第一章 概论

1.1 集成电路的发展历程

1.1.1 半导体集成电路的出现与发展

1.1.2 集成电路发展的特点

1.2 专用集成电路设计要求

1.2.1 关于“速度”

1.2.2 关于“功耗”

1.2.3 关于“价格”

1.3 集成电路的分类

1.3.1 按功能分类

1.3.2 按结构形式和材料分类

1.3.3 按有源器件及工艺类型分类

1.3.4 按集成电路的规模分类

1.3.5 按生产目的和实现方法分类

1.4 集成电路设计方法

1.4.1 设计方法学的重大变革

1.4.2 asic设计步骤

1.4.3 eda设计工具的选择

1.4.4 asic设计特点和技巧

第二章 集成电路工艺基础及版图设计

2.1 引言

2.2 集成电路制造工艺简介

2.2.1 氧化工艺

2.2.2 掺杂工艺

2.2.3 光刻工艺

2.3 版图设计技术

2.3.1 硅栅mos工艺简介

2.3.2 p阱cmos工艺简介

2.3.3 双阱工艺及soi　cmos工艺简介

2.3.4 版图设计规则

2.4 电参数设计规则

2.4.1 电阻值的估算

2.4.2 mos电容

第三章 mos集成电路器件基础

3.1 mos场效应管(mosfet)的结构及符号

3.1.1 nmos管的简化结构

3.1.2 n阱及pmos

3.1.3 mos管符号

3.2 mos管的电流电压特性

3.2.1 mos管的转移特性

3.2.2 mos管的输出特性

3.2.3 mos管的电流方程

3.2.4 mos管的输出电阻