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IGBT模块注意事项

IGBT模块注意事项

由于IGBT模块为MOSFET结构，IGBT的栅极通过一层氧化膜与发射极实现电隔离。由于此氧化膜很薄，其击穿电压一般达到20~30V。因此因静电而导致栅极击穿是IGBT失效的常见原因之一。因此使用中要注意以下几点: 1. 在使用模块时，尽量不要用手触摸驱动端子部分，当必须要触摸模块端子时，要先将人体或衣服上的静电用大电阻接地进行放电后，再触摸; 2. 在用导电材料连接模块驱动端子时，在配线未接好之前请先不要接上模块; 3. 尽量在底板良好接地的情况下操作。 在应用中有时虽然保证了栅极驱动电压没有超过栅极最大额定电压，但栅极连线的寄生电感和栅极与集电极间的电容耦合，也会产生使氧化层损坏的振荡电压。为此，通常采用双绞线来传送驱动信号，以减少寄生电感。在栅极连线中串联小电阻也可以抑制振荡电压。 此外，在栅极-发射极间开路时，若在集电极与发射极间加上电压，则随着集电极电位的变化，由于集电极有漏电流流过，栅极电位升高，集电极则有电流流过。这时，如果集电极与发射极间存在高电压，则有可能使IGBT发热及至损坏。 在使用IGBT的场合，当栅极回路不正常或栅极回路损坏时(栅极处于开路状态)，若在主回路上加上电压，则IGBT就会损坏，为防止此类故障，应在栅极与发射极之间串接一只10KΩ左右的电阻。 在安装或更换IGBT模块时，应十分重视IGBT模块与散热片的接触面状态和拧紧程度。为了减少接触热阻，最好在散热器与IGBT模块间涂抹导热硅脂。一般散热片底部安装有散热风扇，当散热风扇损坏中散热片散热不良时将导致IGBT模块发热，而发生故障。因此对散热风扇应定期进行检查，一般在散热片上靠近IGBT模块的地方安装有温度感应器，当温度过高时将报警或停止IGBT模块工作。 1. 一般保存IGBT模块的场所，应保持常温常湿状态，不应偏离太大。常温的规定为5~35℃ ，常湿的规定在45~75%左右。在冬天特别干燥的地区，需用加湿机加湿; 2. 尽量远离有腐蚀性气体或灰尘较多的场合; 3. 在温度发生急剧变化的场所IGBT模块表面可能有结露水的现象，因此IGBT模块应放在温度变化较小的地方; 4. 保管时，须注意不要在IGBT模块上堆放重物; 5. 装IGBT模块的容器，应选用不带静电的容器。 6. 检测IGBT模块的的办法。

IGBT模块造价信息

市场价
信息价
询价

模块化机房

规格型号：
FusionModule800
价格行情：
材料单位：
套
材料品牌：
华为
材料税率：
13%
供应商：
山东科普电源系统有限公司
报价时间：
2022-12-06

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PWJ蓄水模块

规格型号：
1200×600×600
价格行情：
材料单位：
m³
材料品牌：
华畅科技
材料税率：
13%
供应商：
河南华畅建筑科技有限公司
报价时间：
2022-12-06

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信号转接控制模块

规格型号：
DS-XHZHKZ-02(内部信号转换模块)
价格行情：
材料单位：
套
材料品牌：
江苏明朗
材料税率：
13%
供应商：
江苏明朗照明科技有限公司
报价时间：
2022-12-06

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雷达流量检测模块

规格型号：
雷达流量检测模块
价格行情：
材料单位：
套
材料品牌：
海通
材料税率：
13%
供应商：
江苏海通交通集团有限公司南宁分公司
报价时间：
2022-12-06

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模块(模块箱)

规格型号：
1.名称:2防区报警模块2.其他:详见招标图纸及技术要求 DS7460i-CHI
价格行情：
材料单位：
个
材料品牌：
博世
材料税率：
13%
供应商：
广州澳星电子有限公司
报价时间：
2022-12-06

