微电子技术是微小型电子元器件和电路的研制、生产、以及用它们实现电子系统功能的技术。在这个领域中，最关键的是集成电路(IC)技术，集成电路芯片的集成度正以三年四倍或两年三倍的速度提高。目前，集成电路制造技术的特征尺寸已达到亚微米深度，2001年将实现0.18技术的生产。同时，随着系统向高速度、低功耗、网络化、移动化方向的发展，系统集成芯片(SOC)技术正在迅猛发展。

电子科学与技术系在集成电路设计方面的工作目前已取得了较大进展，学校投资500万元组建了"集成电路设计中心"，为华为等国内大型企业设计了相关芯片，并与台湾等地的研究机构建立了合作关系，预计今后将会取得更大发展。</CN>

生物芯片(Bio-chip)是指能对生物分子及其所携带的信息进行集约化、并行化快速处理和分析的微型固体器件或集成系统。以高通量信息分析为特点的基因芯片可广泛应用于基因表达、突变检测、基因组多态性分析、基因文库作图、杂交测序、疾病诊断、药检、法医鉴定、环境监测等领域，是堪与计算机芯片媲美,又一具有划时代意义的革命性技术.

华中科技大学98年开始生物芯片研究开发。学校生物芯片研究开发中心由电子科学与技术系、同济医学院分子生物学中心、环境卫生系、中-加联合肿瘤早期诊断中心、同济医学院免疫中心、同济医院肝病研究所、协和医院检验科、生命科学与技术学院、化学系等相关学科的研究人员组成，现有近20名具有博士学位的教师，其中35岁以下的青年教师占教师总人数的三分之二以上。有从德国海德堡大学、Max-Planck生化研究所、美国耶鲁大学医学院、Genomic Solution 公司、香港大学、香港中文大学专门从事生物芯片及Si-MEMS技术研究的留学回国博士，已经形成了由博士生导师、教授、副教授、博士、博士后、博士生、硕士生组成的研究开发梯队。具备了集成电路芯片CAD设计、微电子及Si-MEMS加工、基因克隆与探针制备、纳米粒子分子识别、生化反应与分析、DNA测序、基片表面修饰、芯片检测及分析、临床诊断等技术优势。在基因克隆与探针制备、纳米探针修饰、疾病诊断DNA芯片制备、基片表面修饰、信号检测分析等方面的理论与实验研究中取得重要进展。 2000年9月，我校与清华大学、中国医学科学院、中国军事医学科学院等单位共同组建生物芯片国家工程研究中心，并发起组建了北京博奥生物芯片有限公司。目前主要研究开发实用型中、低密度重大疾病(如肝炎、性病、结核、肿瘤、遗传性疾病等)临床诊断与分析基因芯片。

自麦克斯韦创立电磁波理论以来, 电磁波已在移动通信、广播、雷达、电子加热、磁疗等很多领域内得到应用。用作国际间的远距离通信、调频广播、电视广播、数字式便携电话(800MHz)的MHz频段的电磁波。用在多信道、大容量传输信息卫星广播、无线电LAN通信等频率高达GHz的波段。最近, 开发高速率、高质量且能够在全世界范围内使用的新一代移动通信系统IMT-2000(国际移动电信2000), 该系统将使用新的频率〈2GHz, 带宽230MHz〉。另一方面, 随着计算机的发展与更加普及, 正在开发无线电LAN、多媒体都可以用的移动通信系统MMAC(多媒体移动访问通信)系统, 即在室内利用毫米波电磁波的大容量传送无线电LAN, 在室外用微波(360 GHz)电磁波可以25~30Mbps传送信息的系统。电磁波给人类生活带来了方便〕但与此同时, 用电磁波传送信息, 以信号向空间传播, 可能会变成干扰电磁波。特别是因现在数字电路成为主流的电子机器, 和原来使用模拟电路的电子机器相比,干扰电磁波更容易产生。此外, 除了用电磁波发生源有意发射的电磁波之外, 还存在电子设备、通信线路泄漏的电磁波, 开关电源开关时产生的瞬时电磁波, 这些不需要的电磁波, 将会妨碍其他电子机器的正常工作, 甚至使机器遭到破坏。最近的电子计算机, 随着处理速度的提高, 时钟脉冲频率增加, 它所产生的高次谐波噪声频率可达GHz波段。由电话网、电视网和计算机网组成的"三网合一"宽带网， 对环境电磁工程提出了更高的要求。

为了改善电磁环境, 世界上许多国家都制订颁布了多种电磁兼容(EMC)标准。抗EMC的具体办法有: 用金属包复电子机器, 屏蔽不需要的电磁波发生源, 优化电路设计, 减少回路面积, 尽量减少噪声, 在机器内部和传输线路上使用电磁干扰(EMI)滤波器、抑制器, 吸收或屏蔽发射噪声和传导噪声。然而,在估计今后用量将增加的GHz频段, 电路尺寸和电磁波的波长相同电路本身将变成天线, 发射电磁波, 或者接收的机率增大, 如只采用金属屏蔽和电路元件, 要减少EMI是很困难的。基于这种情况, 研制片状电磁波吸收体, 就显得愈加重要, 特别是高效抗GHz EMI电磁波吸收体的开发, 已成为高度信息化社会发展中的一个重大课题。

电子系在吸波与抗电磁干扰技术领域作出了较大成绩，欢迎有志青年加入该领域的研究

微波介质陶瓷:主要研究移动通信用微波介质滤波器、微波接受机发射机用大功率耦合器、卫星直播电视技术用高频振荡器等。

新型铁电压电陶瓷:主要研究新型弛豫铁电体、、高性能压电马达、压电陶瓷滤波器、电致伸缩材料及器件、微位移执行器、大功率压电换能器、压力传感器及压电陀螺和惯性器件等。

