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半导体二极管主要参数

半导体二极管主要参数

二极管

★最大整流电流IF:指二极管长期工作,允许通过的最大直流电流。

★最高反向工作电压UR:指二极管正常使用允许加的最高反向电压。

稳压管:稳压二极管是一种硅材料制成的面接触型晶体二极管。当稳压管外加反向电压的数值大到一定程度时则击穿。

稳压管

★稳定电压UZ:UZ是在规定电流下稳压管的反向击穿电压。

★稳定电流IZ: IZ是稳压管工作在稳压状态时的参考电流。只要不超过稳压管的额定功率,电流愈大,稳压效果愈好。

★额定功耗PZM:PZM等于稳压管的稳定电压UZ与最大稳定电流IZM的乘积。稳压管超过此值时,会因结温升高而损坏。

★动态电阻rZ:rZ为稳压管工作在稳压区时,稳压管电压的变化量与电流变化量之比,即 。rZ愈小,电流变化时UZ的变化愈小,稳压性能愈好。

★温度系数 : 表示温度每变化1°C稳压值的变化量,即 = 。

限流电阻:稳压管电路中必须串联一个电阻来限制电流,从而保证稳压管正常工作,故称这个电阻为限流电阻。

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半导体二极管造价信息

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二极管

  • ZP(2CZ) 螺旋式 10A 2000V
  • 13%
  • 正泰电气股份有限公司
  • 2022-12-06
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二极管

  • ZP(2CZ) 螺旋式 5A 600V
  • 13%
  • 正泰电气股份有限公司
  • 2022-12-06
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二极管

  • ZP(2CZ) 螺旋式 500A 1000V
  • 13%
  • 正泰电气股份有限公司
  • 2022-12-06
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二极管

  • ZP(2CZ) 螺旋式 100A 1000V
  • 13%
  • 正泰电气股份有限公司
  • 2022-12-06
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二极管

  • ZP(2CZ) 螺旋式 10A 2000V
  • 13%
  • 宁夏西北正泰电气有限公司
  • 2022-12-06
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半导体量子阱日光灯

  • DLZ-012(12W/220V)
  • 珠海市2008年4月信息价
  • 建筑工程
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半导体量子阱日光灯

  • DLZ-012(12W/220V)
  • 珠海市2008年3月信息价
  • 建筑工程
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发光二极管灯芯片

  • LBD全绿
  • 珠海市2015年7月信息价
  • 建筑工程
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发光二极管灯芯片

  • LBD全红
  • 珠海市2015年7月信息价
  • 建筑工程
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发光二极管灯芯片

  • LBD全黄
  • 珠海市2015年7月信息价
  • 建筑工程
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LED发光二极管

  • 发光二极管
  • 1100个
  • 1
  • 恒锐
  • 中档
  • 不含税费 | 含运费
  • 2015-03-29
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86寸会议一体机主要参数

  • (1)超薄窄边框设计,整机屏占比≥88%以上,整机最薄处≤24mm,为保证整机一性,内 置天线设计,整机包括模块无外伸天线.整机内置正面上居中 1080P 1200 万像素及以上高 清摄像头,内置
  • 1套
  • 3
  • /
  • 中高档
  • 不含税费 | 含运费
  • 2022-08-31
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发光二极管

  • 型号 F5 材料 硅(Si) 频发光颜色 黄色最高反向电压 3.0-3.2(V)
  • 6595pcs
  • 4
  • 中档
  • 含税费 | 含运费
  • 2015-12-07
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发光二极管

  • 5050SMD LED Strip RGB
  • 9697支
  • 4
  • 启明
  • 中档
  • 不含税费 | 不含运费
  • 2015-09-23
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发光二极管

  • 5050SMD LED Strip 绿光
  • 7338支
  • 4
  • 启明
  • 中档
  • 含税费 | 不含运费
  • 2015-09-16
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半导体二极管分类特征

按材料分有锗、硅或砷化镓;按结构分有点接触、pn结、pin、肖特基势垒、异质结;按原理分有隧道、变容、雪崩和阶跃恢复等。主要用于检波、混频、参量放大、开关、稳压、整流等。光通信发展后,出现发光、光电、雪崩光电、pin光电、半导体激光等二极管。

