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普通发光二极管参数
发光二极管参数(精)
二极管参数 普通发光二极管的正向饱和压降为１．６Ｖ～２．１Ｖ , 正向工作电流为 ５～２０ｍＡ LED的特性 1．极限参数的意义 （1）允许功耗 Pm:允许加于 LED两端正向直流电压与流过它 的电流之积的最大值。超过此值， LED发热、损坏。 （2）最大正向直流电流 IFm：允许加的最大的正向直流电流。 超过此值可损坏二极管。 （3）最大反向电压 VRm：所允许加的最大反向电压。超过此 值，发光二极管可能被击穿损坏。 （4）工作环境 topm:发光二极管可正常工作的环境温度范 围。低于或高于此温度范围，发光二极管将不能正常工作，效率大大降低。 2．电参数的意义 (1) 正向工作电流 If ：它是指发光二极管正常发光时的正 向电流值。在实际使用中应根据需要选择 IF 在 0.6·IFm以下。 (2) 正向工作电压 VF：参数表中给出的工作电压是在给定 的正向电流下得到的。一般是在
LED发光二极管
LED发光二极管 半导体发光器件包括半导体发光二极管（简称 LED）、数码管、符号管、米字管及点阵式 显示屏（简称矩阵管）等。事实上，数码管、符号管、米字管及矩阵管中的每个发光单 元都是一个发光二极管。 一、 半导体发光二极管工作原理、特性及应用 （一） LED发光原理 发光二极管是由Ⅲ -Ⅳ族化合物，如 GaAs（砷化镓）、 GaP（磷化镓）、GaAsP（磷砷 化镓）等半导体制成的，其核心是 PN结。因此它具有一般 P-N结的 I-N 特性，即正向导 通，反向 截止、击穿特性。此外，在一定条件下，它还具有发光特性。在正向电压下， 电子由 N区注入 P区，空穴由 P区注入 N区。进入对方区域的少数载流子（少子）一部 分与多数载流子（多子）复合而发光，如图 1所示。 假设发光是在 P区中发生的，那么注入的电子与价带空穴直接复合而发光，或者先被发 光中心捕获后，再与空穴复合发光。 除了这种发光