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平带电压可分为两部分相加，Vfb=Vfb1 Vfb2，Vfb1用来抵消功函数差的影响，Vfb2用来消除氧化层及界面电荷的影响
1）Vfb1
Vfb1=φms=φg-φf
对于多晶硅栅，高掺杂的情况下，φg≈0.56V， 用于p型栅，-用于n型栅。
φf是相对于本征费米能级的费米势。
2）Vfb2
以固定的有效界面电荷Q0来等效所有各类电荷作用，Vfb2=-Q0/Cox。
Cox为单位面积氧化层电容，可用ε0/dox求得。
总结起来，Vfb=φg-φf-Q0/Cox。