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半导体二极管性能

半导体二极管

二极管的伏安特性 阳极:由P区引出的电极为阳极。

阴极:由N区引出的电极为阴极。

点接触型二极管,通过的电流小,结电容小,适用于高频电路和开关电路。

面接触型二极管,结面积大,电流大,结电容大,适用于低频整流电路。

平面型二极管,结面积较大时可以通过较大电流,适用于大功率整流,结面积较小时,可作为数字电路中的开关管。

开启电压Uon :使二极管开始导通的临界电压称为开启电压Uon。

反向电流:当二极管所加反向电压的数值足够大时,产生反向电流为IS。

在环境温度升高时,二极管的正向特性曲线将左移,反向特性曲线下。如图所示。

温度每升高1°C,正向压降减小2~2.5mV;温度每升高10°C,反向电流约增大一倍。

结论:二极管对温度很敏感。

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半导体二极管主要参数常见问题

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半导体二极管其它类型

★发光二极管

发光二极管具有单向导电性。只有当外加的正向电压使得正向电流足够大时才发光,正向电流愈大,发光愈强。

★光电二极管

光电二极管是远红外线接收管,是一种光能与电能进行转换的器件。

光电二极管的工作原理:它是利用PN结外加反向电压时,在光线照射下,改变反向电流和反向电阻,当没有光照射时,反向电流很小,反向电阻很大;当有光照射时,反向电阻减小,反向电流加大。

暗电流:光电二极管在无光照射时的反向电流称为暗电流。

明电流:有光照射时的电流称为明电流。

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半导体二极管识别方法

a、目视法判断半导体二极管的极性:一般在实物的电路图中可以通过眼睛直接看出半导体二极管的正负极.在实物中如果看到一端有颜色标示的是负极,另外一端是正极.

b、用万用表(指针表)判断半导体二极管的极性:通常选用万用表的欧姆档(R﹡100或R﹡1K),然后分别用万用表的两表笔分别出接到二极管的两个极上出,当二极管导通,测的阻值较小(一般几十欧姆至几千欧姆之间),这时黑表笔接的是二极管的正极,红表笔接的是二极管的负极.当测的阻值很大(一般为几百至几千欧姆),这时黑表笔接的是二极管的负极,红表笔接的是二极管的正极.

c、测试注意事项:用数字式万用表去测二极管时,红表笔接二极管的正极,黑表笔接二极管的负极,此时测得的阻值才是二极管的正向导通阻值,这与指针式万用表的表笔接法刚好相反。

变容二极管是根据普通二极管内部 "PN结" 的结电容能随外加反向电压的变化而变化这一原理专门设计出来的一种特殊二极管。变容二极管在无绳电话机中主要用在手机或座机的高频调制电路上,实现低频信号调制到高频信号上,并发射出去。在工作状态,变容二极管调制电压一般加到负极上,使变容二极管的内部结电容容量随调制电压的变化而变化。

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半导体二极管参数符号

半导体二极管参数符号解释

CT---势垒电容

Cj---结(极间)电容, 表示在二极管两端加规定偏压下,锗检波二极管的总电容

Cjv---偏压结电容

Co---零偏压电容

Cjo---零偏压结电容

Cjo/Cjn---结电容变化

Cs---管壳电容或封装电容

Ct---总电容

CTV---电压温度系数。在测试电流下,稳定电压的相对变化与环境温度的绝对变化之比

CTC---电容温度系数

Cvn---标称电容

IF---正向直流电流(正向测试电流)。锗检波二极管在规定的正向电压VF下,通过极间的电流;硅整流 管、硅堆在规定的使用条件下,在正弦半波中允许连续通过的最大工作电流(平均值),硅开关二极管在额定功率下允许通过的最大正向直流电流;测稳压二极管正向电参数时给定的电流

IF(AV)---正向平均电流

IFM(IM)---正向峰值电流(正向最大电流)。在额定功率下,允许通过二极管的最大正向脉冲电流。发光二极管极限电流。

IH---恒定电流、维持电流。

Ii--- 发光二极管起辉电流

IFRM---正向重复峰值电流

IFSM---正向不重复峰值电流(浪涌电流)

