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单质硅

单质硅(silicon atom),分子式为Si,主要用作制多晶硅、单晶硅、硅铝合金及硅钢合金的化合物。

单质硅基本信息

单质硅物化性质

外观与性状:银色-灰色固体

熔点:1410ºC

密度:2.33

沸点:2355ºC

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单质硅造价信息

  • 市场价
  • 信息价
  • 询价

pu

  • 1
  • 嘉华体育
  • 13%
  • 广州嘉华体育产业有限公司
  • 2022-12-06
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pu

  • 8mm
  • 嘉华体育
  • 13%
  • 广州嘉华体育产业有限公司
  • 2022-12-06
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复合型pu

  • 13mm
  • 嘉华体育
  • 13%
  • 广州嘉华体育产业有限公司
  • 2022-12-06
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PU球场材料

  • 8mmPU球场材料;包含施工现场综合价
  • 绣林康体
  • 13%
  • 广州市绣林康体设备有限公司
  • 2022-12-06
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铜芯硅橡皮绝缘硅橡皮护套控制软电缆

  • kgGR-10×2.5
  • m
  • 恒天
  • 13%
  • 河南恒天特种电缆有限公司重庆办事处
  • 2022-12-06
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C档晶人造石

  • (800/600)*600*20 本地产
  • 湛江市2022年3季度信息价
  • 建筑工程
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C档晶人造石

  • (800/600)×600×20 本地产
  • 湛江市2022年2季度信息价
  • 建筑工程
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B档晶人造石

  • (800/600)*600*20 本地产
  • 湛江市2022年1季度信息价
  • 建筑工程
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普通晶人造石

  • (800/600)×600×20 本地产
  • 湛江市2021年2季度信息价
  • 建筑工程
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普通晶人造石

  • (800/600)×600×20 本地产
  • 湛江市2020年4季度信息价
  • 建筑工程
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PU面层

  • 厚度4mm:PU底漆+PU弹性铺设层+PU止滑面漆)
  • 12000m²
  • 3
  • 中高档
  • 不含税费 | 含运费
  • 2018-06-11
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PU面漆

  • PU面漆
  • 56.54kg
  • 3
  • 中档
  • 不含税费 | 不含运费
  • 2019-01-28
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PU底漆

  • PU底漆
  • 4410.12kg
  • 3
  • 中档
  • 不含税费 | 不含运费
  • 2019-01-28
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浸渍剂

  • 浸渍剂
  • 100kg
  • 1
  • 含税费 | 含运费
  • 2010-08-12
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PU

  • 8mm晶透耐磨PU面层
  • 660m²
  • 3
  • 中档
  • 含税费 | 含运费
  • 2020-05-29
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单质硅常见问题

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单质硅文献

钢化玻璃自爆机理的新发现——单质硅微粒引裂(英文) 钢化玻璃自爆机理的新发现——单质硅微粒引裂(英文)

钢化玻璃自爆机理的新发现——单质硅微粒引裂(英文)

格式:pdf

大小:823KB

页数: 4页

通过对 6 块玻璃自爆残片的电镜观察和成分分析,发现并证明了引起钢化玻璃自爆的主要原因不仅仅是传统认识中的硫化镍(NiS)微粒,很多情况是由单质硅微粒引起的。进一步对单质硅微粒引起自爆的力学机理进行了分析和有限元模拟。结果显示:由于单质硅微粒周边玻璃的切向应力过大从而引起局部拉伸破坏并导致整体破裂,降温过程可以使这种应力增加并加大破裂危险。

基于改良西门子法的多晶硅生产方法及多晶硅生产设备专利背景

多晶硅,是单质硅的一种形态。熔融的单质硅在过冷条件下凝固时,硅原子以金刚石晶格形态排列成许多晶核,如这些晶核长成晶面取向不同的晶粒,则这些晶粒结合起来,就结晶成多晶硅。

