1)由于消除了隔离扩散,而让它并用集电极引出扩散区,所以减小了面积,提高了集成度。
2)可以简化工艺,即可以省去隔离扩散工艺。
3)由于没有高电阻率的集电区,所以降低了集电极串联电阻,由于没有存储效应,所以缩短了开关时间。
4)反向β(把集电区作为发射区,发射区看作集电区时)值大。
5)基极与集电极之间的耐压低。
以3)和1)两点在设计电路时必须充分注意。
在实际运用中,是在P型外延层上进一步增加一层P 型扩散层做为基区层,这除了住构成电阻时用它来调整方块电阻以外,还具有防止表面反转为N型,在基区内发生内电场、以及防止从发射极的侧面注入载流子等作用。
