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移相器实验
五位RFMEMS开关延迟线移相器
文章编号 ：1005-6122（2011）02-0084-04 五位 RF MEMS 开关延迟线移相器 * 金 铃 （南京电子技术研究所 ，南京 210013） 摘 要： 设计并研制了一种 6 ～11GHz、超宽带 5 位 RF MEMS 开关延迟线移相器 ，器件实现了 5 位延迟 ：λ、 2λ、4λ、8λ、16λ。该器件采用微带混合介质多层板技术 ，分 4层制作 ，尺寸为 45mm×20 mm。整个器件包括 20个 RF MEMS悬臂梁开关 ，用 60 ～75V 的静电压驱动 。6 ～11GHz 频带内 ，对 32 个相移态的测试结果表明 ：一般回波损耗 S11 ＜－10dB，各状态平均插入损耗为 －8 ～－10dB；中心频率处 ，器件可实现的最大延迟位时延为 1680ps，总时延为 3255ps。 关键词 ： 开关延迟线移相器 ，微机电系统 （MEMS），悬臂梁开关 ，微波混合介质多层
交直流隔离的分布式MEMS移相器设计
交直流隔离的分布式MEMS移相器设计
设计了一种五位分布式微电子机械系统(MEMS)移相器,通过分析对比传统分布式MEMS移相器加载直流偏置的两种方式,提出了一种新的直流偏置的加载方式,能解决传统方式带来的交直流干扰和引线繁杂问题,同时工艺容易实现。采用ADS软件对移相器进行级联仿真,优化了微波性能参数,仿真得出移相器在35 GHz时移相精确度小于3°,移相器的插入损耗小于0.5 dB,回波损耗大于23 dB。给出了五位分布式MEMS移相器的工艺流程,同时验证了所设计加载直流偏置方式工艺简单的优势。