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双壳层ZnO/CdSe/CdTe纳米电缆阵列的光伏应用
双壳层ZnO/CdSe/CdTe纳米电缆阵列的光伏应用
以ZnO纳米棒阵列作为核,通过电化学沉积方法成功制备了致密的单壳层或者双壳层ZnO/CdTe/CdSe,ZnO/CdTe和ZnO/CdSe纳米电缆阵列光电极。对于ZnO/CdSe/CdTe纳米电缆阵列,有序且具有闪锌矿结构的CdSe和CdTe纳米壳层的厚度分别为10-20nm和7-15nm,两者之间形成了连续致密的界面层。利用未接触之前体材料之间的能带偏移和接触之后费米能级的调整,对于双壳层纳米电缆阵列,推导出在CdSe/CdTe和CdTe/CdSe界面的能级调校。对比在ZnO/CdTe/CdSe纳米电缆中CdTe/CdSe界面之间形成的负能带偏压-0.16eV,对于ZnO/CdSe/CdTe纳米电缆,CdTe的能带在CdSe的能带之上,因而在CdSe/CdTe界面之间成了0.16eV的正导带偏压。这样一个阶梯式的能带排列以及质密的界面接触,不仅使纳米电缆沿着径2向具有很少的晶界,同时沿轴向电子传输速率得到加快。因此,在45mW/cm的AM1.5G模拟光照2下,ZnO/CdSe/CdTe纳米电缆阵列光电极的饱和光电流密度高达~14.3mA/cm,明显高于ZnO/CdTe/CdSe,ZnO/CdSe和ZnO/CdTe纳米电缆阵列。
纳米材料中的明星——碳纳米管
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本文介绍碳纳米管的发现、制备，以及它的性能和应用。