多晶硅的生产技术主要为改良西门子法和硅烷法。西门子法通过气相沉积的方式生产柱状多晶硅,为了提高原料利用率和环境友好,在前者的基础上采用了闭环式生产工艺即改良西门子法。该工艺将工业硅粉与HCl反应,加工成SiHCl3,再让SiHCl3在H2气氛的还原炉中还原沉积得到多晶硅。还原炉排出的尾气H2、SiHCl3、SiCl4、SiH2Cl2和HCl经过分离后再循环利用。

改良西门子法多晶硅生产过程中,由还原炉产生的反应尾气,在尾气回收工序经过多级冷凝分离,液相氯硅烷随同HCL吸收塔塔釜氯硅烷富液进入解析塔。解析塔塔顶解析出其中的HCL,送至三氯氢硅合成工序回收利用。塔釜采出的氯硅烷贫液一部分回到吸收塔作为吸收剂,一部分采出送至精馏工序。送至精馏工序的氯硅烷贫液中还原反应副产物二氯二氢硅约占5%-7%。这部分二氯二氢硅伴随氯硅烷进入精馏塔,与三氯氢硅一起从精馏塔塔顶采出,再回到还原炉进行还原反应。

《基于改良西门子法的多晶硅生产方法及多晶硅生产设备》发明人发现2014年12月之前技术中至少存在如下问题:送至还原炉进行还原反应的三氯氢硅中含有5%-7%的二氯二氢硅,最终会降低参与还原反应三氯氢硅的纯度,影响了三氯氢硅的一次转化率,增加了多晶硅的生产成本。