先进磁性材料:主要研究磁致致伸缩材料、静磁波延迟线、超高频Co2-Z型六角晶系材料、铁氧体光环行器等。

光电信息功能材料:主要研究电光陶瓷光调制器、氧化物及硫化物电致发光材料、非制冷红外焦平面传感器等。欢迎有志学子加入信息功能材料及器件的研究队伍，共创美好未来

及转让方式

这种磁感应加热器实际使用的功率很低，主要用于金属的局部加热、异形件的非接触加热，推广应用后可节约大量能源。转让及合作方式面议。

新信息功能陶瓷与现代科学技术进步、国民经济发展及人民生活的提高均有着非常密切的关系。在电子信息领域被广泛用作传感器材料、电阻材料、大容量电容材料、特种电感材料等。先进信息功能材料不仅是消费类电子产品的基础，同时也为国防现代化提供了可靠保障。一些功能元器件常常决定了军事电子装备和系统的特殊和关键功能，如精度、寿命、以及自动化、智能化的程度，故称为关键件、致命件。所以美国将一些频率器件、高导磁材料、微波器件、电池、激光器件等列入其出口商品控制清单。

电子科学与技术系是国内最早创建该专业的四所高校之一(西安交大、天津大学、成都电子科技大学及我校)。也是最早被批准的博士点之一。在信息功能材料领域取得了大批研究成果，研究水平及产业化方面居国内领先地位。电子科学与技术系目前从事的研究方向主要有:

表面贴装片式元器件(SMC):表面安装技术(SMT)使电子工业中的一个革命，SMT技术已成为电子信息行业不可阻挡的发展潮流，表面贴装元件(SMC)的制造是SMT的。主要研究片式电阻、片式敏感、特种片式元器件等。 敏感陶瓷:主要研究热敏、电压敏、光敏、磁敏、气敏、湿敏陶瓷传感材料等。

变压器的空载损耗包括铁损和铜损，铜损主要指原边电流流过原边绕组时产生的损耗，铁损由磁滞损耗和涡流损耗组成。磁滞损耗与导磁材料成正比，且与磁通密度的二次方成正比；而涡流损耗与磁通密度的二次方、导磁材料厚度的二次方、频率的二次方和导磁材料的厚度成正比，降低空载损耗就要降低磁通密度，其结果导致导磁材料的重量增加。或者采用高导磁，低损耗的导磁材料，或者采用厚度更薄的导磁材料。其结果都导致变压器成本的增加，而过薄的硅钢片又使铁芯的平面度降低导致铁芯的机械强度降低。

铁基/非铁基涂层测厚仪用磁性传感器测量钢、铁等铁磁质金属基体上的非铁磁性涂层、镀层。涂镀层测厚仪根据测量原理一般有以下五种类型:

适用导磁材料上的非导磁层厚度测量.导磁材料一般为:钢\铁\银\镍.此种方法测量精度 高

适用导电金属上的非导电层厚度测量.此种方法较磁性测厚法精度低

目前国内还没有用此种方法测量涂镀层厚度的,国外个别厂家有这样的仪器,适用多层涂镀层厚度的测量或则是以上两种方法都无法测量的场合.但一般价格昂贵\测量精度也不高.

此方法有别于以上三种,不属于无损检测,需要破坏涂镀层.一般精度也不高.测量起来较其他几种麻烦

此种仪器价格非常昂贵(一般在10万RMB以上),适用于一些特殊场合.

传感器特性与被测体的电导率б、磁导率ξ有关，当被测体为导磁材料(如普通钢、结构钢等)时，由于涡流效应和磁效应同时存在，磁效应反作用于涡流效应，使得涡流效应减弱，即传感器的灵敏度降低。而当被测体为弱导磁材料(如铜，铝，合金钢等)时，由于磁效应弱，相对来说涡流效应要强，因此传感器感应灵敏度要高。

不规则的被测体表面，会给实际的测量带来附加误差，因此对被测体表面应该平整光滑，不应存在凸起、洞眼、刻痕、凹槽等缺陷。一般要求，对于振动测量的被测表面粗糙度要求在0.4um~0.8um之间;对于位移测量被测表面粗糙度要求在0.4um~1.6um之间。

电涡流效应主要集中在被测体表面，如果由于加工过程中形成残磁效应，以及淬火不均匀、硬度不均匀、金相组织不均匀、结晶结构不均匀等都会影响传感器特性。在进行振动测量时，如果被测体表面残磁效应过大，会出现测量波形发生畸变。

被测体表面的镀层对传感器的影响相当于改变了被测体材料，视其镀层的材质、厚薄，传感器的灵敏度会略有变化。

由于探头线圈产生的磁场范围是一定的，而被测体表面形成的涡流场也是一定的。这样就对被测体表面大小有一定要求。通常，当被测体表面为平面时，以正对探头中心线的点为中心，被测面直径应大于探头头部直径的1.5倍以上;当被测体为圆轴且探头中心线与轴心线正交时，一般要求被测轴直径为探头头部直径的3倍以上，否则传感器的灵敏度会下降，被测体表面越小，灵敏度下降越多。实验测试，当被测体表面大小与探头头部直径相同，其灵敏度会下降到72%左右。被测体的厚度也会影响测量结果。被测体中电涡流场作用的深度由频率、材料导电率、导磁率决定。因此如果被测体太薄，将会造成电涡流作用不够，使传感器灵敏度下降，一般要求厚度大于0.1mm以上的钢等导磁材料及厚度大于0.05mm以上的铜、铝等弱导磁材料，则灵敏度不会受其厚度的影响。