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超晶格红外探测器

2025-01-17

长波InAs/GaSbⅡ类超晶格红外探测器

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报道了50%截止波长为12.5μm的InAs/GaSb Ⅱ类超晶格长波红外探测器材料及单元器件.实验采用分子束外延技术在GaSb衬底上生长超晶格材料.吸收区结构为15ML(InAs)/7ML(GaSb),器件采用PBIN的多层异质结构以抑制长波器件暗电流.在77K温度下测试了单元器件的电流-电压(Ⅰ-Ⅴ)特性,响应光谱和黑体响应.在该温度下,光敏元大小为100μm×100μm的单元探测器RmaxA为2.5Ωcm2,器件的电流响应率为1.29A/W,黑体响应率为2.1×109cmHz1/2/W,11μm处量子效率为14.3%.采用四种暗电流机制对器件反向偏压下的暗电流密度曲线进行了拟合分析,结果表明起主导作用的暗电流机制为产生复合电流.

2~5μm InAs/GaSb超晶格红外探测器 2~5μm InAs/GaSb超晶格红外探测器 2~5μm InAs/GaSb超晶格红外探测器
2~5μm InAs/GaSb超晶格红外探测器

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采用分子束外延方法在gasb和gaas衬底上生长了不同周期厚度的inas/gasb高质量ii型能带结构超晶格红外探测器,其探测波长覆盖2~5μm红外波段。采用高分辨透射电子显微镜、原子力显微镜、x射线衍射测试、室温与低温光电流响应谱及室温与低温光荧光谱等多种测试手段检验了分子束外延生长在不同衬底上的超晶格材料质量与光学质量。该材料用于制造2~5μmgaas基与gasb基inas/gasb超晶格红外探测器。在77k温度下,2μm波段gaas基inas/gasb超晶格红外探测器探测率为4×109cm·hz1/2/w,5μm波段gasb基inas/gasb超晶格红外探测器探测率为1.6×1010cm·hz1/2/w。

红外探测器件 红外探测器件 红外探测器件
红外探测器件

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美国专利us7312450(2007年12月25日授权)本发明提供一种可在保持性能的同时降低功耗的红外探测器件。该器件由一个热释电元件、一个i/v转换电路、一个电压放大电路、一个探测电路、一个输出

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红外探测器发展需求

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红外探测器发展需求 4.7

红外探测器发展需求 红外探测器发展需求 红外探测器发展需求

由于未来作战环境复杂,红外探测技术发展面临严峻挑战,而作为红外型武器的核心——红外探测器,正朝着高灵敏、宽谱段、高分辨率、低功耗、小型化和智能化的方向发展。通过回顾相关产业军民两用融合情况和红外探测技术发展历程,总结军事发展对探测器新的要求,以确立新一代探测器发展方向。在详细分析国外红外探测器发展历程和现状的基础上,重点介绍了国外红外焦平面探测器的最新研制情况和成果,包括非制冷红外探测器、制冷型红外探测器、红外双色探测器等,并总结强调第三代红外探测器需要在控制成本的同时不断提高和改进红外焦平面探测系统的性能。最后概述了智能化红外焦平面阵列的发展情况。

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《红外探测器》

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《红外探测器》 4.8

《红外探测器》 《红外探测器》 《红外探测器》

安东尼·罗格尔斯基(antonirogalski)教授撰写的英文第2版《红外探测器》(infrareddetectors)是在第1版的基础上进行了重大修订,于2011年出版。周海宪和程云芳将之翻译成中文,机械工业出版社于2014年1月份正式出版。本书有3个鲜明特点:第一,内容十分丰富。本书由4个部分共23章组成,既概述了红外探测器的发展史(从第一个红外探测器诞生开始),又详细介绍了各种红外探测器的当前状况,同时根据相关理论预测了其性能极限;第二,内容非常系统。不仅介绍了红外探测技术的基

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气动型红外探测器

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气动型红外探测器 4.7

气动型红外探测器 气动型红外探测器 气动型红外探测器

本发明提供一种气动型红外探测器,它包括一个敏感腔和一个参考腔,它是通过测量其敏感腔的气动膨胀来探测红外辐射的.其原理是,敏感腔吸收红外辐射能量后,其温度上升,从而发生气动膨胀.参考腔通过机械方法与敏感腔相连,它是用来控制敏感腔的气动膨胀的.这种膨胀或者用电学方法探测,或者用光学方法探测.

