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主要用于制备SiO2、SiNx薄膜。
使用衬底尺寸200mm*200mm;衬底温度最高为350℃,温度均匀性正负5℃;可用于沉积SiO2,SiNx薄膜;薄膜均匀性正负5%;可接入6路工艺气体;传送腔室最终压力小于10Pa;反应腔室最终压力小于2Pa。
等离子体聚合物在结构上与普通的聚合物显著不同,它能形成含有活性基团的高度交联的网络结构,从而具有良好的均匀性及对基质的附着性[1,2].有关采用等离子体聚合膜的TSM传感器的报道不多[3,4],本室已...
等离子体又叫做“电浆”,是由部分电子被剥夺后的原子及原子被电离后产生的正负电子组成的离子化气体状物质 在人工生成等离子体的方法中,气体放电法比加热的办法更加简便高效,如荧光灯、霓虹灯、电弧焊、电晕放电...
低温等离子体:适合的应用材料的表面清洗活化焊接,油漆,打印,密封,起泡,涂覆及硅化前表面活化处理。气体裂解和高效灭菌加速化学反应产品特点:突破低气压限制,可在大气压下引发等离子体;可对材料连续在线处理...
过滤真空弧等离子体沉积成膜系统的磁过滤管道传…
介绍了采用90°螺旋管的过滤真空弧等离子体沉成膜系统,对磁过滤管道的传输特性进行了实验研究,实验观察到,弧源聚焦磁场和过滤管道正偏压越高,过滤管道的传输效率越高,但聚焦磁场高过一定阈值时,会出现起弧不稳现象,此阈值的大小同过滤管道磁场及偏压的大小有关,过滤管道正偏压在40 ̄60V范围内,管道磁场在7 ̄11mT时传输效率较高,偏压越高达到最佳传输效率所需的过滤管道磁场越高。
常压化学气相沉积法制备Ti_5Si_3薄膜及其镀膜玻璃
以制备兼具阳光控制和低辐射功能的镀膜玻璃为目的,以硅烷与四氯化钛为反应前驱体,氮气为保护气体和稀释气体,通过常压化学气相沉积法模拟玻璃浮法在线镀膜工艺,在玻璃基板上成功制备了Ti5Si3薄膜,用X射线衍射、场发射扫描电子显微镜、四探针测阻仪和分光光度计对薄膜的相结构、形貌、电学、光学性能进行了表征。结果表明:薄膜为六方结构的Ti5Si3晶相,晶相含量较高,晶粒尺寸为23nm,薄膜中的晶粒以200nm左右的多晶颗粒团聚体形式存在。薄膜电阻率为122μΩ·cm,与Ti5Si3晶体的本征电阻率相当。这种单层镀膜玻璃的红外反射率可高达92.1%,可见光区的透过率为25%,兼具阳光控制和低辐射功能。
低温成膜,温度对基片影响小,可制备厚膜,膜层成分均匀;等离子体对基片有清洗作用;该设备主要应用等离子体化学气相沉积技术,用来制作SiO2、SiN4、非品Si等介电、半导体及金属膜。
直径450*H400mm,真空极限优于6.7*10-5Pa,频率13.56MHz.低温成,温度对基片影响小,可制备厚膜,膜层成分均匀,等离子体对基片有清洗作用。
薄膜材料。