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模块箱

规格型号：
MKX2-1
价格行情：
材料单位：
个
材料税率：
地区时间：
湛江市2005年2月信息价
所属行业：
建筑工程
备注说明：

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输入模块

规格型号：
价格行情：
材料单位：
只
材料税率：
地区时间：
湛江市2022年3季度信息价
所属行业：
建筑工程
备注说明：

查看价格

输出模块

规格型号：
价格行情：
材料单位：
只
材料税率：
地区时间：
湛江市2022年3季度信息价
所属行业：
建筑工程
备注说明：

查看价格

输入模块

规格型号：
价格行情：
材料单位：
个
材料税率：
地区时间：
清远市2022年2季度信息价
所属行业：
建筑工程
备注说明：

查看价格

输出模块

规格型号：
价格行情：
材料单位：
只
材料税率：
地区时间：
湛江市2022年2季度信息价
所属行业：
建筑工程
备注说明：

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F-4型警告及注意事项标识牌40cm×10cm

规格型号：
1.F-4型警告及注意事项标识牌 2.版面尺寸:40cm×10cm 3.版面材质:铝板、3M耐候PVC.
需求量：
11个
报价数：
3
材料品牌：
材料档次：
中高档
费用说明：
含税费 | 含运费
询价时间：
2022-07-22

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F-2型警告及注意事项标识牌40cm×90cm

规格型号：
1.F-2型警告及注意事项标识牌 2.2000mm高,版面尺寸 40cm×90cm 3.版面材质:铝板、3M耐候PVC. 4.支架设置:Ф89x2mmTH不锈钢圆管,表面氟碳烤漆颜色
需求量：
11个
报价数：
3
材料品牌：
材料档次：
中高档
费用说明：
含税费 | 含运费
询价时间：
2022-07-22

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F-3型警告及注意事项标识牌30cm×40cm

规格型号：
1.F-3型警告及注意事项标识牌 2.2000mm高,版面尺寸 30cm×40cm 3.版面材质:铝板、3M耐候PVC. 4.支架设置:Ф89x2mmTH不锈钢圆管,表面氟碳烤漆颜色
需求量：
15个
报价数：
3
材料品牌：
材料档次：
中高档
费用说明：
含税费 | 含运费
询价时间：
2022-07-22

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F-1型警告及注意事项标识牌60cm×90cm

规格型号：
1.F-1型警告及注意事项标识牌 2.2000mm高,版面尺寸 60cm×90cm 3.版面材质:铝板、3M耐候PVC. 4.支架设置:Ф89x2mmTH不锈钢圆管,表面氟碳烤漆颜色
需求量：
14个
报价数：
3
材料品牌：
材料档次：
中高档
费用说明：
含税费 | 含运费
询价时间：
2022-07-22

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IGBT模块

规格型号：
FF300R12KE3
需求量：
6139个
报价数：
1
材料品牌：
材料档次：
中档
费用说明：
不含税费 | 含运费
询价时间：
2015-08-10

