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半导体硅材料基础

《半导体硅材料基础》是2009年07月化学工业出版社出版的图书，作者是尹建华。

半导体硅材料基础基本信息

书名半导体硅材料基础
作者尹建华
出版社化学工业出版社
出版时间2009年07月
定价29 元
开本16 开
ISBN9787122055231

半导体硅材料基础目录

第1章概论1 11硅材料工业的发展1 12半导体市场及发展2 13中国扩建新建多晶硅厂应注意的问题3 本章小结5 习题5 第2章半导体材料基本性质6 21半导体材料的分类及性质6 22硅的物理化学性质8 23硅材料的纯度及多晶硅标准10 本章小结11 习题12 第3章晶体几何学基础13 31晶体结构13 32晶向指数16 33晶面指数16 34立方晶体17 35金刚石和硅晶体结构19 36倒格子22 本章小结22 习题23 第4章晶体缺陷24 41点缺陷24 42线缺陷26 43面缺陷30 44体缺陷31 本章小结32 习题32 第5章能带理论基础33 51能带理论的引入33 52半导体中的载流子35 53杂质能级36 54缺陷能级38 55直接能隙与间接能隙38 56热平衡下的载流子39 本章小结45 习题45 第6章pn结46 61pn结的形成46 62pn结的制备47 63pn结的能带结构48 64pn结的特性49 本章小结50 习题50 第7章金属半导体接触和MIS结构51 71金属半导体接触51 72欧姆接触55 73金属绝缘层半导体结构(MIS)56 本章小结57 习题57 第8章多晶硅材料的制取58 81冶金级硅材料的制取58 82高纯多晶硅的制取59 83太阳能级多晶硅的制取61 本章小结62 习题62 第9章单晶硅的制备63 91结晶学基础63 92晶核的形成65 93区熔法69 94直拉法72 95杂质分凝和氧污染80 96直拉硅中的碳85 97直拉硅中的金属杂质86 98磁拉法(MCz)89 99CCz法(连续加料法)93 本章小结96 习题97 第10章其他形态的硅材料98 101铸造多晶硅98 102带状硅材料110 103非晶硅薄膜112 104多晶硅薄膜116 本章小结118 习题119 第11章化合物半导体材料120 111化合物半导体材料特性120 112砷化镓(GaAs)122 本章小结131 习题131 第12章硅材料的加工132 121切去头尾132 122外径滚磨133 123磨定位面(槽)134 124切片136 125倒角(或称圆边)139 126研磨140 127腐蚀142 128抛光144 129清洗148 本章小结150 习题151 附录152 附录1常用物理量152 附录2一些杂质元素在硅中的平衡分凝系数、溶解度152 参考文献153

半导体硅材料基础造价信息

市场价
信息价
询价

硅PU球场材料

规格型号：
8mm硅PU球场材料;包含施工现场综合价
价格行情：
材料单位：
m²
材料品牌：
绣林康体
材料税率：
13%
供应商：
广州市绣林康体设备有限公司
报价时间：
2022-12-07

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半导体指纹头

规格型号：
品种:指纹锁;说明:标配换半导体;
价格行情：
材料单位：
个
材料品牌：
豪力士
材料税率：
13%
供应商：
杭州紫辰智能科技有限公司
报价时间：
2022-12-07

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基础梁

规格型号：
品种:基础梁;规格型号:C30商砼;类别:土建工程;
价格行情：
材料单位：
m3
材料品牌：
炬龙钢结构
材料税率：
13%
供应商：
四川炬龙钢结构建筑工程有限公司
报价时间：
2022-12-07

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有机硅保温材料

规格型号：
品种:保温砂浆;用途:保温系统;
价格行情：
材料单位：
t
材料品牌：
天力
材料税率：
13%
供应商：
哈尔滨天力建筑材料有限公司
报价时间：
2022-12-07

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铁塔基础

规格型号：
M48×1680
价格行情：
材料单位：
个
材料品牌：
材料税率：
13%
供应商：
广州铧茂钢构材料制造有限公司
报价时间：
2022-12-07

