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本书紧紧围绕开关稳压电源、功率因数校正(PFC)、同步整流和电机驱动(无极调速和变频调速)等方面应用最多和应用最广泛的单端输出式、双端输出式和多端输出式等三个常用系列的MOSFET/IGBT驱动器集成电路,除了简明介绍它们的电性能参数、管脚引线、外形封装和内部原理框图以外,还重点给出了它们在开关稳压电源、功率因数校正(PFC)、同步整流和电机驱动(无极调速和变频调速)等方面的典型应用电路。
第1章 单沟道式MOSFET/IGBT驱动器及应用
1.1 FAN3100
1.2 FAN7361/FAN7362
1.3 FAN7371
1.4 MAX5048
1.5 MAX5078
1.6 MAX5079
1.7 MAX8535/MAX8536/MAX8585
1.8 MAX15024/MAX15025
1.9 TD220/TD221
1.10 PM8800A
1.11 ISL6401
1.12 ISL6721
1.13 ISL6722A/ISL6723A
1.14 ISL6801
1.15 ISL6840 ~ ISL6845
1.16 ISL6840A ~ ISL6845A
1.17 IR1166S
1.18 IRlI67AS/IRI167BS
1.19 IR2117S/IR2118S
1.20 IR2121
1.21 IR2122
1.22 IR2125/IR2125S
1.23 IR2127(S)/IR2128(S)/IR21271(S)
1.24 IR20153S
1.25 IRS2117(S)/IRS2118(S)
1.26 IRS2127(S)/IRS2128(S)/IRS21271(S)/IRS21281(S)
1.27 IRS21851S
1.28 TPS2330/TPS2331
1.29 TPS2390/TPS2391
1.30 TPS2392/TPS2393
1.31 TPS2393A
1.32 TPS2398/TPS2399
1.33 TPS2400
1.34 TPS2410/TPS2411
1.35 TPS2412/TPS2413
1.36 TPS2490/TPS2491
1.37 TPS2816 ~TPS2819/TPS2828/TPS2829
1.38 TPS2816 - Q1 ~ TPS2819 - Q1/TPS2828 - Q1/TPS2829 - Q1
1.39 LM5112
1.40 SG6902
1.41 UC1705/UC2705/UC3705
1.42 UC1710/UC2710/UC3710
1.43 UC2914/UC3914
1.44 UC2913/UC3913
1.45 UCC2917/UCC3917
1.46 UCC2919/UCC3919
1.47 UCC1921/UCC2921/UCC3921
1.48 UCC27321/2, UCC37321/2
1.49 APM7077/A
1.50 APM7078
1.51 EL7104
1.52 EL7154
1.53 EL7155
1.54 EL7156
1.55 EL7158
1.56 EL7182
第2章 IGBT专用运动器及应用
2.1 EXB840/EXB841
2.2 EXB850/EXB851
2.3 M57959AL/M57959L
2.4 M57962AL/M57962L
2.5 IR2131/J/S
2.6 IR21141SS/IR22141SS
2.7 TD350
2.8 TD351
2 9 TD352
2.10 OM9401SF
2.11 OM9402SF
2.12 FAN7380
2.13 FAN7382
2.14 FAN7383
2.15 FAN7385
2.16 FAN7842
2.17 FAN73832
2.18 HIP2100
2.19 HIP2101
第3章 全桥式MOSFET/IGBT驱动器及应用
3.1 HIP4020
3.2 HIP4080A
3.3 HIP4081A
3.4 HIP4082
3.5 IR2086S
3.6 ISL83202
3.7 ISLSa204A
第4章 电机控制式MOSFET/IGBT驱动器及应用
4.1 HIP4083
4.2 HIP4086
4.3 IR2177S/IR22775
4.4 IR2238Q
4.5 IR21303C
4.6 IR2133/IR2135/J/S, IR2233/IR2235/J/S
4.7 IR21381Q/IR 2 2381Q
4.8 IR21771S/IR22771S
4.9 IRS2336D/IRS23364D
4.10 TD310
4.11 FAN7384
第5章 高速MOSFET/IGBT驱动器及应用
5.1 EL7457
5.2 ISL55110/ISL55111
5.3 MD1210
5.4 MD1211
5.5 MD1213
5.6 MDI810
5.7 MD1811
5.8 MD1812/MD1813
参考文献
定价:¥48.00
请问IGBT、GTO、GTR与MOSFET的驱动电路有什么特点
IGBT成为绝缘栅型场效应管 GTO 门极可关断晶闸管 GTR 巨型晶闸管 MOSFET 如果你采用的是王兆安的第五版的 那么书上的结论如下:1.GTO的驱动电路:分为脉冲变压器耦合式和直接耦合两种,...
