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基于紫外光刻的微纳光纤布喇格光栅研究
基于紫外光刻的微纳光纤布喇格光栅研究
介绍紫外光刻法制作微纳光纤布喇格光栅(MF-BG)的制作工艺,测量并分析不同直径的微纳光纤布喇格光栅的反射谱。数据表明随着微纳光纤的直径变小,光纤光栅的中心波长蓝移且反射强度也随之减小。仿真计算微纳光纤的有效折射率和光纤纤芯的束缚能力(即基模分布在纤芯的能量与基模全部能量的比值),来解释上述变化。
厚铝芯片制造工艺的光刻对准效果改善
厚铝芯片制造工艺的光刻对准效果改善
对于厚铝芯片的制造工艺,由于光刻对准标记上覆盖了厚的铝层,对准标记形貌轮廓会变得模糊,这会导致光刻对准出现困难,对偏的问题将变得常见。为了解决此问题,提出了多种改善方法,首先采用叠加标记法,通过将不同层次的对准标记进行叠加,增大了标记的台阶,对准标记的轮廓变得比原来清晰。其次是局部溅射法,通过夹具保护对准标记,确保标记不被厚铝覆盖,因此厚铝将不会对对准标记产生任何影响。最后是剥离工艺法,通过光刻胶保护对准标记,使之不被厚铝覆盖,因此,对准标记形貌将会保持清晰。这些方法在工艺和原理上是不同的,它们适用于不同的环境。通过这些方法,基本可以解决厚铝工艺中光刻对准困难的问题。