Io---整流电流。在特定线路中规定频率和规定电压条件下所通过的工作电流

IF(ov)---正向过载电流

IL---光电流或稳流二极管极限电流

ID---暗电流

IB2---单结晶体管中的基极调制电流

IEM---发射极峰值电流

IEB10---双基极单结晶体管中发射极与第一基极间反向电流

IEB20---双基极单结晶体管中发射极向电流

ICM---最大输出平均电流

IFMP---正向脉冲电流

IP---峰点电流

IV---谷点电流

IGT---晶闸管控制极触发电流

IGD---晶闸管控制极不触发电流

IGFM---控制极正向峰值电流

IR(AV)---反向平均电流

IR(In)---反向直流电流(反向漏电流)。在测反向特性时,给定的反向电流;硅堆在正弦半波电阻性负载电路中,加反向电压规定值时,所通过的电流;硅开关二极管两端加反向工作电压VR时所通过的电流;稳压二极管在反向电压下,产生的漏电流;整流管在正弦半波最高反向工作电压下的漏电流。

IRM---反向峰值电流

IRR---晶闸管反向重复平均电流

IDR---晶闸管断态平均重复电流

IRRM---反向重复峰值电流

IRSM---反向不重复峰值电流(反向浪涌电流)

Irp---反向恢复电流

Iz---稳定电压电流(反向测试电流)。测试反向电参数时,给定的反向电流

Izk---稳压管膝点电流

IOM---最大正向(整流)电流。在规定条件下,能承受的正向最大瞬时电流;在电阻性负荷的正弦半波整流电路中允许连续通过锗检波二极管的最大工作电流

IZSM---稳压二极管浪涌电流

IZM---最大稳压电流。在最大耗散功率下稳压二极管允许通过的电流

iF---正向总瞬时电流

iR---反向总瞬时电流

ir---反向恢复电流

Iop---工作电流

Is---稳流二极管稳定电流

f---频率

n---电容变化指数;电容比

Q---优值(品质因素)

δvz---稳压管电压漂移

di/dt---通态电流临界上升率

dv/dt---通态电压临界上升率

PB---承受脉冲烧毁功率

PFT(AV)---正向导通平均耗散功率

PFTM---正向峰值耗散功率

PFT---正向导通总瞬时耗散功率

Pd---耗散功率

PG---门极平均功率

PGM---门极峰值功率

PC---控制极平均功率或集电极耗散功率

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半导体二极管主要参数文献

噶米晶体二极管的分类根据构造分类半导体二极管主要是依靠PN结而工作 (2) 噶米晶体二极管的分类根据构造分类半导体二极管主要是依靠PN结而工作 (2)

噶米晶体二极管的分类根据构造分类半导体二极管主要是依靠PN结而工作 (2)

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晶体二极管的分类 一、根据构造分类 半导体二极管主要是依靠 PN结而工作的。与 PN结不可分割的点接触型和 肖特基型,也被列入一般的二极管的范围内。 包括这两种型号在内, 根据 PN结构造面的特点, 把晶体二极管分类如下: 1 、点接触型二极管 点接触型二极管是在锗或硅材料的单晶片上压触一根金属针后,再通过电 流法而形成的。因此,其 PN结的静电容量小,适用于高频电路。但是,与面结型相比较,点 接触型二极管正向特性和反向特性都差,因此,不能使用于大电流和整流。因为构造简单, 所以价格便宜。对于小信号的检波、整流、调制、混频和限幅等一般用途而言,它是应用范 围较广的类型。 2 、键型二极管 键型二极管是在锗或硅的单晶片上熔接或银的细丝而形成的。其特性介于 点接触型二极管和合金型二极管之间。 与点接触型相比较, 虽然键型二极管的 PN结电容量

