碳化硅专利分析-单晶,晶片和外延片制造研究报告
北京佐思信息咨询有限责任公司 Beijing OKOKOK Information Consulting Co.,Ltd 北京佐思 www.okokok.com.cn 地址:北京市海淀区长远天地 C座 3-502 #, 100080 碳化硅专利分析 -单晶,晶片和外延片制造研究报告 ——SiC Patent Analysis single crystal, wafer and epiwafer manufacturing 1772 patent families to support a $80M business in 2012 ⋯ 1772 PATENT FAMILIES TO SUPPORT A $80M BUSINESS IN 2012⋯ Despite a cumulative raw wafers + epi wafers market that won’t exceed
单面研磨抛光晶片研磨一致性研究
针对LED衬底材料蓝宝石在单面研磨抛过程存在的研磨一致性问题.从运动学理论出发,计算陶瓷盘上任意点的绝对运动方程;通过计算公式来判断任意点的研磨速度;揭示了研磨(抛光)盘和研磨(抛光)头角速度的变化对蓝宝石晶片研磨一致性的影响.
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