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模拟cmos集成电路设计

2024.12.29

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模拟cmos集成电路设计
厦门集成电路设计流片补贴项目

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厦门集成电路设计流片补贴项目 申 报 表 (2018 上半年 ) 申请单位 (签章 ): 项目联系人 : 项目负责人 : 通 讯地 址: 邮 政 编 码 : 联 系 电 话 : 移 动 电 话 : 申 请日 期: 电 子邮 件: 二 0一八年九月 目录 1、厦门集成电路设计流片补贴资金申请表 (包括 MPW、工 程批 ) 2、申请补贴资金明细表 3、企业基本情况 4、产品研发说明 5、芯片版图缩略图 (需用彩印 ) 6、流片加工发票复印件 7、流片合同复印件 8、付款凭证(境外加工的需提供报关单或委外加工证明) 9、正版软件使用证明(需用原件) 10、2017年度财务审计报告、 6月份财务报表 (现金流量表、 损益表、资产负债表) (需用原件) 11、企业营业执照、税务登记证或三证合一复印件 12、产品外观照片等相关材料 厦门集成电路设计流片补贴资金申请表 类别 :MPW□ /工程批

CMOS集成电路中电源和地之间的ESD保护电路设计 CMOS集成电路中电源和地之间的ESD保护电路设计

CMOS集成电路中电源和地之间的ESD保护电路设计

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讨论了3种常用的CMOS集成电路电源和地之间的ESD保护电路,分别介绍了它们的电路结构以及设计考虑,并用Hspice对其中利用晶体管延时的电源和地的保护电路在ESD脉冲和正常工作两种情况下的工作进行了模拟验证。结论证明:在ESD脉冲下,该保护电路的导通时间为380ns;在正常工作时,该保护电路不会导通,因此这种利用晶体管延时的保护电路完全可以作为CMOS集成电路电源和地之间的ESD保护电路。

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