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有机硅材料基础目录

第1章含硅材料1

11单质硅1

111单质硅的性质1

112多晶硅的生产和纯化2

113单晶硅的制备6

12二氧化硅和无机硅酸盐材料 9

121二氧化硅 9

122无机硅酸盐材料15

13有机硅材料22

参考文献22

第2章有机硅的分类、命名和发展24

21有机硅化合物的发展史 24

22有机硅材料的分类和命名 26

23有机硅材料工业现状 31

24有机硅材料技术发展动向 34

参考文献36

第3章有机硅单体37

31含氯硅烷单体 37

311含氯硅烷单体的合成37

312含氯硅烷单体的品种和性质 46

32环硅氧烷单体 47

33其他硅烷单体 48

参考文献50

第4章有机聚硅氧烷高分子化合物的合成和性质51

41有机聚硅氧烷高分子的合成 51

411缩聚反应 51

412环硅氧烷的开环聚合反应 54

413高分子量聚硅氧烷的合成工艺路线59

42有机聚硅氧烷高分子的基本性质 63

421有机聚硅氧烷高分子的光谱性质 63

422有机聚硅氧烷高分子的物理性质63

423有机聚硅氧烷高分子的化学性质65

参考文献67

第5章硅油68

51硅油的简介和分类 68

52线型硅油 69

521二甲基硅油的合成和性质 69

522甲基苯基硅油的合成和性质 72

523二乙基硅油的合成和性质 73

524甲基含氢硅油的合成和性质 74

525甲基羟基硅油的合成和性质 75

53改性硅油 76

531氯苯基甲基硅油 76

532含氰硅油 77

533甲基三氟丙基硅油 77

534甲基长链烷基硅油 78

535环氧改性硅油 79

536氨烃基改性硅油 80

537羧酸改性硅油 81

538巯基改性硅油 82

539聚醚改性硅油 83

5310其他改性硅油 84

5311有机硅表面活性剂 84

54硅油的二次加工制品 85

541硅脂和硅膏 85

542有机硅乳液 88

55硅油及其二次加工制品的应用 93

551有机硅消泡剂 93

552有机硅脱膜剂 97

553硅油织物整理剂 98

参考文献103

第6章硅橡胶104

61硅橡胶的简介、分类和基本性能 104

611概述104

612硅橡胶的基本性能 106

62高温硫化硅橡胶 111

621高温硫化硅橡胶的主要品种及分类111

622高温硫化硅橡胶的硫化机理 113

623硅混炼胶的生产115

624高温硅橡胶的硫化成型和应用 120

63液体硅橡胶 122

631液体硅橡胶的组成和硫化123

632液体硅橡胶的硫化成型125

633液体硅橡胶的品种和应用126

64室温硫化硅橡胶126

641单组分室温硫化硅橡胶127

642缩合型双组分室温硫化硅橡胶 132

643加成型室温硫化硅橡胶134

65光固化硅橡胶 135

参考文献137

第7章硅树脂138

71硅树脂的简介、分类和基本性能 138

711硅树脂的简介138

712硅树脂的分类139

713硅树脂的基本性能142

72硅树脂的制备145

721硅树脂的单体和预聚 145

722缩合型硅树脂的制备146

723过氧化物型和加成型硅树脂的制备 149

724改性硅树脂的制备149

73硅树脂的主要产品151

731硅树脂涂料152

732硅树脂胶黏剂156

733有机硅塑料158

74溶胶凝胶技术160

741硅溶胶160

742硅凝胶164

743溶胶凝胶二氧化硅材料的应用167

参考文献168

第8章硅烷偶联剂169

81硅烷偶联剂的结构和合成169

82硅烷偶联剂的作用机理 172

83硅烷偶联剂的用途和选择 175

84硅烷偶联剂的使用方法 178

841气相沉积法178

842溶液沉积法178

843整体混合法179

参考文献180

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氮化硅合成方法

六方 β-Si3N4

可在1300-1400℃的条件下用单质硅和氮气直接进行化合反应得到氮化硅:

3 Si(s) + 2 N2(g) → Si3N4(s)

也可用二亚胺合成

SiCl4(l) + 6 NH3(g) → Si(NH)2(s) + 4 NH4Cl(s) 在0 ℃的条件下3 Si(NH)2(s) → Si3N4(s) + N2(g) + 3 H2(g) 在1000 ℃的条件下

或用碳热还原反应在1400-1450℃的氮气气氛下合成:

3 SiO2(s) + 6 C(s) + 2 N2(g) → Si3N4(s) + 6 CO(g)

对单质硅的粉末进行渗氮处理的合成方法是在二十世纪50年代随着对氮化硅的重新"发现"而开发出来的。也是第一种用于大量生产氮化硅粉末的方法。但如果使用的硅原料纯度低会使得生产出的氮化硅含有杂质硅酸盐和铁。用二胺分解法合成的氮化硅是无定形态的,需要进一步在1400-1500℃的氮气下做退火处理才能将之转化为晶态粉末,二胺分解法在重要性方面是仅次于渗氮法的商品化生产氮化硅的方法。碳热还原反应是制造氮化硅的最简单途径也是工业上制造氮化硅粉末最符合成本效益的手段。

电子级的氮化硅薄膜是通过化学气相沉积或者等离子体增强化学气相沉积技术制造的:

3 SiH4(g) + 4 NH3(g) → Si3N4(s) + 12 H2(g)3 SiCl4(g) + 4 NH3(g) → Si3N4(s) + 12 HCl(g)3 SiCl2H2(g) + 4 NH3(g) → Si3N4(s) + 6 HCl(g) + 6 H2(g)

如果要在半导体基材上沉积氮化硅,有两种方法可供使用:

氮化硅的晶胞参数与单质硅不同。因此根据沉积方法的不同,生成的氮化硅薄膜会有产生张力或应力。特别是当使用等离子体增强化学气相沉积技术时,能通过调节沉积参数来减少张力。

先利用溶胶凝胶法制备出二氧化硅,然后同时利用碳热还原法和氮化对其中包含特细碳粒子的硅胶进行处理后得到氮化硅纳米线。硅胶中的特细碳粒子是由葡萄糖在1200-1350℃分解产生的。合成过程中涉及的反应可能是:

SiO2(s) + C(s) → SiO(g) + CO(g)3 SiO(g) + 2 N2(g) + 3 CO(g) → Si3N4(s) + 3 CO2(g) 3 SiO(g) + 2 N2(g) + 3 C(s) → Si3N4(s) + 3 CO(g)
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