精品文献
系统芯片设计原理
芯片设计和制造对铜丝键合工艺的影响分析
芯片设计和制造对铜丝键合工艺的影响分析 【摘 要】 以实际案例为基础分析， 从三极管芯片设计和制造上解决铜丝键 合工艺容易造成芯片弹坑损伤的问题。 【关键词】 铜丝键合 弹坑 芯片结构 1 概要 在半导体铜丝键合工艺中讨论最多的都是在封装键合领域内讨论如何改进 设备，材料和工艺方法去匹配铜丝工艺， 提升铜丝工艺的可靠性和实用性， 但很 少有讨论在芯片设计和制造方面能做多少改进。 本文重点分析芯片设计制造对铜 丝工艺的的影响。 从铜丝键合工艺主要的失效分析统计来看， 铜丝工艺在铝层弹坑损伤上要比 金丝工艺严重得多。 弹坑损伤在封装工艺上总存在工艺宽容度窄， 控制难度高的 问题，容易影响三极管的良品率和可靠性。 所以改进的目标就定在如何能把芯片 键合区设计成能经受住铜丝键合高强度冲击而又不容易发生弹坑损伤或是能够 缓冲铜丝键合冲击应力的键合区结构上。 2 键合区铝层的分析 键合区铝层是的主要作
12位单斜式线性放电ADC芯片设计
12位单斜式线性放电ADC芯片设计
随着新型探测器的不断发展,对读出电子学的密集度和集成度要求越来越高。论文以传统线性放电ADC为基础,针对多通道读出芯片的高集成度要求,完成了12bit线性放电ADC模拟部分的ASIC设计,同时通过片外FPGA对其进行控制,兼顾测量和调试上的需求。