噶米晶体二极管的分类根据构造分类半导体二极管主要是依靠PN结而工作 噶米晶体二极管的分类根据构造分类半导体二极管主要是依靠PN结而工作

噶米晶体二极管的分类根据构造分类半导体二极管主要是依靠PN结而工作

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晶体二极管的分类 一、根据构造分类 半导体二极管主要是依靠 PN结而工作的。与 PN结不可分割的点接触型和 肖特基型,也被列入一般的二极管的范围内。 包括这两种型号在内, 根据 PN结构造面的特点, 把晶体二极管分类如下: 1 、点接触型二极管 点接触型二极管是在锗或硅材料的单晶片上压触一根金属针后,再通过电 流法而形成的。因此,其 PN结的静电容量小,适用于高频电路。但是,与面结型相比较,点 接触型二极管正向特性和反向特性都差,因此,不能使用于大电流和整流。因为构造简单, 所以价格便宜。对于小信号的检波、整流、调制、混频和限幅等一般用途而言,它是应用范 围较广的类型。 2 、键型二极管 键型二极管是在锗或硅的单晶片上熔接或银的细丝而形成的。其特性介于 点接触型二极管和合金型二极管之间。 与点接触型相比较, 虽然键型二极管的 PN结电容量

电工学简明教程导教·导学·导考第9章 半导体二极管和晶体管

9.1重点内容提要

9.2重点知识结构图

9.3考点及常见题型精解

9.4练习与思考题解答

9.5课后习题全解

9.6学习效果测试及答案

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模拟电子技术基础第3版图书目录

第2版前言

第1版前言

关于本书所用部分文字、图形符号的说明

电子电路和系统的介绍——本书的内容和安排

第1章 半导体器件

1.1 半导体的基础知识

1.1.1 本征半导体

1.1.2 杂质半导体

1.1.3 PN结及其特性

1.2 半导体二极管

1.2.1 半导体二极管的结构和类型

1.2.2 半导体二极管的伏安特性

1.2.3 半导体二极管的参数

1.2.4 半导体二极管的型号及选择

1.2.5 半导体二极管的模型(或等效电路)

1.2.6 半导体二极管应用举例

1.2.7 稳压管

1.3 双极型晶体二极管

1.3.1 晶体管的结构

1.3.2 晶体管中的电流控制作用

1.3.3 共射接法晶体管的特性曲线

1.3.4 晶体管的主要参数及安全工作区

1.3.5 晶体管的类型、型号及选用原则

1.4 场效应晶体三极管(场效应管FET)

1.4.1 结型场效应管

1.4.2 绝缘栅场效应管

1.4.3 场效应管的主要参数

1.4.4 场效应管与双极型晶体管的比较

1.5 集成电路

*1.5.1 集成电路的制造工艺

1.5.2 集成电路的特点

习题

第2章 基本放大电路

2.1 晶体管放大电路的组成及其工作原理

2.1.1 放大的概念及放大电路的组成条件

2.1.2 共射基本放大电路的组成及其工作原理

2.2 图解分析法

2.2.1 静态工作情况分析

2.2.2 动态工作情况分析

2.2.3 静态工作点的选择

2.3 微变等效电路分析法

2.3.1 晶体管的低频小信号模型及其参数

2.3.2 用晶体管的微变等效模型分析共射基本放大电路

2.3.3 两种分析方法的比较与应用

2.4 其他基本放大电路

2.4.1 分压式偏置稳定共射放大电路

2.4.2 晶体管共集放大电路(射极输出器)

