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半导体电容-电压技术简介

半导体电容-电压技术简介

(1)对单边突变的p -n结,其势垒电容C与电压V之间的关系可表示为:1/C2 = 2( Vbi –V)/(qεNdA2 ),则可通过测量1/C2~V关系曲线的斜率和截距来求得n型一边的掺杂浓度Nd和结的内建电势Vbi 。对线性缓变结, 也可以通过测量1/C3~V关系曲线来求得Nd和Vbi 。

对于一般的p-n结或者金属-半导体接触,也可通过C-V曲线的测量来得到轻掺杂一边的杂质浓度的分布N(W) : N(W) = (2/qA2ε) [d(1/C2)/dV] 。

(2)对于MOS系统,通过其高频C-V特性曲线的测量(或者再加热测量)还可以得到其中的界面态和固定的与可动的电荷的数量;在MOS器件及其IC的制造过程中,C-V测量技术已经成为了一种常规的检测手段,用来监控工艺的质量。

此外,通过测量瞬态的C-V关系(例如深能级瞬态谱[DLTS]技术),还可以获得关于系统中界面态的信息。2100433B

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半导体电容-电压技术造价信息

  • 市场价
  • 信息价
  • 询价

智能电容

  • MJDTL-30GB/14
  • 13%
  • 重庆宇轩机电设备有限公司
  • 2022-12-08
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补偿器电容

  • YC-4,荧光灯用,配套支架及灯盘/4uf补
  • 13%
  • 杭州市江干区吉易照明电器经营部
  • 2022-12-08
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补偿器电容

  • YC-12,荧光灯用,配套支架及灯盘/12uf
  • 13%
  • 杭州市江干区吉易照明电器经营部
  • 2022-12-08
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4uf补偿器电容

  • YC-4,荧光灯用,配套支架及灯盘
  • 华艺
  • 13%
  • 中山市华艺灯饰照明股份有限公司福建经销商
  • 2022-12-08
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4uf补偿器电容

  • YC-4,荧光灯用,配套支架及灯盘
  • 13%
  • 海口圆月电磁荧光灯生产经营部
  • 2022-12-08
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荧光灯电容

  • 4.75mFb
  • 十个
  • 韶关市2010年2月信息价
  • 建筑工程
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荧光灯电容

  • 3.7mFb
  • 十个
  • 韶关市2009年10月信息价
  • 建筑工程
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荧光灯电容

  • 3.7mFb
  • 十个
  • 韶关市2009年6月信息价
  • 建筑工程
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荧光灯电容

  • 4.75mFb
  • 十个
  • 韶关市2009年6月信息价
  • 建筑工程
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荧光灯电容

  • 3.7mFb
  • 十个
  • 韶关市2009年4月信息价
  • 建筑工程
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半导体陶瓷

  • 将面板旋转到任一半导体上,旋转按钮缩小、放大,观察陶瓷.
  • 1项
  • 1
  • 中高档
  • 不含税费 | 含运费
  • 2022-10-24
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半导体陶瓷

  • 将面板旋转到任一半导体上,旋转按钮缩小、放大,观察陶瓷.
  • 1项
  • 1
  • 高档
  • 不含税费 | 含运费
  • 2022-09-14
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半导体陶瓷

  • 将面板旋转到任一半导体上,旋转按钮缩小、放大,观察陶瓷.
  • 1项
  • 1
  • 中高档
  • 不含税费 | 含运费
  • 2022-09-16
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半导体陶瓷

  • 将面板旋转到任一半导体上,旋转按钮缩小、放大,观察陶瓷.
  • 1项
  • 1
  • 中档
  • 不含税费 | 含运费
  • 2022-08-15
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电容电压转换面板

  • 电容电压转换面板(115KV母线)
  • 1台
  • 1
  • 高档
  • 含税费 | 不含运费
  • 2016-12-09
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半导体电容-电压技术简介常见问题

