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欧司朗红光LED原型光效突破2001m/W大关
欧司朗红光LED原型光效突破2001m/W大关
10月11日消息：在欧司朗光电半导体研发实验室内，创造了高功率红光LED的光效新纪录，电光转换效率高达61％。实验封装内的这颗1mm。芯片发光波长为609nm（A—dom），工作电流为40mA时实测光效达到201lm／W，而在350mA的典型工作电流下仍可提供168lm／w的高光效，这意味着：即使是在如此高光效下，超过半年以上的电能将可转换成光线。
利用湿法腐蚀提高红光LED外延片的发光效率
利用湿法腐蚀提高红光LED外延片的发光效率
采用熔融态的KOH对AlGaInP基红光LED外延片进行了表面粗化处理。研究了粗化温度、粗化时间对LED外延片表面形貌的影响,并利用原子力显微镜(AFM)、半导体芯片自动测试系统对LED器件的相关性能(形貌、I-V特性曲线、亮度和主波长)进行了表征。比较了粗化前后的LED亮度和电流特性变化。测试结果表明:利用熔融态的KOH对AlGaInP基红光LED外延片进行表面粗化可以有效地抑制光在通过LED表面与空气接触界面时产生的全反射,得到性能更好的器件。实验结果显示,采用熔融态KOH,在粗化温度为200℃、粗化时间为8min时,能使制作的红光LED外延片发光效率提高30%。