2.4.3 晶体管共基放大电路

2.4.4 三种BJT基本放大电路的比较及应用

2.5 场效应管放大电路

2.5.1 场效应管放大电路的直流偏置及静态分析

2.5.2 用微变等效电路分析场效应管放大电路的动态

2.6 组合放大单元电路

2.6.1 共集-共射电路

2.6.2 共集-共集电路

2.6.3 共射-共基电路

习题

附录 密勒定理

第3章 多级放大电路和集成电路运算放大器

3.1 多级放大电路的一般问题

3.1.1 级间耦合问题

3.1.2 多级放大电路的分析

3.2 差动放大电路

3.2.1 电路的组成及抑制零点漂移的原理

3.2.2 射极耦合差动放大电路的静态分析

3.2.3 射极耦合差动放大电路的动态分析

3.2.4 输入和输出的四种接法及其性能比较

3.2.5 带射极恒流源的差动放大电路

3.3 集成电路运算放大器

3.3.1 集成运放的组成

3.3.2 电流源电路

3.3.3 典型集成运放电路

3.3.4 集成运放的主要技术指标

3.3.5 集成运放的发展概况

习题

第4章 放大电路的频率响应

4.1 频率响应的基本概念和波特图

4.1.1 频率响应的基本概念

4.1.2 RC低通电路的频率响应

4.1.3 RC高通电路的频率响应

4.2 基本放大电路的高频响应

4.2.1 放大电路频率响应的研究方法

4.2.2 晶体管的高频物理模型——混合参数π形等效电路

4.2.3 晶体管共射电流放大系数β的频率响应

4.2.4 共基接法晶体管和场效应管的高频小信号模型

4.2.5 基本放大电路的高频响应

4.3 基本放大电路的完整的频率响应

4.3.1 基本放大电路的低频响应

4.3.2 完整的单管共射放大电路的频率特性

4.3.3 放大电路频率响应的发送和增益带宽积

4.4 多级放大电路的频率响应

4.4.1 多级放大电路的频率响应表达式和波特图

4.4.2 多级放大电路下限截止频率L的估算

4.4.3 多级放大电路上限截止频率H的估算

习题

第5章 反馈

5.1 反馈的基本概念和类型

5.1.1 反馈的基本概念

5.1.2 反馈的类型及判别

5.2 反馈放大电路的框图表示法

5.2.1 反馈放大电路的框图

5.2.2 框图中各个量的含义及量纲

5.2.3 闭环增益Af及其一般表达式

5.2.4 反馈深度│1 AF│

5.3 负反馈对放大电路性能的影响

5.3.1 提高闭环增益Af的稳定性

5.3.2 展宽通频带,减小频率失真

5.3.3 减小非线性失真和抑制干扰及噪声

5.3.4 负反馈对放大电路输入电阻和输出电阻的影响

5.4 负反馈的正确引入

5.5 负反馈放大电路的分析计算

5.5.1 深度负反馈放大电路的本质特点

5.5.2 深度负反馈放大电路的近似计算

*5.5.3 负反馈放大电路的框图分析法

5.6 自激振荡及其消除

5.6.1 产生自激振荡的原因

5.6.2 产生自激振荡的条件

5.6.3 反馈放大电路的稳定性和自激振荡的消除

习题

第6章 集成电路运算放大器的线性应用

6.1 一般问题

6.1.1 应用分类

6.1.2 集成运放应用电路的分析方法

6.1.3 集成运放应用中的实际问题

6.2 基本运算电路

6.2.1 运算电路中集成运放的输入情况

6.2.2 比例运算电路

6.2.3 加法和减法运算电路

6.2.4 反相输入运算电路的组成规律

6.2.5 积分和微分运算电路

6.3 对数和指数运算电路

6.3.1 对数运算电路

6.3.2 指数运算电路

6.4 乘法和除法运算电路

6.4.1 模拟乘法电路(模拟乘法器)的基本概念

6.4.2 利用对数和指数电路的乘法电路

6.4.3 模拟乘法电路的应用

6.4.4 模拟乘法电路的应用

6.4.5 除法运算电路(模拟除法器)

