第1章　模拟集成电路中的无源元件1

1.1　模拟集成电路的工艺基础1

1.2　模拟集成电路中的电阻8

1.3　模拟集成电路中的电容16

1.4　模拟集成电路中的电感24

习题35

第2章　结型栅场效应晶体管36

2.1　JFET的基本原理36

2.2　JFET的伏安特性40

2.3　JFET的直流和交流参数43

2.4　MESFET的特性46

2.5　场相关迁移率特性48

2.6　结型栅场效应管的频率特性53

2.7　器件的噪声特性58

2.8　JFET和MESFET的结构举例61

习题66

第3章　MOSFET67

3.1　MOSFET的结构和类型68

3.2　MOSFET的阈值电压72

3.3　MOSFET的伏安特性80

3.4　MOSFET的交流小信号特性87

3.5　MOSFET的交流小信号等效电路和频率特性96

3.6　MOSFET的噪声特性101

3.7　MOSFET的击穿特性104

3.8　MOSFET的功率特性和功率MOS器件的结构111

3.9　MOSFET的温度特性117

3.10　短沟道效应120

3.11　场效应晶体管的设计129

习题134

第4章　CCD136

4.1　CCD的工作原理136

4.2　CCD的基本参数144

4.3　成像原理148

4.4　CCD的改进方式150

4.5　CCD在模拟电路中的应用151

习题153

第5章　模拟集成电路器件参数的提取154

5.1　欧姆接触的有关参数154

5.2　MOSFET的有关参数提取159

5.3　MESFET的有关参数提取168

习题175

第6章　CMOS放大器176

6.1　模拟电路中的MOS器件模型177

6.2　共源级放大器182

6.3　共源共栅级198

6.4　差分放大器204

习题211

第7章　集成运算放大器212

7.1　集成运算放大器的构建212

7.2　集成运算放大器基本模块分析217

7.3　集成运算放大器的设计223

7.4　集成CMOS运算放大器版图设计227

7.5　集成CMOS运算放大器的实现232

习题237

第8章　集成功率放大器238

8.1　功率放大器的特性和典型电路238

8.2　集成功率放大器实现的制约分析与设计251

8.3　全集成CMOS功率放大器的实现255

8.4　功率放大器的尽限问题261

8.5　功率放大器研制的新进展265

习题268

第9章　半导体制造技术269

9.1　半导体工艺的发展及CMOS工艺流程269

9.2　半导体工艺主要工序280

习题291

附录　常用物理参数292 2100433B