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红外探测器件

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红外探测器件 4.6

红外探测器件 红外探测器件 红外探测器件

本发明提供一种可在保持性能的同时降低功耗的红外探测器件。该器件由一个热释电元件、一个i/v转换电路、一个电压放大电路、一个探测电路、一个输出电路和一个驱动电源电路组成。热释电元件产生一种基于入射红外辐射的电流信号;i/v转换电路将电流信号转换成电压信号;电压放大电路将该电压信号中部分相关分量放大,产生一种分量被放大的电压;

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量子级联红外探测器

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量子级联红外探测器 4.8

量子级联红外探测器 量子级联红外探测器 量子级联红外探测器

半导体基中远红外探测器在成像、传感、国家安全以及国防领域具有广泛的应用背景。目前,在这个领域最主流的技术之一是量子阱红外探测器(qwips)。传统的量子阱红外探测器往往存在较大的暗电流和较低的工作温度等限制。量子级联探测器(qcds)是一种新型的光伏型量子阱红外探测器。其工作原理基于电子吸收光子后在量子阱的子带间跃迁并且激发态电子通过人工设计的势能阶梯形成无需外加偏置电压的定向输运。这种基于新原理的红外探测器一经出现便引起人们高度的关注并经历了快速的发展。文中介绍了中国科学院半导体所在量子级联探测器研究方面的最新成果。

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红外探测器

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红外探测器 4.5

红外探测器 红外探测器 红外探测器

本书系从四十年代至一九七三年的公开杂志中选择较有代表性的资料四十三篇编篡而成。编入时并对多数文章写了评语,还补入了新发表的文献资料。此书共分六大部分:一、现有红外探测器特性系各类探测器性能水平的综合介绍。二、红外探测基础介绍探测和外差探测原理、响应率与探测度的计算以及各种噪声。三、光子探测器介绍铅盐类、insb、hgcdte、pbsnte以及锗掺汞和掺铜

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红外探测器

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红外探测器 4.5

红外探测器 红外探测器 红外探测器

美国的kolmar公司生产出氮冷却的hgmnte和hgcdte探测器,由德国的vis-tek公司代理经销。其特点是带宽大于200mhz,量子效率高于50%,光输灵敏度约达2—12μm。可供应价格特别优惠的光电与光导探测器。其应用范围为温度分布测量图

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精华文档 超晶格红外探测器

红外探测器

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红外探测器 4.6

红外探测器 红外探测器 红外探测器

bsa技术公司推出一种采用hgcdznte基板的红外探测器,这种探测器可在室温下高速工作。在高频下使用时,灵敏度比以前的制品高。备有多波长式、热电致冷式、液氮致冷式,可根据不同的用途自由选择。各样品的主要规格如下。r005型:光导电型,光谱范围2~12μm,响应时间<1ns,室温工作。peml型:光电磁

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红外探测器

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红外探测器 4.5

红外探测器 红外探测器 红外探测器

本专利提供一种多元红外探测器,该探测器的每个元件面前都有一个光导,这种光导可以导致雷达辐射衰减。每个光导均由一个内壁具有反射和导电功能的光导通道制成。这些光导通道做在一块通道板上。通道表面是导电的,它与信号接地相连。通道板的

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红外探测器领域初探

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红外探测器领域初探 4.8

红外探测器领域初探 红外探测器领域初探 红外探测器领域初探

红外探测器是能对外界红外光辐射产生响应的光电传感器,是目前传感器领域发展的重点之一。本文介绍了红外探测器技术,梳理了红外探测器的起源与技术发展趋势,尤其关注非制冷红外探测器的技术发展。

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红外探测器

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红外探测器 4.7

红外探测器 红外探测器 红外探测器

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红外探测器 4.7

红外探测器 红外探测器 红外探测器

红外探测器是一门新兴技术,其应用包括温度测量、匪警/火警、机器人/工业设备、热弹性应力分析、医疗诊断以及包括气体分析在内的化学分析.主要介绍红外探测器发展的三大趋势:热成像、数据传输和激光测距.回顾这些技术可使人们了解目前的工艺水平及其发展趋势.

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红外探测器 4.5

红外探测器 红外探测器 红外探测器

optek技术公司研制出op570系列的硅npn光电晶体管红外探测器。这种探测器被封装在0.10×0.08in的表面安装型管壳内,并配有高性能的红外透镜。作为

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红外探测器

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红外探测器 红外探测器 红外探测器

法国ulissas公司向市场投放了一系列像元间距为25μm的硅红外探测器。ul02152型探测器是一个160×120元的列阵,其热时间常数<ms,占空因数

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气动型红外探测器

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气动型红外探测器 4.7

气动型红外探测器 气动型红外探测器 气动型红外探测器

美国专利us7485870(2009年2月3日授权)本发明提供一种气动型红外探测器,它包括一个敏感腔和一个参考腔,它是通过测量其敏感腔的气动膨胀来探测红外辐射的。其原理是,敏感腔吸收红外辐射能量后,其温度上升,从而发生气动膨胀。参考腔通过机械方法与敏感腔相连,它是用来控制敏感腔的气动膨胀的。这种膨胀或者用电学方法探测,或者用光学方法探测。本专利说明书共33页,其中有23张插图。

