精细自组装的纳米颗粒膜（称为超晶体）是一种潜在的具有可调控物理性能的新型材料，可应用于新一代纳米电子器件的制作。对金纳米颗粒超晶体电子学性能的扫描隧道显微术研究表明，超晶体中纳米颗粒层数是影响其电学性能的重要参数。但是目前尚不能够精确控制超晶体生长的层数，从而影响了对其电子输运机理使用扫描隧道显微术进行深入定量研究。因而，在此拟运用接触电极方法，使用微电子光刻技术制作接触电极，然后采用郎缪尔制膜技术在制作好电极的基片上进行纳米颗粒层数可控地生长金属纳米颗粒超晶体。在给定膜厚的情况下，通过改变接触电极间距，从而改变电极之间横向的纳米颗粒的层数，即遂穿节的数量，进而达到对金属纳米颗粒超晶体中电子输运性能进行深入的定量研究。