数码管为7段,加上一个小点就是8段。 驱动这种电路需要8个开关电路,由单片机控制或单片机扩展芯片需要8位I/O。
IGBT综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。图1所示为一个N 沟道增强型绝缘栅双极...
电力电子器件知识讲座(十三) MOSFET及IGBT栅级专用驱动电路(二)
3IGBT栅极驱动电路的抗干扰措施栅极驱动电路的合理布局是很重要的。减少噪声,提高可靠性,提高抗干扰能力,在合理布局中都能得到体现。(1)驱动电路的连线尽可能短,一般推荐小于500mm,而且还需采用双绞线,绞线密度最好在每10mm长度绞两次,另外,还需正确放置驱动电路板或屏蔽驱动电路,以防止驱动电路,控制板与主电路的相互干扰。
电力电子器件知识讲座(十四) MOSFET及IGBT栅极专用驱动电路(三)
电力电子器件是半导体功率器件的总称,是构成电力电子设备的基础,是从事电力电子器件设计、研发、生产、营销和应用人员以及电源技术工作者应该熟悉的内容。本刊从去年4月份开始以"电力电子器件知识"为题开展讲座,以满足广大读者增长知识和用好这些器件的需求。欢迎厂家及用户的工程师们撰稿,并望提出宝贵意见。
MOSFET/IGBT驱动器集成电路应用集萃
作 者:王水平等编
出版社:中国电力出版社
出版时间:2010-1-1MOSFET/IGBT驱动器集成电路应用集萃
开 本:16开
ISBN:9787508387970
定价:¥48.00
第1章单沟道式MOSFET/IGBT驱动器及应用
1.1FAN3100
1.2FAN7361/FAN7362
1.3FAN7371
1.4MAX5048
1.5MAX5078
1.6MAX5079
1.7MAX8535/MAX8536/MAX8585
1.8MAX15024/MAX15025
1.9TD220/TD221
1.10PM8800A
1.11ISL6401
1.12ISL6721
1.13ISL6722A/ISL6723A
1.14ISL6801
1.15ISL6840~ISL6845
1.16ISL6840A~ISL6845A
1.17IR1166S
1.18IRlI67AS/IRI167BS
1.19IR2117S/IR2118S
1.20IR2121
1.21IR2122
1.22IR2125/IR2125S
1.23IR2127(S)/IR2128(S)/IR21271(S)
1.24IR20153S
1.25IRS2117(S)/IRS2118(S)
1.26IRS2127(S)/IRS2128(S)/IRS21271(S)/IRS21281(S)
1.27IRS21851S
1.28TPS2330/TPS2331
1.29TPS2390/TPS2391
1.30TPS2392/TPS2393
1.31TPS2393A
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1.33TPS2400
1.34TPS2410/TPS2411
1.35TPS2412/TPS2413
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1.56EL7182
第2章IGBT专用运动器及应用
2.1EXB840/EXB841
2.2EXB850/EXB851
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2.19HIP2101
第3章全桥式MOSFET/IGBT驱动器及应用
3.1HIP4020
3.2HIP4080A
3.3HIP4081A
3.4HIP4082
3.5IR2086S
3.6ISL83202
3.7ISLSa204A
第4章电机控制式MOSFET/IGBT驱动器及应用
4.1HIP4083
4.2HIP4086
4.3IR2177S/IR22775
4.4IR2238Q
4.5IR21303C
4.6IR2133/IR2135/J/S,IR2233/IR2235/J/S