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igbt模块注意事项

由于IGBT模块为MOSFET结构，IGBT的栅极通过一层氧化膜与发射极实现电隔离。由于此氧化膜很薄，其击穿电压一般达到20～30V。因此因静电而导致栅极击穿是IGBT失效的常见原因之一。　因此使用中要注意以下几点： 1. 在使用模块时，尽量不要用手触摸驱动端子部分，当必须要触摸模块端子时，要先将人体或衣服上的静电用大电阻接地进行放电后，再触摸; 2. 在用导电材料连接模块驱动端子时，在配线未接好之前请先不要接上模块; 3. 尽量在底板良好接地的情况下操作。 在应用中有时虽然保证了栅极驱动电压没有超过栅极最大额定电压，但栅极连线的寄生电感和栅极与集电极间的电容耦合，也会产生使氧化层损坏的振荡电压。为此，通常采用双绞线来传送驱动信号，以减少寄生电感。在栅极连线中串联小电阻也可以抑制振荡电压。 此外，在栅极—发射极间开路时，若在集电极与发射极间加上电压，则随着集电极电位的变化，由于集电极有漏电流流过，栅极电位升高，集电极则有电流流过。这时，如果集电极与发射极间存在高电压，则有可能使IGBT发热及至损坏。 在使用IGBT的场合，当栅极回路不正常或栅极回路损坏时(栅极处于开路状态)，若在主回路上加上电压，则IGBT就会损坏，为防止此类故障，应在栅极与发射极之间串接一只10KΩ左右的电阻。 在安装或更换IGBT模块时，应十分重视IGBT模块与散热片的接触面状态和拧紧程度。为了减少接触热阻，最好在散热器与IGBT模块间涂抹导热硅脂。一般散热片底部安装有散热风扇，当散热风扇损坏中散热片散热不良时将导致IGBT模块发热，而发生故障。因此对散热风扇应定期进行检查，一般在散热片上靠近IGBT模块的地方安装有温度感应器，当温度过高时将报警或停止IGBT模块工作。 1. 一般保存IGBT模块的场所，应保持常温常湿状态，不应偏离太大。常温的规定为5～35℃ ，常湿的规定在45～75%左右。在冬天特别干燥的地区，需用加湿机加湿; 2. 尽量远离有腐蚀性气体或灰尘较多的场合; 3. 在温度发生急剧变化的场所IGBT模块表面可能有结露水的现象，因此IGBT模块应放在温度变化较小的地方; 4. 保管时，须注意不要在IGBT模块上堆放重物; 5. 装IGBT模块的容器，应选用不带静电的容器。 6. 检测IGBT模块的的办法。

IGBT模块选择方法

选择 IGBT模块的电压规格与所使用装置的输入电源即试电电源电压紧密相关。其相互关系见下表。使用中当IGBT模块集电极电流增大时，所产生的额定损耗亦变大。同时，开关损耗增大，使原件发热加剧，因此，选用IGBT模块时额定电流应大于负载电流。特别是用作高频开关时，由于开关损耗增大，发热加剧，选用时应该降等使用。 测量 静态测量:把万用表放在乘100档,测量黑表笔接1端子、红表笔接2端子,显示电阻应为无穷大; 表笔对调,显示电阻应在400欧左右.用同样的方法,测量黑表笔接3端子、红表笔接1端子, 显示电阻应为无穷大;表笔对调,显示电阻应在400欧左右.若符合上述情况表明此IGBT的两个单元没有明显的故障. 动态测试: 把万用表的档位放在乘10K档,用黑表笔接4端子,红表笔接5端子,此时黑表笔接3端子红表笔接1端子, 此时电阻应为300-400欧,把表笔对调也有大约300-400欧的电阻表明此IGBT单元是完好的. 用同样的方法测试1、2端子间的IGBT,若符合上述的情况表明该IGBT也是完好的。将万用表拨在R×10KΩ挡，用黑表笔接IGBT 的漏极(D)，红表笔接IGBT 的源极(S)，此时万用表的指针指在无穷处。用手指同时触及一下栅极(G)和漏极(D)，这时IGBT 被触发导通，万用表的指针摆向阻值较小的方向，并能站住指示在某一位置。然后再用手指同时触及一下源极(S)和栅极(G)，这时IGBT 被阻断，万用表的指针回到无穷处。此时即可判断IGBT 是好的。注意:若进第二次测量时，应短接一下源极(S)和栅极(G)。任何指针式万用表皆可用于检测IGBT。注意判断IGBT 好坏时，一定要将万用表拨在R×10KΩ挡，因R×1K Ω挡以下各档万用表内部电池电压太低，检测好坏时不能使IGBT 导通，而无法判断IGBT 的好坏。