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塔式起重机轨道式基础

规格型号：
价格行情：
材料单位：
元
材料税率：
地区时间：
韶关市2010年8月信息价
所属行业：
建筑工程
备注说明：

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自发电一体焊机

规格型号：
305A
价格行情：
材料单位：
台班
材料税率：
地区时间：
韶关市2010年8月信息价
所属行业：
建筑工程
备注说明：

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二氧化碳气体保护焊机

规格型号：
电流250A
价格行情：
材料单位：
台班
材料税率：
地区时间：
汕头市2011年3季度信息价
所属行业：
建筑工程
备注说明：

查看价格

二氧化碳气体保护焊机

规格型号：
电流250A
价格行情：
材料单位：
台班
材料税率：
地区时间：
广州市2010年3季度信息价
所属行业：
建筑工程
备注说明：

查看价格

二氧化碳气体保护焊机

规格型号：
电流250A
价格行情：
材料单位：
台班
材料税率：
地区时间：
汕头市2010年2季度信息价
所属行业：
建筑工程
备注说明：

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半导体陶瓷

规格型号：
将面板旋转到任一半导体上,旋转按钮缩小、放大,观察陶瓷.
需求量：
1项
报价数：
1
材料品牌：
材料档次：
中高档
费用说明：
不含税费 | 含运费
询价时间：
2022-10-24

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半导体陶瓷

规格型号：
将面板旋转到任一半导体上,旋转按钮缩小、放大,观察陶瓷.
需求量：
1项
报价数：
1
材料品牌：
材料档次：
中高档
费用说明：
不含税费 | 含运费
询价时间：
2022-09-16

查看价格

半导体陶瓷

规格型号：
将面板旋转到任一半导体上,旋转按钮缩小、放大,观察陶瓷.
需求量：
1项
报价数：
1
材料品牌：
材料档次：
中档
费用说明：
不含税费 | 含运费
询价时间：
2022-08-15

查看价格

半导体陶瓷

规格型号：
将面板旋转到任一半导体上,旋转按钮缩小、放大,观察陶瓷.
需求量：
1项
报价数：
1
材料品牌：
材料档次：
高档
费用说明：
不含税费 | 含运费
询价时间：
2022-09-14

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硅PU弹性材料

规格型号：
硅PU弹性材料
需求量：
6000kg
报价数：
1
材料品牌：
f无
材料档次：
中档
费用说明：
不含税费 | 含运费
询价时间：
2020-07-29

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半导体硅材料基础内容简介

《半导体硅材料基础》系统地介绍了半导体硅材料的基本性质、与半导体晶体材料相关的晶体几何学、能带理论、微电子学方面的基础理论知识，系统地介绍了作为光伏技术应用的硅材料的制备基础理论知识，为系统学习多晶硅生产技术和单晶硅及硅片加工技术奠定理论基础，是硅材料技术专业的核心教材。 《半导体硅材料基础》可作为高职高专硅材料技术及光伏专业的教材，同时也可作为中专、技校和从事单晶硅生产的企业员工的培训教材，还可供相关专业工程技术人员学习参考。

半导体硅材料基础常见问题

半导体硅片毛刷清洗机

请问有需要吗！
半导体材料有哪些？

常用的半导体材料分为元素半导体和化合物半导体。元素半导体是由单一元素制成的半导体材料。主要有硅、锗、硒等，以硅、锗应用最广。化合物半导体分为二元系、三元系、多元系和有机化合物半导体。二元系化合物半导体...
半导体材料的特性？

半导体材料的特性：半导体材料是室温下导电性介于导电材料和绝缘材料之间的一类功能材料。靠电子和空穴两种载流子实现导电，室温时电阻率一般在10-5～107欧·米之间。通常电阻率随温度升高而增大；若掺入活性...

半导体硅材料基础文献

我国半导体硅材料工业的现状及其对发展的几点看法

我国半导体硅材料工业的现状及其对发展的几点看法

我国半导体硅材料工业的现状及其对发展的几点看法

格式：pdf

大小：124KB

页数： 4页

综述了近年来我国硅材料工业的发展状况,提出了加强投资、提高效益、开拓市场等进一步加快发展的设想。

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我国半导体硅材料工业的现状及其对发展的几点看法

我国半导体硅材料工业的现状及其对发展的几点看法

我国半导体硅材料工业的现状及其对发展的几点看法

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综述了近年来我国硅材料工业的发展状况,提出了加强投资、提高效益、开拓市场等进一步加快发展的设想。