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4.9IRS2336D/IRS23364D
4.10TD310
4.11FAN7384
第5章高速MOSFET/IGBT驱动器及应用
5.1EL7457
5.2ISL55110/ISL55111
5.3MD1210
5.4MD1211
5.5MD1213
5.6MDI810
5.7MD1811
5.8MD1812/MD1813
参考文献
1 确定igbt门极容量 在设计和选购igbt 驱动器之前,必须首先知道igbt 的门极负荷q,这是一个十分重要的参数,但在igbt 的技术参数中生产厂家一般并不直接给出,而需要我们借助其它参数得到。igbt 具有mosfet 的输入级,在igbt的技术资料中往往有一个参数ciss,一般我们把它叫作输入电容,该电容的测试往往是在ugs=0,uos=25v,f=1mhz 的情况下进行,由于密勒效应, 该值往往比在ugs= o v 时要小,根据实践经验,igbt 的输入电容一般满足下面的公式 cin≈5ciss 一般simens 和 eupec 公司的igbt 满足上述公式。 知道了igbt 的输入电容cin,门极的负荷可以由下面公式得到 q=∫oidt= cin △ u。 △ u 代表门极的驱动电压, 大多数的igbt 开通电压+15v,关断电压-5v,因而△u= 2 0 v , 如应用十分广泛的e x b 8 4 1 系列。高电压、大电流igbt 往往开通关断均为15v,因而△ u= 3 0 v 。 2 开关频率确定 开关频率的大小不仅影响系统的控制精度,而且影响系统的整体性能,如运行效率,噪声指标。开关频率是所有电力电子变换器的一个重要参数。 根据igbt 的门极容量,储存在igbt 输入电容中的能量可以计算得到 每个脉冲周期栅极充放电各一次,因而驱动一只igbt 的功率为: f 为开关频率。驱动器的平均输出电流iout可以这样得到: p=iout * △u 比较上面两式q=iout / f 驱动器的平均电流在数据文档可以找到,则igbt的最大允许开关频率可以得到: 。 3 门极驱动电阻rg的选取 igbt 的开关时间是由驱动器对igbt 的输入电容的充放电来控制, 增加门极输出电流,igbt 开通时间和关断时间会相应缩短,开关损耗也会降低, rg主要是用来限制门极输出的降值电流, rg可由下式确定: rg = △u / ipeak ipeak一般可以在驱动器数据文档中找到。有些情况下,充放电峰值电流不同,门极电阻可以分别选取。 4 igbt驱动器的比较选择 4.1 光电耦合和变压器耦合式比较 光电耦合隔离式采用直流电源,输出脉冲宽度可调。通过检测集电极电压实现过电流保护。具有使用方便稳定性好的优点。缺点是双侧均采用电源,电路复杂。比如exb841驱动器,光电耦合器输入与输出之间耐压一般较低为交流2500v,但实际使用中设备承受力不符合其条件,给使用带来限制。另外,一旦igbt 烧坏,驱动器受到损坏给维修带来不便且不经济。 变压器耦合隔离式不用专设的电源,线路简单, 输入输出间耐压高, 成本低、响应快.缺点是igbt 关断期间得不到持续的反向门极电压,抗干扰能力差,且输出脉冲宽度不可调,不能实现过电流保护,并且由于漏感的存在使绕组的绕制工艺复杂容易出现振荡。 4.2 igbt 驱动器选择 目前市场上可见的驱动器:光电耦合隔离驱动器有日本富士exb841,国内落木源电子ka101,日本英达hr065等。变压器隔离式驱动器有美国unitrode公司uc3724-3725系列,还有专用的用来驱动一个桥臂上2个igbt的美国ir公司的ir2110及国内落木源电子的kd303,还有德国西门子公司的skh121等。可供选用的范围很广,应用方便。但使用时应注意过电流问题, 比如exb841 系列驱动器,采用era34-10 型快速二极管, 导通电压为3v , 反向耐压采用与igbt 相同的等级.可以实现自身过电流保护,但若igbt 过电流对其寿命是有影响的。解决办法是: ①反串稳压管, 限制igbt 的电流为200a,使工作稳定可靠且电路简单;②采用电流传感器进行直接限流.上述几种驱动器由窄脉冲过电流无法限制,应采用别的措施,在此不一一论述。