IGBT模块注意事项常见问题

IGBT模块与IGBT单管有什么不同

IGBT单管为一个N 沟道增强型绝缘栅双极晶体管结构， N+ 区称为源区，附于其上的电极称为源极。P+ 区称为漏区。器件的控制区为栅区，附于其上的电极称为栅极。沟道在紧靠栅区边界形成。在漏、源之间的P...
无线通信模块的注意事项

模块必须用信号调制才能正常工作，常见的固定码编码器件如PT2262/2272，只要直接连接即可，非常简单，因为是专用编码芯片，所以效果很好传输距离很远。模块还有一种重要的用途就是配合单片机来实现数据通...
如何检测变频器igbt模块的好坏

用万用表测量变频器IGBT模块好坏的具体步骤：为了人身安全，首先必须确保机器断电，并拆除电源线R 、S、T和输出线U、V、W后放可操作！(1)先把万用表打到“二级管”档，然后通过万用表的红色表笔和黑色...

igbt模块选择方法

igbt模块选择 IGBT模块的电压规格与所使用装置的输入电源即试电电源电压紧密相关。其相互关系见下表。使用中当IGBT模块集电极电流增大时，所产生的额定损耗亦变大。同时，开关损耗增大，使原件发热加剧，因此，选用IGBT模块时额定电流应大于负载电流。特别是用作高频开关时，由于开关损耗增大，发热加剧，选用时应该降等使用。 igbt模块测量 静态测量:把万用表放在乘100档,测量黑表笔接1端子、红表笔接2端子,显示电阻应为无穷大; 表笔对调,显示电阻应在400欧左右.用同样的方法,测量黑表笔接3端子、红表笔接1端子, 显示电阻应为无穷大;表笔对调,显示电阻应在400欧左右.若符合上述情况表明此IGBT的两个单元没有明显的故障.　动态测试: 把万用表的档位放在乘10K档,用黑表笔接4端子,红表笔接5端子,此时黑表笔接3端子红表笔接1端子, 此时电阻应为300-400欧,把表笔对调也有大约300-400欧的电阻表明此IGBT单元是完好的. 用同样的方法测试1、2端子间的IGBT,若符合上述的情况表明该IGBT也是完好的。　将万用表拨在R×10KΩ挡，用黑表笔接IGBT 的漏极(D)，红表笔接IGBT 的源极(S)，此时万用表的指针指在无穷处。用手指同时触及一下栅极(G)和漏极(D)，这时IGBT 被触发导通，万用表的指针摆向阻值较小的方向，并能站住指示在某一位置。然后再用手指同时触及一下源极(S)和栅极(G)，这时IGBT 被阻断，万用表的指针回到无穷处。此时即可判断IGBT 是好的。　注意：若进第二次测量时，应短接一下源极(S)和栅极(G)。　任何指针式万用表皆可用于检测IGBT。注意判断IGBT 好坏时，一定要将万用表拨在R×10KΩ挡，因R×1K Ω挡以下各档万用表内部电池电压太低，检测好坏时不能使IGBT 导通，而无法判断IGBT 的好坏。