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半导体硅材料制备

结晶态硅材料的制备方法通常是先将硅石(SiO2)在电炉中高温还原为冶金级硅(纯度95%~99%)，然后将其变为硅的卤化物或氢化物，经提纯，以制备纯度很高的硅多晶。包括硅多晶的西门子法制备、硅多晶的硅烷法制备。在制造大多数半导体器件时，用的硅材料不是硅多晶，而是高完整性的硅单晶。通常用直拉法或区熔法由硅多晶制得硅单晶。 世界上直拉硅单晶和区熔硅单晶的用量约为9:1，直拉硅主要用于集成电路和晶体管，其中用于集成电路的直拉硅单晶由于其有明确的规格，且其技术要求严格，成为单独一类称集成电路用硅单晶。区熔硅主要用于制作电力电子元件，纯度极高的区熔硅还用于射线探测器。硅单晶多年来一直围绕着纯度、物理性质的均匀性、结构完整性及降低成本这些问题而进行研究与开发。 材料的纯度主要取决于硅多晶的制备工艺，同时与后续工序的玷污也有密切关系。材料的均匀性主要涉及掺杂剂，特别是氧、碳含量的分布及其行为，在直拉生长工艺中采用磁场(见磁控直拉法单晶生长)计算机控制或连续送料，使均匀性得到很大改善;对区熔单晶采用中子嬗变掺杂技术，大大改善了均匀性。在结构完整性方面，直拉硅单晶早已采用无位错拉晶工艺，目前工作主要放在氧施主、氧沉淀及其诱生缺陷与杂质的相互作用上。 氧在热处理中的行为非常复杂。直拉单晶经300~500℃热处理会产生热施主，而经650℃以上热处理可消除热施主，同时产生氧沉淀成核中心，在更高温度下处理会产生氧沉淀，形成层错和位错等诱生缺陷，利用这些诱生缺陷能吸收硅中有害金属杂质和过饱和热点缺陷的特性，发展成使器件由源区变成"洁净区"的吸除工艺，能有效地提高器件的成品率。 对硅单晶锭需经切片、研磨或抛光(见半导体晶片加工)后，提供给器件生产者使用。 某些器件还要求在抛光片上生长一层硅外延层，此种材料称硅外延片。 非晶硅材料具有连续无规的网格结构，最近邻原子配位数和结晶硅一样，仍为4，为共价键合，具有短程有序，但是，键角和键长在一定范围内变化。由于非晶硅也具有分开的价带和导带，因而有典型的半导体特性，非晶硅从一晶胞到另一晶胞不具有平移对称性，即具有长程无序性，造成带边的定域态和带隙中央的扩展态，非晶硅属亚稳态，具有某些不稳定性。其制备方法有辉光放电分解法等(见太阳电池材料)。

半导体硅材料特性

硅为周期表中Ⅳ族元素。在地壳中主要以二氧化硅和硅酸盐形式存在。丰度为27.7%，仅次于氧。硅的原子量为28.05，25℃下密度为2.329g/cm3，具有灰色金属光泽，较脆，硬度6.5Mohs，稍低于石英。熔点1410℃，在熔点时体积收缩率9.5%。常温下硅表面覆盖一层极薄氧化层，化学性质不活泼。 高温下与氧反应生成无定形二氧化硅层，在器件工艺中常用半作掩蔽层和隔离层。硅不溶于酸，但溶于HNO3。和HF的混合溶液中，常用这种溶液作腐蚀液。硅稍溶于加温的碱溶液中，还可采用等离子腐蚀技术来腐蚀硅。硅有结晶态和非晶。常温下硅单晶介电系数11.7，对光具有高的折射率(n=3.42)，反射损失较大，涂以适当减反射膜可大大提高透过率。硅中的杂质会引起光的吸收，氧和碳的吸收带在室温下分别位于1107和607cm-1处。

基础扩展基础

1) 墙下条形基础和柱下独立基础（单独基础）统称为扩展基础。扩展基础的作用是把墙或柱的荷载侧向扩展到土中，使之满足地基承载力和变形的要求。扩展基础包括无筋扩展基础和钢筋混凝土扩展基础。 2) 无筋扩展基础：无筋扩展基础系指由砖、毛石、混凝土或毛石混凝土、灰土和三合土等材料组成的无需配置钢筋的墙下条形基础或柱下独立基础。无筋基础的材料都具有较好的抗压性能，但抗拉、抗剪强度都不高，为了使基础内产生的拉应力和剪应力不超过相应的材料强度设计值，设计时需要加大基础的高度，其基础的宽高比必须符合规范要求。因此，这种基础几乎不发生挠曲变形，故习惯上把无筋基础称为刚性基础。

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