硅化石墨高性能

SiO2，C及SiC之间的反应自由能见表1。

SiO2，C及SiC之间的反应自由能

碳和硅的反应随温度的变化见图2。

碳和硅的反应随温度的变化

石墨基体材料的热处理温度(反映其石墨化程度)，热膨胀系数，气孔率和孔径大小及分布对渗硅过程有很大的影响。为取得硅化石墨较好的性能，石墨基体材料的热膨胀系数应尽量与SiC接近，最好采用各向同性石墨，开口气孔率应为12%～15%，孔径越小反应越均匀。上述几种方法可根据需要结合进行，如先以CVR法处理，然后再用CVD法处理，这样得到的硅化石墨不透气、不含游离硅。硅化石墨兼有炭和碳化硅的特点，其典型性能见表2。

硅化石墨的典型性能

硅化石墨高硬度

硅化石墨的硬度实为SiC的硬度，它仅次于金刚石、氮化硼、碳化硼，比碳化钨、三氧化二铝等的硬度高。

硅化石墨优异的耐腐蚀性

SiC是共价键结合的化合物，化学性能稳定，除强氧化性气体及熔融碱，几乎不受其他酸碱的侵蚀。

硅化石墨良好的高温抗氧化性

SiC在高温下和氧反应生成致密的Si岛玻璃相，阻止了氧和SiC接触，防止碳化硅继续氧化，因此，SiC可长期使用于1000℃以上。

硅化石墨优良的抗热震性

硅化石墨加热到1200℃保持10s，投入室温的水中，反复多次，完好如初，既不破裂，也不剥落。