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半导体硅材料特性

2018/06/19177 作者:佚名
导读: 硅为周期表中Ⅳ族元素。在地壳中主要以二氧化硅和硅酸盐形式存在。丰度为27.7%,仅次于氧。硅的原子量为28.05,25℃下密度为2.329g/cm3,具有灰色金属光泽,较脆,硬度6.5Mohs,稍低于石英。熔点1410℃,在熔点时体积收缩率9.5%。常温下硅表面覆盖一层极薄氧化层,化学性质不活泼。高温下与氧反应生成无定形二氧化硅层,在器件工艺中常用半作掩蔽层和隔离层。硅不溶于酸,但溶于HNO

硅为周期表中Ⅳ族元素。在地壳中主要以二氧化硅和硅酸盐形式存在。丰度为27.7%,仅次于氧。硅的原子量为28.05,25℃下密度为2.329g/cm3,具有灰色金属光泽,较脆,硬度6.5Mohs,稍低于石英。熔点1410℃,在熔点时体积收缩率9.5%。常温下硅表面覆盖一层极薄氧化层,化学性质不活泼。

高温下与氧反应生成无定形二氧化硅层,在器件工艺中常用半作掩蔽层和隔离层。硅不溶于酸,但溶于HNO3。和HF的混合溶液中,常用这种溶液作腐蚀液。硅稍溶于加温的碱溶液中,还可采用等离子腐蚀技术来腐蚀硅。硅有结晶态和非晶。常温下硅单晶介电系数11.7,对光具有高的折射率(n=3.42),反射损失较大,涂以适当减反射膜可大大提高透过率。硅中的杂质会引起光的吸收,氧和碳的吸收带在室温下分别位于1107和607cm-1处。

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