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MOS的阈值电压是指使半导体表面产生反型层（即沟道）时所需要外加的栅极电压。
如果存在平带电压，栅压超过平带电压的有效电压使得半导体表面出现空间电荷层（耗尽层），然后再进一步产生反型层；故总的阈值电压中需要增加一个平带电压部分。
由于平带电压中包含有Si-SiO2系统中电荷Qf 的影响，而这些电荷与工艺因素关系很大，故在制作工艺过程中需要特别注意Na离子等的沾污，以便于控制或者获得预期的阈值电压。
