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标准曲线法

标准曲线法,也称外标法或直接比较法,是一种简便、快速的定量方法。与分光光度分析中的标准曲线法相似,首先用欲测组分的标准样品绘制标准曲线。
用标准样品配制成不同浓度的标准系列,在与待测组分相同的色谱条件下,等体积准确进样,测量各峰的峰面积或峰高,用峰面积或峰高对样品浓度绘制标准曲线,此标准曲线应是通过原点的直线。若标准曲线不通过原点,则说明存在系统误差。标准曲线的斜率即为绝对校正因子。

标准曲线法基本信息

标准曲线法优缺点:

标准曲线法的优点是:绘制好标准工作曲线后测定工作就变得相当简单,可直接从标准工作曲线上读出含量,因此特别适合于大量样品的分析。

标准曲线法的缺点是:每次样品分析的色谱条件(检测器的响应性能,柱温,流动相流速及组成,进样量,柱效等)很难完全相同,因此容易出现较大误差。此外,标准工作曲线绘制时,一般使用欲测组分的标准样品(或已知准确含量的样品),而实际样品的组成却千差万别,因此必将给测量带来一定的误差。2100433B

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标准曲线法概述:

在测定样品中的组分含量时,要用与绘制标准曲线完全相同的色谱条件作出色谱图,测量色谱峰面积或峰高,然后根据峰面积和峰高在标准曲线上直接查出注入色谱柱中样品组分的浓度。

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标准曲线法常见问题

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标准曲线法文献

硅片上超薄氧化硅层厚度测量的XPS标准曲线法 硅片上超薄氧化硅层厚度测量的XPS标准曲线法

硅片上超薄氧化硅层厚度测量的XPS标准曲线法

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页数: 4页

提出一种新的处理方法-XPS标准曲线法来测量硅片上超薄氧化硅层(SiO2/Si)的厚度。该方法利用一系列氧化硅厚度(d)准确已知的SiO2/Si标准样品,分别记录其氧化硅和元素硅的Si(2p)谱线,并得到峰高比(R),然后将厚度(d)对峰高比(R)作图得到标准曲线。在相同的实验条件下,测得未知样品氧化硅和元素硅的Si(2p)谱线并计算其峰高比,通过插入法在标准曲线上得到相应的氧化硅层厚度。SiO2/Si标准样品由设备一流和经验丰富的权威实验室提供,其氧化硅厚度采用多种方法进行测量比对。实验表明:基于氧化硅厚度准确知道的标准样品制作的XPS标准曲线,用于硅片上超薄氧化硅层厚度测量时具有快速、简便和比较准确等优点,有较好的实用价值。

双曲线法在软基沉降计算中的应用与分析 双曲线法在软基沉降计算中的应用与分析

双曲线法在软基沉降计算中的应用与分析

格式:pdf

大小:625KB

页数: 2页

双曲线法在软基沉降计算中的应用与分析——阐述了地基最终沉降量的计算方法,论述了应用双曲线法计算最终沉降的方法,分析了实测沉降曲线形状与时间间隔△t的选取等因素对沉降预测的影响,归纳了双曲线法的应用特点及注意事项。

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