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单质硅(silicon atom),分子式为Si,主要用作制多晶硅、单晶硅、硅铝合金及硅钢合金的化合物。
外观与性状:银色-灰色固体
熔点:1410ºC
密度:2.33
沸点:2355ºC
是的,金刚石是由碳元素组成,又是纯净物,所以是单质
取饱和态海水,依测定量搅拌中通入氯气并过量约15%(必须在通风良好的环境中!),静置(溴沉在底部),分离,提纯即得。注意其中含有一定量的碘,当用物理方法纯化,且重复几次。提制过程中要有防毒面具,橡胶手...
很好算啊,你就计算下一个支架多种,一般都是根据管道规格计算40*4的角铁重量,一个管道支架也就几公斤,就按5KG以内即可
钢化玻璃自爆机理的新发现——单质硅微粒引裂(英文)
通过对 6 块玻璃自爆残片的电镜观察和成分分析,发现并证明了引起钢化玻璃自爆的主要原因不仅仅是传统认识中的硫化镍(NiS)微粒,很多情况是由单质硅微粒引起的。进一步对单质硅微粒引起自爆的力学机理进行了分析和有限元模拟。结果显示:由于单质硅微粒周边玻璃的切向应力过大从而引起局部拉伸破坏并导致整体破裂,降温过程可以使这种应力增加并加大破裂危险。
多晶硅,是单质硅的一种形态。熔融的单质硅在过冷条件下凝固时,硅原子以金刚石晶格形态排列成许多晶核,如这些晶核长成晶面取向不同的晶粒,则这些晶粒结合起来,就结晶成多晶硅。
多晶硅的生产技术主要为改良西门子法和硅烷法。西门子法通过气相沉积的方式生产柱状多晶硅,为了提高原料利用率和环境友好,在前者的基础上采用了闭环式生产工艺即改良西门子法。该工艺将工业硅粉与HCl反应,加工成SiHCl3,再让SiHCl3在H2气氛的还原炉中还原沉积得到多晶硅。还原炉排出的尾气H2、SiHCl3、SiCl4、SiH2Cl2和HCl经过分离后再循环利用。
改良西门子法多晶硅生产过程中,由还原炉产生的反应尾气,在尾气回收工序经过多级冷凝分离,液相氯硅烷随同HCL吸收塔塔釜氯硅烷富液进入解析塔。解析塔塔顶解析出其中的HCL,送至三氯氢硅合成工序回收利用。塔釜采出的氯硅烷贫液一部分回到吸收塔作为吸收剂,一部分采出送至精馏工序。送至精馏工序的氯硅烷贫液中还原反应副产物二氯二氢硅约占5%-7%。这部分二氯二氢硅伴随氯硅烷进入精馏塔,与三氯氢硅一起从精馏塔塔顶采出,再回到还原炉进行还原反应。
《基于改良西门子法的多晶硅生产方法及多晶硅生产设备》发明人发现2014年12月之前技术中至少存在如下问题:送至还原炉进行还原反应的三氯氢硅中含有5%-7%的二氯二氢硅,最终会降低参与还原反应三氯氢硅的纯度,影响了三氯氢硅的一次转化率,增加了多晶硅的生产成本。
第1章含硅材料1
11单质硅1
111单质硅的性质1
112多晶硅的生产和纯化2
113单晶硅的制备6
12二氧化硅和无机硅酸盐材料 9
121二氧化硅 9
122无机硅酸盐材料15
13有机硅材料22
参考文献22
第2章有机硅的分类、命名和发展24
21有机硅化合物的发展史 24
22有机硅材料的分类和命名 26
23有机硅材料工业现状 31
24有机硅材料技术发展动向 34
参考文献36
第3章有机硅单体37
31含氯硅烷单体 37
311含氯硅烷单体的合成37
312含氯硅烷单体的品种和性质 46
32环硅氧烷单体 47
33其他硅烷单体 48
参考文献50
第4章有机聚硅氧烷高分子化合物的合成和性质51
41有机聚硅氧烷高分子的合成 51
411缩聚反应 51
412环硅氧烷的开环聚合反应 54
413高分子量聚硅氧烷的合成工艺路线59
42有机聚硅氧烷高分子的基本性质 63
421有机聚硅氧烷高分子的光谱性质 63
422有机聚硅氧烷高分子的物理性质63
423有机聚硅氧烷高分子的化学性质65
参考文献67
第5章硅油68
51硅油的简介和分类 68
52线型硅油 69
521二甲基硅油的合成和性质 69
522甲基苯基硅油的合成和性质 72
523二乙基硅油的合成和性质 73
524甲基含氢硅油的合成和性质 74
525甲基羟基硅油的合成和性质 75
53改性硅油 76
531氯苯基甲基硅油 76
532含氰硅油 77
533甲基三氟丙基硅油 77
534甲基长链烷基硅油 78
535环氧改性硅油 79
536氨烃基改性硅油 80
537羧酸改性硅油 81
538巯基改性硅油 82