igbt模块发展历史

1979年，MOS栅功率开关器件作为IGBT概念的先驱即已被介绍到世间。这种器件表现为一个类晶闸管的结构(P-N-P-N四层组成)，其特点是通过强碱湿法刻蚀工艺形成了V形槽栅。 80年代初期，用于功率MOSFET制造技术的DMOS(双扩散形成的金属-氧化物-半导体)工艺被采用到IGBT中来。[2]在那个时候，硅芯片的结构是一种较厚的NPT(非穿通)型设计。后来，通过采用PT(穿通)型结构的方法得到了在参数折衷方面的一个显著改进，这是随着硅片上外延的技术进步，以及采用对应给定阻断电压所设计的n 缓冲层而进展的[3]。几年当中，这种在采用PT设计的外延片上制备的DMOS平面栅结构，其设计规则从5微米先进到3微米。 90年代中期，沟槽栅结构又返回到一种新概念的IGBT，它是采用从大规模集成(LSI)工艺借鉴来的硅干法刻蚀技术实现的新刻蚀工艺，但仍然是穿通(PT)型芯片结构。[4]在这种沟槽结构中，实现了在通态电压和关断时间之间折衷的更重要的改进。 硅芯片的重直结构也得到了急剧的转变，先是采用非穿通(NPT)结构，继而变化成弱穿通(LPT)结构，这就使安全工作区(SOA)得到同表面栅结构演变类似的改善。 这次从穿通(PT)型技术先进到非穿通(NPT)型技术，是最基本的，也是很重大的概念变化。这就是：穿通(PT)技术会有比较高的载流子注入系数，而由于它要求对少数载流子寿命进行控制致使其输运效率变坏。另一方面，非穿通(NPT)技术则是基于不对少子寿命进行杀伤而有很好的输运效率，不过其载流子注入系数却比较低。进而言之，非穿通(NPT)技术又被软穿通(LPT)技术所代替，它类似于某些人所谓的“软穿通”(SPT)或“电场截止”(FS)型技术，这使得“成本—性能”的综合效果得到进一步改善。 1996年，CSTBT(载流子储存的沟槽栅双极晶体管)使第5代IGBT模块得以实现[6]，它采用了弱穿通(LPT)芯片结构，又采用了更先进的宽元胞间距的设计。包括一种“反向阻断型”(逆阻型)功能或一种“反向导通型”(逆导型)功能的IGBT器件的新概念正在进行研究，以求得进一步优化。 IGBT功率模块采用IC驱动，各种驱动保护电路，高性能IGBT芯片，新型封装技术，从复合功率模块PIM发展到智能功率模块IPM、电力电子积木PEBB、电力模块IPEM。PIM向高压大电流发展，其产品水平为1200—1800A/1800—3300V，IPM除用于变频调速外，600A/2000V的IPM已用于电力机车VVVF逆变器。平面低电感封装技术是大电流IGBT模块为有源器件的PEBB，用于舰艇上的导弹发射装置。IPEM采用共烧瓷片多芯片模块技术组装PEBB，大大降低电路接线电感，提高系统效率，现已开发成功第二代IPEM，其中所有的无源元件以埋层方式掩埋在衬底中。智能化、模块化成为IGBT发展热点。 大电流高电压的IGBT已模块化，它的驱动电路除上面介绍的由分立元件构成之外，已制造出集成化的IGBT专用驱动电路。其性能更好，整机的可靠性更高及体积更小。

IGBT模块简介

IGBT非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。图1所示为一个N 沟道增强型绝缘栅双极晶体管结构， N+ 区称为源区，附于其上的电极称为源极。N+ 区称为漏区。器件的控制区为栅区，附于其上的电极称为栅极。沟道在紧靠栅区边界形成。在漏、源之间的P 型区(包括P+ 和P 一区)(沟道在该区域形成)，称为亚沟道区( Subchannel region )。而在漏区另一侧的P+ 区称为漏注入区( Drain injector )，它是IGBT 特有的功能区，与漏区和亚沟道区一起形成PNP 双极晶体管，起发射极的作用，向漏极注入空穴，进行导电调制，以降低器件的通态电压。附于漏注入区上的电极称为漏极。 IGBT 的开关作用是通过加正向栅极电压形成沟道，给PNP 晶体管提供基极电流，使IGBT 导通。反之，加反向门极电压消除沟道，切断基极电流，使IGBT 关断。IGBT 的驱动方法和MOSFET 基本相同，只需控制输入极N一沟道MOSFET ，所以具有高输入阻抗特性。当MOSFET 的沟道形成后，从P+ 基极注入到N 一层的空穴(少子)，对N 一层进行电导调制，减小N 一层的电阻，使IGBT 在高电压时，也具有低的通态电压。

