《固态电子学基础》一书曾在Florida大学用了6个学期,这也作为向电子工程三年级约300名学生讲授固态器件核心课程的教科书。物理、科学及其他工程系的大学生及研究生也参加了这门课程的学习。本书分三部分:(1)3章电子材料物理及4章器件(MOSC,p/n-m/s-欧姆二极管,MOST-FETs,BJT-HBJTs及SCRs),每章包含:(2)历史、制作、物理特性及电路模型,以及(3)基本模块电路。其中每章第二部分中的扩展内容可选作第二门课程,并可在材料及器件物理基础、器件模型及复杂集成电路的基本模块电路(B3C)方面作为做实际工作的工程师及管理人员的参考书。例如:先进的器件物理(消离化及重掺杂效应、亚阈值电流、高场迁移率、MOSC、p/n和m/s结的反向电容及电流瞬变、欧姆接触……)、最新的(1990-1991)器件概念(异质结MOSFET及异质结BJT……)、可靠性机制(沟道热电子注入、Fowler-Mordheim隧穿、带间热空穴产生和注入、p型硅栅1.2eV比n型硅栅的欠可靠……),以及B3C(BiC-MOS,CBiCMOS,DRAM,SRAM,UV-EPROM,flash-EEPROM及FRAM)。本书从大一学生的化学及大二学生的物理基础(Newtom,Coulomb,Planck及de Broglie定律)出发给出了器件物理所需的基本概念(电子及空穴、价键及能带模型、平衡及非平衡态、统计分布、漂移与扩散、产生-复合-俘获及隧穿)。本书还给出了如亚微米硅MOSFET及硅BJTs等最先进的器件的物理意义及数值说明。近100种经精选及评论的中高等水平的参考书以及约500道习题均可用以扩展本书范围外的学习。

本书是《模拟电子学基础》一书的教学参考书，基本章节完全按照《模拟电子学基础》一书安排。每章基本分为三个部分:第一部分是本章内容的重点和难点，并以例题讲解和问题回答的方式对重点和难点进行讲解;第二部分是《模拟电子学基础》一书中习题与思考题的详细解答;第三部分则介绍了一些在《模拟电子学基础》一书中没有涉及的一些扩充内容。

本书适用于高等学校的电气、电子类和其他相关专业，可以作为学生的辅导资料，也可以作为教师的教学参考，还可以供相关领域工程技术人员参考。

微电子学与固体电子学

“微电子学与固态电子学”是现代信息技术的内核与支柱。本学科主要研究内容：（1）信息光电子学和光通讯。（2）超高速微电子学和高速通讯技术。（3）功率半导体器件和功率集成电路。（4）半导体器件可靠性物理。（5）现代集成模块与系统集成技术。