同比例柠檬酸双氧水腐蚀液对G aA s进行了腐蚀,在二者配比为3∶1的条件下,在G aA s衬底材料上制备了深宽比为2∶1的隔离沟槽。腐蚀后芯片表面平整度、侧蚀等指标初步达到器件设计的要求。

光开关工艺分类

机械光开关

机架式光开关

台式光开关

微机械式光开关

手持光开关仪表

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调光开关分类

调光开关经过发展,品种繁多,规格齐全,可按操作方式和调光方式分类。

一、调光开关按操作方式分为:

1)旋钮调光开关

2)触摸调光开关

3)按键调光开关

4) 遥控调光开关

5)感应调光开关

二、调光开关按调光方式分为:

  1. 可控硅调光开关

  2. PWM式调光开关

  3. 0-10V调光开关

  4. 晶闸管调光开关

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载流子寿命

载流子寿命life time of carriers

非平衡载流子在复合前的平均生存时间,是非平衡载流子寿命的简称。在热平衡情况下,电子和空穴的产生率等于复合率,两者的浓度维持平衡。在外界条件作用下(例如光照),将产生附加的非平衡载流子,即电子—空穴对;外界条件撤消后,由于复合率大于产生率,非平衡载流子将逐渐复合消失掉,最后回复到热平衡态。非平衡载流子浓度随时间的衰减规律一般服从exp(-t/τ)的关系,常数τ表示非平衡载流子在复合前的平均生存时间,称为非平衡载流子寿命。在半导体器件中,由于非平衡少数载流子起主导作用,因此τ常称为非平衡少数载流子寿命,简称少子寿命。τ值范围一般是10-1~103μs。复合过程大致可分为两种:电子在导带和价带之间直接跃迁,引起一对电子—空穴的消失,称为直接复合;电子—空穴对也可能通过禁带中的能级(复合中心)进行复合,称为间接复合。每种半导体的τ并不是取固定值,将随化学成分和晶体结构的不同而大幅度变化,因此,寿命是一种结构灵敏参数。τ值并不总是越大越好。对于Si单晶棒和晶体管的静态特性来说,希望τ值大些。但是,对于在高频下使用的开关管,却往往需要掺杂(扩散金),以增加金杂质复合中心,降低τ值,提高开关速度。在电力电子器件生产中,常用电子束辐照代替掺金,降低τ值。在Si和GaAs材料、器件和集成电路生产过程中,τ值是必须经常检测的重要参数。

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