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红外探测器

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红外探测器 4.5

红外探测器 红外探测器 红外探测器

本文简要介绍了多量子阱探测器、热电探测器、混合型及单片型图象传感器等红外探测器的研究近况,并对关键技术进行评述。

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红外探测器

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红外探测器 4.7

红外探测器 红外探测器 红外探测器

日本hamamatsu光子学公司生产出各种各样的高性能红外探测器,它们的响应光谱包括20μm以上的长波红外,其截止频率高达2ghz。

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红外探测器

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红外探测器 4.6

红外探测器 红外探测器 红外探测器

红外探测器

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红外探测器分类及应用

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红外探测器分类及应用 4.6

红外探测器分类及应用

红外探测器分类及应用 红外探测器是能对外界红外光辐射产生响应的光电传感器,是目前传感器 领域发展的重点之一。利用它制成的探测器是军事、气象、农业、工业、医学 等方面需要的设备,它涉及物理、材料等基础科学和光学、机械、微电子和计 算机等多学科领域的综合科学技术。 按照工作机理分类: 热探测器和光子探测器的分类和特点 ·光子探测器:光子探测器的工作机理是利用入射光辐射的光子流与探测器材料 中的电子互相作用,从而改变电子的能量状态,引起各种电学现象,这种现象 称为光子效应。光子探测器有内光电和外光电探测器两种,后者又分为光电 导,光生伏特,光电发射型,光磁电型等四种。 ·热探测器:红外热探测器的工作原理是利用辐射热效应。探测器件接收辐射能 量后引起温度升高,再由接触型测温元件测量温度改变量,从而输出点型号。 热探测器主要有四类:热电堆,热释电型,和气体型。 光子探测器和热探测器的分类和

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主动被动红外探测器

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主动被动红外探测器 4.7

主动被动红外探测器

主动/被动红外探测器 系统的基本组成红外线报警器是利用红外线的辐射和接收技校构成的报警 装置。根据工作原理,又可分为主动式和被动式两种类型。 (1)主动式红外探测器 主动式红外探测器是由收、发装置两部分组成。发射装置向装在几米甚至于 几百米远的接收装置辐射一束红外线,当被遮断时,接收装置即发出报警信号, 因此,它也是阻挡式报警器,或称对射式探测器。通常,发射装置由多谐振荡器、 波形变换电路、红外发光管及光学透镜等组成。振荡器产生脉冲信号,经波形变 换及放大后控制红外发光管产生红外脉冲光线,通过聚焦透镜将红外光变为较细 的红外光束,射向接收端。 接收装置由光学透镜、红外光电管、放大整形电路、功率驱动器及执行机构 等组成。光电管将接收到的红外光信号转变为电信号,经整形放大后推动执行机 构启动报警设备。主动式红外报警器有较远的传输距离,因红外线属于非可见光 源,入侵

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HPT型Ge量子点红外探测器

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HPT型Ge量子点红外探测器 4.5

HPT型Ge量子点红外探测器 HPT型Ge量子点红外探测器 HPT型Ge量子点红外探测器

异质结光敏晶体管(hpt)是一种具有内部电流增益的光电探测器,且与异质结双极晶体管(hbt)的制作工艺完全兼容。利用超高真空化学气相淀积(uhv/cvd)方法在hbt晶体管的基区和集电区间加入多层ge量子点材料作为光吸收区。tem和dcxrd测试结果表明,生长的多层ge量子点材料具有良好的晶体质量。为了提高hpt的发射极注入效率,采用高掺杂多晶硅作为发射极,并制作出两端hpt型ge量子点探测器。室温条件下的测试结果表明,hpt型量子点探测器具有低的暗电流密度和高的反向击穿电压。-8v偏压下,hpt型量子点探测器在1.31μm和1.55μm处的响应度分别为4.47ma/w和0.11ma/w。与纵向pin结构量子点探测器相比,hpt型量子点探测器在1.31μm和1.55μm处的响应度分别提高了104倍和78倍。

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红外探测器成像仿真

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红外探测器成像仿真 4.4

红外探测器成像仿真 红外探测器成像仿真 红外探测器成像仿真

红外探测器是红外成像技术的核心,直接影响着红外成像系统的性能。在分析目标成像尺寸的基础上,详细分析光学弥散、探测器噪声、成像阵列盲元等的形成机理,并进行建模和仿真,最后将这些模型依次叠加。采用此方法得到的仿真图像充分考虑了探测器各种效应的影响,提高了仿真图像的真实性与逼真度,可为红外成像系统的研制及目标检测识别算法提供测试场景与依据。

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李洪波

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超晶格红外探测器文辑: 是李洪波根据数聚超市为大家精心整理的相关超晶格红外探测器资料、文献、知识、教程及精品数据等,方便大家下载及在线阅读。同时,造价通平台还为您提供材价查询、测算、询价、云造价、私有云高端定制等建设领域优质服务。PC版访问: 超晶格红外探测器
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