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北京INN
AlN缓冲层条件下普通玻璃上InN的制备方法
AlN缓冲层条件下普通玻璃上InN的制备方法
InN材料具有最小的有效质量和最高的载流子迁移率、饱和漂移速率,低场迁移率,是重要的半导体材料。该研究论文以价格低廉的普通玻璃作为InN薄膜的基片,很大程度的降低了其成本价格。本实验以普通康宁玻璃为衬底基片,在AlN/普通康宁玻璃基片结构上,改变不同沉积温度制备,InN薄膜,得到InN/AlN/普通康宁玻璃结构的高功率高频率器件的初期薄膜结构。该研究论文制备的光电薄膜器件均匀性好,薄膜衬底成本廉价,可用于大面积制造大功率,高频率器件,降低其成本价格。
北京简介
1 北京简介 北京是中华人民共和国首都是世界闻名的历史古城、文化名城。 是全国的政治、经济、交通和文化中心。这里荟萃了中国灿烂的文化 艺术，留下了许多名胜古迹和人文景观。 北京最早见于文献的名称叫做蓟。 公元 938年，蓟城成为辽的陪 都。辽是崛起于中国东北方的少数民族契丹人建立的。 因为蓟位于它 所辖的疆域的南部，所以改称南京，又叫燕京。一个多世纪以后，另 一个少数民族女真人建立的金朝将辽灭亡，并于 1153年迁都燕京， 改名中都。 1214年，金朝因受到新兴的蒙古族军队的进攻，被迫迁 都汴京（今河南开封），第二年蒙古铁骑入占中都。 1267年，蒙古族 首领忽必烈下令在中都城的东北郊筑建新城。 四年后这位首领即在兴 建中的都城内登上皇帝的宝座，建立了中国历史上的元朝。 1276年 新城全部建成，这便是意大利旅行家马可．波罗在游记中称之为 "世 界莫能与比 "的元大都。从此，北京取代了长