6.5 有源滤波电路

6.5.1 滤波电路的功能

6.5.2 滤波电路的频率特性、分类和主要参数

6.5.3 有源滤波电路及其分析方法

6.5.4 有源滤波电路举例

习题

第7章 波形发生电路和集成运放的非线性应用

7.1 正弦波发生电路的自激条件和一般问题

7.1.1 产生正弦波振荡的条件

7.1.2 正弦波发生电路的组成部分和分析方法

7.2 RC正弦波发生电路

7.2.1 RC串、关联电路的选频特性

7.2.2 RC桥式正弦波发生电路

7.2.3 RC移相式正弦波发生电路

7.2.4 双T选频网络正弦波发生电路

7.3 LC正弦波发生电路

7.3.1 LC谐振回路的选频特性

7.3.2 变压器耦合式LC正弦波发生电路

7.3.3 LC三点式正弦波发生电路

7.3.4 石英晶体振荡电路

7.4 比较电路和非正弦波发生电路

7.4.1 电压比较电路

7.4.2 用电压比较电路组成的非正弦波发生电路

*7.5 压控振荡器

习题

第8章 功率放大电路

8.1 功率放大电路概述

8.2 单管甲类功率放大电路

8.3.1 乙类互补对称功率放大电路

8.3.2 甲乙类互补对称功率放大电路

8.3.3 功率放大电路中功率管的选择

8.4 实际的功率放大电路

8.4.1 OCL准互补功率放大电路

8.4.2 采用集成运放的OCL准互补功率放大电路

8.4.3 单电源供电的OTL功率放大电路

8.4.4 集成功率放大电路

习题

第9章 直流电源

9.1 整流电路

9.1.1 整流电路的技术指标

9.1.2 单相半波整流电路

9.1.3 单相桥式整流电路

9.2 滤波电路

9.2.1 电容滤波电路

9.2.2 电感电容滤波(LC滤波)

9.2.3 π形滤波电路

9.2.4 RC有源滤波电路

9.3 倍压整流电路

9.3.1 二倍压整流电路

9.3.2 多倍压整流电路

9.4 稳压电路

9.4.1 稳压电路的功能和性能指标

9.4.2 稳压管稳压电路

9.4.3 线性串联型稳压电源

9.4.4 开关式串联型稳压电源

9.4.5 稳压电路的保护措施

9.4.6 集成稳压电路及其应用

9.4.7 无工频变压器开关稳压电源

9.4.8 IBM-PC微机中的直流稳压电源

习题

第10章 调制和解调

10.1 调制和解调的一般概念

10.1.1 调制和解调的重要性

10.1.2 调制的方式

10.1.3 调制和解调的应用举例

10.2 幅度调制和解调

10.2.1 调幅原理

10.2.2 调幅波中的功率关系

10.2.3 调幅电路

10.2.4 检波原理

10.2.5 检波电路

10.3 角度调制和解调

10.3.1 调频调相的基本原理

10.3.2 调频调相的实现

10.3.3 角度调制的解调

10.4 脉冲调制

10.4.1 脉冲幅度调制(PAM)

10.4.2 脉冲宽度调制(PWM)

10.4.3 脉冲位置调制(PPW)

10.4.4 脉冲编码调制(PCM)

10.5 锁相环(PLL)

