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产品类别
设备类
主要性能
MOS管或小型IC芯片散热
其他性能
材质:铝
产品类别:设备类
主要性能:MOS管或小型IC芯片散热
其他性能:材质:铝
你好,mos管散热片,挤压型材散热器,电子ic散热片 加工定制:是 | 型号:万通 | 规格尺寸:客户需...
经销商那有卖的你问他他就告诉你了。 要我说直接弄个机箱风扇装上面机箱风口对着吹或者吸就行了。 只要主板质量过得去这个一般不会出大问题的。加散热片风扇就图安心而已。
您好,目前市场上mos管散热片价格大概在8~15元之间,其中规格100*99*25MM,价格12元;60*21.5*180(mm),价格8元;根据规格、质量、厂家等不同价格有所不同。希望我的回答对您有...
ABS管的主要性能
三、ABS管的主要性能 1、主要性能特点 ABS 管材是一种新型管材,具有许多优异的性能,主要表现在以下几个方 面: (1)具有抗内压强度高、抗冲击性能好,持地坚实而有韧性;以强大的外 力撞击,其材质不破裂,大约是 PVC管的 10倍。 (2)无毒性:不含任何金属稳定剂,不会有重金属渗出污染,无毒和无二 次污染,甚至可用于医用洗肾机管路系统。 (3)使用温度范围宽:使用温度范围 -40℃-80℃,在此温度下保持品质不 变。 (4)不生锈、不结垢、内壁光滑阻力小。 (5)使用寿命长:正常使用 50年以上。 (6)重量轻、易运输。比重是镀锌钢管的 1/7。 (7)连接方便:可采用螺纹连接、胶粘承插、法兰连接等多种方式,安装 方便且质量可靠。 (8)耐腐蚀性,耐药品性优良。 (9)耐撞击性强,假如管壁内部某段发生阻塞现象时,甚至可用铁锤敲击 管外壁,使得管壁之积聚物质脱落。 (10)保温性:
钢材的主要性能
一、钢材的主要性能 钢材的力学性能:有明显流幅的钢筋,塑形好、延伸率大。 技术指标:屈服强度、延伸率、强屈比、冷弯性能。 力学性能是最重要的使用性能, 包括抗拉性能、冲击韧性、耐疲劳性等。工艺性能包括 冷弯性能和可焊性。 (1)抗拉性能:抗拉性能钢材最重要的力学性能。 屈服强度是结构设计中钢材强度的取值依据。 抗拉强度与屈服强度之比(强屈比) σb/σs,是评价钢材使用可靠性的一个参数。 对于有抗震要求的结构用钢筋,实测抗拉强度与实测屈服强度之比不小于 1.25; 实测屈服响度与理论屈服强度之比不大于 1.3; 强屈比愈大,钢材受力超过屈服点工作时的可靠性越大,安全性越高;但强屈比太大, 钢材强度利用率偏低,浪费材料。 钢材受力破坏前可以经受永久变形的性能, 称为塑性, 它是钢材的一个重要指标。 钢材 的塑性指标通常用伸长率表示。伸长率随钢筋强度的增加而降低。 冷弯也是考核钢筋塑性的基本指
产品类别:设备类
主要性能:MOS管或小型IC芯片散热
其他性能:材质:铝
产品类别
设备类
主要性能
MOS管或小型IC芯片散热
其他性能
材质:铝
做电源设计,或者做驱动方面的电路,难免要用到MOS管。MOS管有很多种类,也有很多作用。做电源或者驱动的使用,当然就是用它的开关作用。
无论N型或者P型MOS管,其工作原理本质是一样的。MOS管是由加在输入端栅极的电压来控制输出端漏极的电流。MOS管是压控器件它通过加在栅极上的电压控制器件的特性,不会发生像三极管做开关时的因基极电流引起的电荷存储效应,因此在开关应用中,MOS管的开关速度应该比三极管快。其主要原理如图:图1。
图1 MOS管的工作原理
我们在开关电源中常用MOS管的漏极开路电路,如图2漏极原封不动地接负载,叫开路漏极,开路漏极电路中不管负载接多高的电压,都能够接通和关断负载电流。是理想的模拟开关器件。这就是MOS管做开关器件的原理。当然MOS管做开关使用的电路形式比较多了。
图2 NMOS管的开路漏极电路
在开关电源应用方面,这种应用需要MOS管定期导通和关断。比如,DC-DC电源中常用的基本降压转换器依赖两个MOS管来执行开关功能,这些开关交替在电感里存储能量,然后把能量释放给负载。我们常选择数百kHz乃至1MHz以上的频率,因为频率越高,磁性元件可以更小更轻。在正常工作期间,MOS管只相当于一个导体。因此,我们电路或者电源设计人员最关心的是MOS的最小传导损耗。
我们经常看MOS管的PDF参数,MOS管制造商采用RDS(ON)参数来定义导通阻抗,对开关应用来说,RDS(ON)也是最重要的器件特性。数据手册定义RDS(ON)与栅极(或驱动)电压VGS以及流经开关的电流有关,但对于充分的栅极驱动,RDS(ON)是一个相对静态参数。一直处于导通的MOS管很容易发热。另外,慢慢升高的结温也会导致RDS(ON)的增加。MOS管数据手册规定了热阻抗参数,其定义为MOS管封装的半导体结散热能力。RθJC的最简单的定义是结到管壳的热阻抗。
其发热情况有:
1.电路设计的问题,就是让MOS管工作在线性的工作状态,而不是在开关状态。这也是导致MOS管发热的一个原因。如果N-MOS做开关,G级电压要比电源高几V,才能完全导通,P-MOS则相反。没有完全打开而压降过大造成功率消耗,等效直流阻抗比较大,压降增大,所以U*I也增大,损耗就意味着发热。这是设计电路的最忌讳的错误。
2.频率太高,主要是有时过分追求体积,导致频率提高,MOS管上的损耗增大了,所以发热也加大了。
3.没有做好足够的散热设计,电流太高,MOS管标称的电流值,一般需要良好的散热才能达到。所以ID小于最大电流,也可能发热严重,需要足够的辅助散热片。
4.MOS管的选型有误,对功率判断有误,MOS管内阻没有充分考虑,导致开关阻抗增大。