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层压陶瓷基板,一种层压陶瓷基板,对在表面上形成有电路元件图形的陶瓷层进行层压而形成。
权利要求
其特征在于,所述层压陶瓷基板,具有在所述陶瓷层的侧缘部形成的侧缘电极层与在紧上方和/或紧下方的陶瓷层的侧缘部形成的侧缘电极层重叠连接而成的侧面电极,所述侧缘电极层具有大致平行于与所述层压陶瓷基板的侧面且没有露出的平行壁、以及大致垂直于所述层压陶瓷基板的侧面的垂直壁。
1.大功率电力半导体模块;半导体致冷器、电子加热器;功率控制电路,功率混合电路。 2.智能功率组件;高频开关电源,固态继电器。 3.汽车电子,航天航空及电子组件。 4.太阳能电池...
陶瓷基板的热膨胀系数接近硅芯片,可节省过渡层Mo片,省工、节材、降低成本; 减少焊层,降低热阻,减少空洞,提高成品率; 在相同载流量下 0.3mm厚的铜箔线宽仅为普通印刷电路板...
一、坯料制备 德化的陶瓷坯料主要成分是石英、长石、高岭土。按其制品的成型方法可分为可塑法坯料和浆法坯料。二、制模三、成型成型就是用干燥的石膏模,将制备好的坯料用各种不同的方法制成所需要的坯件,目前德化...
多层印制电路板陶瓷基板
多层印制电路板陶瓷基板
氮化铝陶瓷基板有哪些优势和参数?
十年专注 PCB快板,中高端中小批量生产 www.jinruixinpcb.com 氮化铝陶瓷基板有哪些优势和参数? 陶瓷板中,应用广泛是分别是氧化铝陶瓷基板和氮化铝陶瓷基板,那么氮化铝陶瓷基板是什 么,有什么优势,有哪些参数? 氮化铝陶瓷是一种以氮化铝 (AIN) 为主晶相的陶瓷材料,再在氮化铝陶瓷基片上面蚀刻金属电路, 就是氮化铝陶瓷基板 了。对用与大功率,因其有很强的耐热性,抗硬性,绝缘性。今天具体看一下, 氮化铝陶瓷基板有哪些优势,参数都是哪些? 1、氮化铝陶瓷英文: AluminiumNitrideCeramic ,是以氮化铝 (AIN) 为主晶相的陶瓷。 2、 AIN晶体以( AIN4 )四面体为结构单元共价键化合物,具有纤锌矿型结构,属六方晶系。 3、化学组成 AI65.81% , N34.19% ,比重3.261g/cm3 ,白色或灰白色,单晶无色透明,常压 十年专注 PC
陶瓷基板产品问世,开启散热应用行业的发展,由于陶瓷基板散热特色,加上陶瓷基板具有高散热、低热阻、寿命长、耐电压等优点,随着生产技术、设备的改良,产品价格加速合理化,进而扩大LED产业的应用领域,如家电产品的指示灯、汽车车灯、路灯及户外大型看板等。陶瓷基板的开发成功,更将成为室内照明和户外亮化产品提供服务,使LED产业未来的市场领域更宽广。
◆陶瓷基板的热膨胀系数接近硅芯片,可节省过渡层Mo片,省工、节材、降低成本;
◆减少焊层,降低热阻,减少空洞,提高成品率;
◆在相同载流量下 0.3mm厚的铜箔线宽仅为普通印刷电路板的10%;
◆ 优良的导热性,使芯片的封装非常紧凑,从而使功率密度大大提高,改善系统和装置的可靠性;
◆ 超薄型(0.25mm)陶瓷基板可替代BeO,无环保毒性问题;
◆载流量大,100A电流连续通过1mm宽0.3mm厚铜体,温升约17℃;100A电流连续通过2mm宽0.3mm厚铜体,温升仅5℃左右;
◆热阻低,10×10mm陶瓷基板的热阻0.63mm厚度陶瓷基片的热阻为0.31K/W ,0.38mm厚度陶瓷基片的热阻为0.19K/W,0.25mm厚度陶瓷基片的热阻为0.14K/W。
◆ 绝缘耐压高,保障人身安全和设备的防护能力。
◆ 可以实现新的封装和组装方法,使产品高度集成,体积缩小。
陶瓷基板种类主要有:
1.高温熔合陶瓷基板(HTFC)
2.低温共烧多层陶瓷(LTCC)
3.高温共烧多层陶瓷(HTCC)
4.直接接合铜基板(DBC)
5.直接镀铜基板(DPC)
1-1 HTFC(Hight-Temperature Fusion Ceramic)
HTFC 称为高温熔合陶瓷基板,将高温绝缘性及高热传导的AL2O3或AIN陶瓷基板的单面或双面,运用钢板移印技术,将高传导介质材料印制成线路,放置于850~950°C的烧结炉中烧结成型,即可完成。有嘉宝瑞实业研发,是目前LED基板散热最前沿。
2-1 LTCC(Low-Temperature Co-fired Ceramic)
LTCC 又称为低温共烧多层陶瓷基板,此技术须先将无机的氧化铝粉与越30%~50%的玻璃材料加上有机粘结剂,使其混合均匀称为为泥装的浆料,接着利用刮刀把浆料刮成片状,再经由一道干燥过程将片状浆料形成一片片薄薄的生胚,然后依各层的设计钻导通孔,作为各层讯号的传递,LTCC内部线路则运用网版印刷技术,分别于生胚上做填孔及印制线路,内外电极则可分别使用银、铜、金等金属,最后将各层做叠层动作,放置于850~900°C的烧结炉中烧结成型,即可完成。
3-1 HTCC(Hight-Temperature Co-fired Ceramic)
HTCC 又称为高温共烧多层陶瓷,生产制造过程与LTCC极为相似,主要的差异点在于HTCC的陶瓷粉末并无玻璃材质,因此,HTCC必须在高温1200~1600°C环境下干燥硬化成生胚,接着同样钻上导通孔,以网版印刷技术填孔于印制线路,因其共烧温度较高,使得金属导体材料的选择受限,其主要的材料为熔点较高但导电性却较差的钨、钼、锰…等金属,最后再叠层烧结成型。
4-1 DBC(Direct Bonded Copper)
DBC 直接接合铜基板,将高绝缘性的AL2O3或AIN陶瓷基板的单面或双面覆上铜金属后,经由高温1065~1085°C的环境加热,使铜金属因高温氧化,扩撒与AL2O3材质产生(Eutectic)共晶熔体,是铜金属陶瓷基板粘合,形陶瓷复合金属基板,最后依据线路设计,以蚀刻方式备至线路。
5-1 DPC(Direct Plate Copper)
DPC 也称为直接镀铜基板,先将陶瓷基板做前处理清洁,利用薄膜专业制造技术—真空镀膜方式于陶瓷基板上溅镀于铜金属复合层,接着以黄光微影的光阻被覆曝光,显影,蚀刻,去膜制程完成线路制作,最后再以电镀/化学镀沉积方式增加线路的厚度,待光阻移除后即完成金属化线路制作。