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半导体电容-电压技术简介文献

半导体特性 半导体特性

半导体特性

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页数: 2页

实用标准文案 精彩文档 建 平 县 职 业 教 育 中 心 备 课 教 案 课 题 模块(单元)第一章 项目(课) 半导体的主要特征 授课班级 11电子 授课教师 安森 授课类型 新授 授课时数 2 教学目标 知识目标 描述半导体的主要特征 能力目标 能够知道 P型半导体和 N型半导体的特点 情感态度目标 培养学生的学习兴趣,培养学生的爱岗敬业精神 教学核心 教学重点 半导体的主要特征 教学难点 P型半导体和 N型半导体的特点 思路概述 先讲解半导体的特点,再讲 P型半导体和 N型半导体的特点 教学方法 读书指导法、演示法。 教学工具 电脑,投影仪 教 学 过 程 一、组织教学:师生互相问候,安全教育,上实训课时一定要听从老师的指挥,在实训室不要乱动电源。 二、复习提问:生活中哪些电子元器件是利用半导体制作出来的? 三、导入新课: 我们的生活中根据导电能力的强弱可以分成哪几种, 这节课我

泰德半导体 泰德半导体

泰德半导体

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No. Type Vi Vo Fre Package Io ηmax OCP OTP SP 技术误 差 同类PIN对PIN产品型 号 适用产品范围 备注 1 TD1410 3.6~20 1.222~18 380KHz SOP-8 2A 95% Y ≤3% MPS1410/9141/ACT4060/A TC4012/FSP3126/ZA3020 等 便携式DVD、LCD显示驱动板。液晶显示器、液晶电视、数码相 框.电信ADSL.车载DVD/VCD/CD.GPS。安防等 TD1410采用CMOS工艺 /6寸晶圆。是一款高效率低损耗 ,工作稳定 ,性价比 很高使用面广的 DC/DC电源管理芯片。 3 TD1534 1~20 0.8~18 380KHz SOP8 2A 95% Y ≤2% MP1513 TD1513 路由器,便携式 DVD、机顶盒、平板电脑、笔记本电脑、 LCD显示 驱动板 .液晶

半导体电极电容简介

半导体电极电容sen}icnndu}tur electrode capacitance半 导体电极的电容等效于若干种电容的组合,相当于不间的储 电场所。其中包含溶液相的紧密双层电容,半导体空间电荷 层的电容和表面态的电容。测定半导体电极的电容和电势的 关系,可以确定半导体的导电类型、空Ib!电荷密度和固体表面 能级等特性。

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SMD电解电容标称电容量、额定电压

标称电容量、额定电压、额定纹波电流与外形尺寸对应表

Nominal capacitance, rated voltage, rated ripple current and case size table

uf

铝电解电容器的使用常识

1、直流电解电容只能使用在直流电路上,其极性必须标明在适当的位置或在导针/端子旁边。

2、在电路回路中如不清楚或不明确线路的极性时,则建议使用无极性电解容器。

3、电解电容器的工作环境温度不能超过规定的使用温度范围。

4、电解电容器应储存于低温及干燥场所,如储存期较长,则使用前应用额定电压对其重新老练。

5、通过电解电容器的纹波电流不应超过其充许范围,如超过了规定值,需选用耐大纹波电流的电解电容器。

6、使用时,电解电容器的工作电压不应超过其额定电压。

7、电烙铁等高温发热装置应与电解电容器塑料外壳保持适当的距离,以防止过热造成塑料套管破裂。

8、在焊接铝电解电容器时,其焊接时间和焊接温度不应超过10秒钟及260摄氏度。

9、对导针、端子,如施加超过规定的力,将会破坏电解电容器的内部结构。

容量及电压表:

0.47uf:(50V 63V)

1uf:(50V 63V 100V)

2.2uf:(50V 63V 100V)

3.3uf:(35V 50V 63V 100V)

4.7uf:(25V 35V 50V 63V 100V)

10uf:(16V 25V 35V 50V 63V 100V)

22uf:(6.3V 10V 16V 25V 35V 50V 63V 100V)

33uf:(6.3V 10V 16V 25V 35V 50V 63V 100V)

47uf:(6.3V 10V 16V 25V 35V 50V 63V 100V)

100uf:(6.3V 10V 16V 25V 35V 50V 63V)

150uf:(6.3V 10V 16V 25V 35V 50V)

220uf:(6.3V 10V 16V 25V 35V 50V)

330uf:(6.3V 10V 16V 25V 35V)

70uf:(6.3V 10V 16V 25V)

680uf:(6.3V 10V 16V)

1000uf:(6.3V 10V 16V)

1500uf:(6.3V)

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双电层电容电压

截至2011年,额定功率高达约5最大工作电压双电层电容器至五。

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