10.5.1 锁相环的基本工作原理

10.5.2 锁相环应用简介

习题

部分习题参考答案

主要参考文献

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电工学下册:电子技术目录

前言

第1章 常用的半导体器件

1.1 半导体的基础知识

1.1.1 本征半导体

1.1.2 杂质半导体

1.1.3 PN结的形成及其单向导电性

1.2 半导体二极管

1.2.1 半导体二极管的基本结构

1.2.2 半导体二极管的伏安特性

1.2.3 二极管的主要参数

1.2.4 二极管的应用举例

1.2.5 特殊的半导体二极管

1.3 晶体三极管

1.3.1 晶体管的结构

1.3.2 晶体管的电流分配和放大原理

1.3.3 晶体管的伏安特性曲线

1.3.4 晶体管的主要参数

1.3.5 晶体管的小信号模型

1.4 场效应晶体管

1.4.1 绝缘栅型场效应晶体管的基本结构和工作原理

1.4.2 绝缘栅场效应晶体管的主要参数

1.4.3 绝缘栅场效应晶体管简化的小信号模型

1.4.4 绝缘栅场效应晶体管与普通晶体管的比较及使用注意事项

1.5 晶闸管

1.5.1 晶闸管的基本结构

1.5.2 晶闸管的工作原理

1.5.3 晶闸管的伏安特性

1.5.4 晶闸管的主要参数

1.5.5 晶闸管的测试与使用

习题

第2章 基本放大电路

2.1 概述

2.1.1 基本放大电路的组成

2.1.2 基本放大电路的工作原理

2.1.3 基本放大电路主要的动态性能指标

2.2 基本放大电路的分析

2.2.1 放大电路的直流通路与交流通路

2.2.2 基本放大电路的静态分析

2.2.3 基本放大电路的动态分析

2.3 常用的基本放大电路

2.3.1 分压式偏置电路

2.3.2 射极输出器

2.4 场效应晶体管放大电路

2.4.1 共源极放大电路的静态分析

2.4.2 共源极放大电路的动态分析

2.5 放大电路的频率特性

2.6 多级放大电路

2.6.1 多级放大电路的耦合方式

2.6.2 多级放大电路的分析

2.7 差动放大电路

2.7.1 零点漂移

2.7.2 差动放大电路的电路结构

2.7.3 差动放大电路抑制零漂的原理

2.7.4 差动放大电路的输入信号及输入和输出方式

2.8 功率放大电路

2.8.1 功率放大电路的特点

2.8.2 互补对称功率放大电路

习题

第3章 集成运算放大器

3.1 集成运算放大器概述

3.1.1 集成运算放大器的组成

3.1.2 集成运算放大器的主要参数

3.1.3 集成运算放大器的电压传输特性

3.1.4 理想集成运算放大器及其分析依据

3.2 放大电路中的负反馈

3.2.1 反馈的概念

3.2.2 负反馈的类型及其判断

3.2.3 负反馈对放大电路性能的影响

3.3 运算放大器的应用

3.3.1 集成运算放大器在信号运算方面的应用

3.3.2 集成运算放大器在信号处理

方面的应用

3.3.3 RC正弦波振荡电路

3.3.4 电压比较器

3.4 使用集成运算放大器应注意的问题

习题

第4章 直流稳压电源

4.1 整流电路

4.1.1 单相半波整流电路

4.1.2 单相桥式整流电路

4.2 滤波电路

4.2.1 电容滤波器

4.2.2 电感滤波器

4.2.3 复式滤波器

4.3 稳压电路

4.3.1 稳压管稳压电路

4.3.2 恒压源

4.3.3 串联型稳压电路

4.3.4 集成稳压电源

4.4 单相可控整流电路

4.4.1 单相半波可控整流电路

4.4.2 单相半控桥式整流电路习题

第5章 逻辑代数初步和基本逻辑门电路

5.1 逻辑代数的基本知识

5.1.1 数制和码制

5.1.2 逻辑代数中的基本和常用的逻辑运算

5.1.3 逻辑代数中的基本公式和基本定理

5.1.4 逻辑函数表示方法

5.1.5 逻辑函数的化简

5.2 集成逻辑门电路

5.2.1 TTL逻辑门电路

5.2.2 TTL“与非”门的技术参数

5.2.3 集电极开路TTL门

5.2.4 三态输出门

5.3 CMOS数字集成电路简介

习题

第6章 组合逻辑电路

6.1 组合逻辑电路的分析和设计方法

6.1.1 组合逻辑电路的分析方法

6.1.2 组合逻辑电路的设计方法

6.2 加法器

6.2.1 加法器的电路结构和工作原理

6.2.2 多位加法电路

6.2.3 标准MSI加法器74LS82、74LS283

6.3 编码器

6.3.1 二进制编码器

6.3.2 优先编码器

6.4 译码器

6.4.1 二进制译码器

6.4.2 标准译码器74LS138、74LS42电路分析

6.4.3 二-十进制译码器

6.4.4 数字显示译码器

6.5 数据选择器和数据分配器

6.5.1 数据选择器

6.5.2 数据分配器

习题

第7章 时序逻辑电路

7.1 双稳态触发器

7.1.1 RS触发器

7.1.2 JK触发器

7.1.3 D触发器

7.1.4 触发器逻辑功能的转换

7.2 时序逻辑电路的分析

7.3 寄存器

7.3.1 数码寄存器

7.3.2 移位寄存器

7.4 计数器

7.4.1 同步二进制加法计数器

7.4.2 同步十进制加法计数器

7.4.3 集成计数器

习题

第8章 存储器与可编程逻辑器件

8.1 存储器概述

8.2 只读存储器

8.2.1 只读存储器的组成

8.2.2 只读存储器的内部结构

8.2.3 ROM应用举例

8.2.4 各种ROM存储单元

8.2.5 实际的ROM 存储器

8.3 随机存储器

8.3.1 随机存储器的组成

8.3.2 各种RAM存储单元电路

8.3.3 存储器芯片的扩展

8.3.4 常用的随机存储器

习题

部分习题参考答案附录

附录A 半导体分立器件型号命名方法

附录B 半导体集成电路型号命名方法

附录C 部分半导体分立器件的参数

附录D 常用模拟集成电路的参数和符号

附录E 常用数字集成电路功能和外引线排列

参考文献 2100433B

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