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半功率
基于超声波的功率半导体高温封装技术介绍
基于超声波的功率半导体高温封装技术介绍 作者：张曹 天津爱沐阳光科技 一、行业背景 以碳化硅（ SiC）和氮化镓（ GaN）为代表的第三代功率半导体材料，是近些 年发展起来的新型半导体材料， 具有更宽的禁带宽度、 更好的热导率， 更适合当 前高功率器件的需要。 但高功率、高压的功率器件或模块会带来一个芯片散热的问题。 现有的封装 技术是基于铅基合金， 如典型的 92.5Pb/5Sn/2.5Ag合金，在真空共晶炉中实现芯 片与陶瓷电路板的贴片封装，很难满足散热与耐热冲击要求，主要原因如下： （1）铅基合金的热导率仅为 30-40W/m.k 左右，耐温仅到 250℃ （3）铅基合金还存在含铅、高污染问题。 因此耐高温、无铅化的贴片封装技术一直是业内的研发重点。 一个技术路线是纳米银浆，使用纳米级的银粉末可以低温融化的特点，在 200-300℃左右烧结，在芯片与陶瓷电路板之间形成一个导热的银层，
半模基片集成波导(HMSIW)三分贝功率分配器
半模基片集成波导(HMSIW)三分贝功率分配器
基片集成波导(SIW)具有损耗低、性能好、易于集成等优点,作为一种新型的导波技术已经被广泛地用于微波与毫米波电路。但是对于微波低频段,基片集成波导器件的尺寸偏大。最近,一种新的导波结构——半模基片集成波导(HMSIW)被提出。与基片集成波导相比,半模基片集成波导保留了基片集成波导的优点,同时在尺寸上缩小近一半,损耗也更低。本文提出了两种结合半模基片集成波导与基片集成波导技术的三分贝功率分配器,仿真结果与实验结果一致。