539聚醚改性硅油 83
5310其他改性硅油 84
5311有机硅表面活性剂 84
54硅油的二次加工制品 85
541硅脂和硅膏 85
542有机硅乳液 88
55硅油及其二次加工制品的应用 93
551有机硅消泡剂 93
552有机硅脱膜剂 97
553硅油织物整理剂 98
参考文献103
第6章硅橡胶104
61硅橡胶的简介、分类和基本性能 104
611概述104
612硅橡胶的基本性能 106
62高温硫化硅橡胶 111
621高温硫化硅橡胶的主要品种及分类111
622高温硫化硅橡胶的硫化机理 113
623硅混炼胶的生产115
624高温硅橡胶的硫化成型和应用 120
63液体硅橡胶 122
631液体硅橡胶的组成和硫化123
632液体硅橡胶的硫化成型125
633液体硅橡胶的品种和应用126
64室温硫化硅橡胶126
641单组分室温硫化硅橡胶127
642缩合型双组分室温硫化硅橡胶 132
643加成型室温硫化硅橡胶134
65光固化硅橡胶 135
参考文献137
第7章硅树脂138
71硅树脂的简介、分类和基本性能 138
711硅树脂的简介138
712硅树脂的分类139
713硅树脂的基本性能142
72硅树脂的制备145
721硅树脂的单体和预聚 145
722缩合型硅树脂的制备146
723过氧化物型和加成型硅树脂的制备 149
724改性硅树脂的制备149
73硅树脂的主要产品151
731硅树脂涂料152
732硅树脂胶黏剂156
733有机硅塑料158
74溶胶凝胶技术160
741硅溶胶160
742硅凝胶164
743溶胶凝胶二氧化硅材料的应用167
参考文献168
第8章硅烷偶联剂169
81硅烷偶联剂的结构和合成169
82硅烷偶联剂的作用机理 172
83硅烷偶联剂的用途和选择 175
84硅烷偶联剂的使用方法 178
841气相沉积法178
842溶液沉积法178
843整体混合法179
参考文献180
六方 β-Si3N4
可在1300-1400℃的条件下用单质硅和氮气直接进行化合反应得到氮化硅:
3 Si(s) + 2 N2(g) → Si3N4(s)也可用二亚胺合成
SiCl4(l) + 6 NH3(g) → Si(NH)2(s) + 4 NH4Cl(s) 在0 ℃的条件下3 Si(NH)2(s) → Si3N4(s) + N2(g) + 3 H2(g) 在1000 ℃的条件下或用碳热还原反应在1400-1450℃的氮气气氛下合成:
3 SiO2(s) + 6 C(s) + 2 N2(g) → Si3N4(s) + 6 CO(g)对单质硅的粉末进行渗氮处理的合成方法是在二十世纪50年代随着对氮化硅的重新"发现"而开发出来的。也是第一种用于大量生产氮化硅粉末的方法。但如果使用的硅原料纯度低会使得生产出的氮化硅含有杂质硅酸盐和铁。用二胺分解法合成的氮化硅是无定形态的,需要进一步在1400-1500℃的氮气下做退火处理才能将之转化为晶态粉末,二胺分解法在重要性方面是仅次于渗氮法的商品化生产氮化硅的方法。碳热还原反应是制造氮化硅的最简单途径也是工业上制造氮化硅粉末最符合成本效益的手段。
电子级的氮化硅薄膜是通过化学气相沉积或者等离子体增强化学气相沉积技术制造的:
3 SiH4(g) + 4 NH3(g) → Si3N4(s) + 12 H2(g)3 SiCl4(g) + 4 NH3(g) → Si3N4(s) + 12 HCl(g)3 SiCl2H2(g) + 4 NH3(g) → Si3N4(s) + 6 HCl(g) + 6 H2(g)如果要在半导体基材上沉积氮化硅,有两种方法可供使用:
氮化硅的晶胞参数与单质硅不同。因此根据沉积方法的不同,生成的氮化硅薄膜会有产生张力或应力。特别是当使用等离子体增强化学气相沉积技术时,能通过调节沉积参数来减少张力。
先利用溶胶凝胶法制备出二氧化硅,然后同时利用碳热还原法和氮化对其中包含特细碳粒子的硅胶进行处理后得到氮化硅纳米线。硅胶中的特细碳粒子是由葡萄糖在1200-1350℃分解产生的。合成过程中涉及的反应可能是:
SiO2(s) + C(s) → SiO(g) + CO(g)3 SiO(g) + 2 N2(g) + 3 CO(g) → Si3N4(s) + 3 CO2(g) 或3 SiO(g) + 2 N2(g) + 3 C(s) → Si3N4(s) + 3 CO(g)