igbt模块简介

IGBT非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。

IGBT模块注意事项文献

勘察注意事项

勘察注意事项

勘察注意事项

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大小：15KB

页数： 8页

第一条现场勘察人员数量要求：为确保通信工程勘察中的人员及财产安全，勘察中要确保二人（不少于二人）以上为一勘察小组进行现场勘察。第二条工程设计人员在电力线附近勘察时应注意：如在通信线路附近有其他线条，在没有辩清其性质时，勘察中一律按电力线处理。电力线与电信线碰触或电力线落在地上时，应立即停止勘察，通知维护人员到现场排除事故。第三条工程设计人员在室外勘察时应注意个人防雷、防电：（一）遇雷雨、大雾天气，不应对室外高压设备进行查勘，如果必须进行查勘，应穿好绝缘靴。（二）室外勘察遇到雷雨天气时，应停止勘察，等雷雨过后再继续勘察；若无法避免时，要注意个人防雷。查勘时遇潮湿的地面、墙面、电气设备等处，应有防止触电的措施，如穿绝缘靴、避免人体触及墙面、设备等。（三）遇雷雨天气，不得靠近避雷器装置；切勿接触天线、水管、铁丝网、金属门窗、建筑物外墙，远离电线等带电设备或其他类似金属

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出国注意事项

出国注意事项

出国注意事项

格式：doc

大小：15KB

页数： 2页

如果你要出国合法的工作，无论要去哪个国家，那么既然要去工作，就一定要申请这个国家的工作签证。只有工作签证可以让你在这个国家合法工作。国内有许多“出国劳务中介公司”声称可以办理美国、加拿大、澳大利亚、新西兰、英国、瑞典、希腊以及其它发达国家的工作签证合法去打工。再看这些中介发布的工作内容大部分是一些普通而简单的工作，如：司机、包装工、农场工，装修工，服务员，超市理货员，收银员以及各类工人等等。这些中介承诺出国之后工资待遇很高。而中介收费往往是在前期就要收几万元，出国工作以后再从工资中扣除剩余的费用几万至十几万不等。甚至还承诺你工作几年之后可以移民。这样的事情大家听起来好像还不错，但事实是上述国家的工作签证基本上是办不下来的。因为发达国家原则上不需要外来的普通劳工，这样会影响本国就业的。所以发达国家的工作签证是有很严格的申请条件的，原则上是签发给高学历高技术的专业人士。

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IGBT功率模块igbt功率模块的特点

igbt功率模块是电压型控制，输入阻抗大，驱动功率小，控制电路简单，开关损耗小，通断速度快，工作频率高，元件容量大等优点。实质是个复合功率器件，它集双极型功率晶体管和功率mosfet的优点于一体化。又因先进的加工技术使它通态饱和电压低，开关频率高(可达20khz)，这两点非常显着的特性，最近西门子公司又推出低饱和压降(2.2v)的npt-igbt性能更佳，相继东芝、富士、ir,摩托罗拉亦己在开发研制新品种。

IGBT功率模块igbt功率模块的应用

igbt是先进的第三代功率模块，工作频率1-20khz,主要应用在变频器的主回路逆变器及一切逆变电路，即dc/ac变换中。例电动汽车、伺服控制器、ups、开关电源、斩波电源、无轨电车等。问世迄今有十年多历史，几乎己替代一切其它功率器件，例scr.gto,gtr,mosfet,双极型达林顿管等泪今功率可高达1mw的低频应用中，单个元件电压可达4.okv(pt结构)一6.5kv(npt结构)，电流可达1.5ka,是较为理想的功率模块。

IGBT功率模块特点

igbt功率模块是电压型控制，输入阻抗大，驱动功率小，控制电路简单，开关损耗小，通断速度快，工作频率高，元件容量大等优点。实质是个复合功率器件，它集双极型功率晶体管和功率mosfet的优点于一体化。又因先进的加工技术使它通态饱和电压低，开关频率高（可达20khz），这两点非常显着的特性，最近西门子公司又推出低饱和压降（2.2v）的npt-igbt性能更佳，相继东芝、富士、ir,摩托罗拉亦己在开发研制新品种。

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