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等离子体增强化学气相沉积镀膜机

等离子体增强化学气相沉积镀膜机是一种用于化学领域的工艺试验仪器,于2019年12月6日启用。

等离子体增强化学气相沉积镀膜机基本信息

等离子体增强化学气相沉积镀膜机主要功能

主要用于制备SiO2、SiNx薄膜。

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等离子体增强化学气相沉积镀膜机造价信息

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等离子体静电空气净化装置

  • VBK-Z-7500 980×945×210
  • 伟一(V1)
  • 13%
  • 东莞市伟一环境科技有限公司
  • 2022-12-07
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等离子体静电空气净化装置

  • VBK-Z-10500 980×1392×210
  • 伟一(V1)
  • 13%
  • 东莞市伟一环境科技有限公司
  • 2022-12-07
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等离子体静电空气净化装置

  • VBK-Z-12000 980×1520×210
  • 伟一(V1)
  • 13%
  • 东莞市伟一环境科技有限公司
  • 2022-12-07
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等离子体静电空气净化装置

  • VBK-Z-3000 490×760×210
  • 伟一(V1)
  • 13%
  • 东莞市伟一环境科技有限公司
  • 2022-12-07
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等离子体静电空气净化装置

  • VBK-Z-4500 980×566×210
  • 伟一(V1)
  • 13%
  • 东莞市伟一环境科技有限公司
  • 2022-12-07
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消防电源监控模块

  • 智能型
  • 韶关市2022年3月信息价
  • 建筑工程
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消防电源监控模块

  • 智能型
  • 韶关市2021年12月信息价
  • 建筑工程
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消防电源监控模块

  • 智能型
  • 韶关市2021年11月信息价
  • 建筑工程
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消防电源监控模块

  • 智能型
  • 韶关市2022年10月信息价
  • 建筑工程
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消防电源监控模块

  • 智能型
  • 韶关市2022年9月信息价
  • 建筑工程
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等离子体净化装置

  • 1.型号:VBK-HD-13B2.规格:风量=1360/h
  • 3台
  • 3
  • 中高档
  • 含税费 | 含运费
  • 2021-09-29
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等离子体净化装置

  • 1.型号:VBK-HD-13B2.规格:风量=1360/h
  • 3台
  • 3
  • 中高档
  • 含税费 | 含运费
  • 2021-10-15
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等离子体空气净化消毒

  • 等离子体空气净化消毒1.型式:等离子体空气净化消毒2.规格:积≤60m3
  • 20只
  • 1
  • 中档
  • 不含税费 | 含运费
  • 2022-07-04
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电感耦合等离子体质谱仪

  • 参数配置详见附件
  • 1台
  • 1
  • 中档
  • 含税费 | 含运费
  • 2020-09-21
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光氢等离子体空气净化消毒

  • (1)名称:光氢等离子体空气净化消毒UVP-20-50(2)规格:风量:8000-14000m3/h功率:20W/220V
  • 5台
  • 1
  • 中高档
  • 含税费 | 含运费
  • 2021-05-08
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等离子体增强化学气相沉积镀膜机技术指标

使用衬底尺寸200mm*200mm;衬底温度最高为350℃,温度均匀性正负5℃;可用于沉积SiO2,SiNx薄膜;薄膜均匀性正负5%;可接入6路工艺气体;传送腔室最终压力小于10Pa;反应腔室最终压力小于2Pa。

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等离子体增强化学气相沉积镀膜机常见问题

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等离子体增强化学气相沉积镀膜机文献

过滤真空弧等离子体沉积成膜系统的磁过滤管道传… 过滤真空弧等离子体沉积成膜系统的磁过滤管道传…

过滤真空弧等离子体沉积成膜系统的磁过滤管道传…

格式:pdf

大小:126KB

页数: 5页

介绍了采用90°螺旋管的过滤真空弧等离子体沉成膜系统,对磁过滤管道的传输特性进行了实验研究,实验观察到,弧源聚焦磁场和过滤管道正偏压越高,过滤管道的传输效率越高,但聚焦磁场高过一定阈值时,会出现起弧不稳现象,此阈值的大小同过滤管道磁场及偏压的大小有关,过滤管道正偏压在40 ̄60V范围内,管道磁场在7 ̄11mT时传输效率较高,偏压越高达到最佳传输效率所需的过滤管道磁场越高。

常压化学气相沉积法制备Ti_5Si_3薄膜及其镀膜玻璃 常压化学气相沉积法制备Ti_5Si_3薄膜及其镀膜玻璃

常压化学气相沉积法制备Ti_5Si_3薄膜及其镀膜玻璃

格式:pdf

大小:126KB

页数: 6页

以制备兼具阳光控制和低辐射功能的镀膜玻璃为目的,以硅烷与四氯化钛为反应前驱体,氮气为保护气体和稀释气体,通过常压化学气相沉积法模拟玻璃浮法在线镀膜工艺,在玻璃基板上成功制备了Ti5Si3薄膜,用X射线衍射、场发射扫描电子显微镜、四探针测阻仪和分光光度计对薄膜的相结构、形貌、电学、光学性能进行了表征。结果表明:薄膜为六方结构的Ti5Si3晶相,晶相含量较高,晶粒尺寸为23nm,薄膜中的晶粒以200nm左右的多晶颗粒团聚体形式存在。薄膜电阻率为122μΩ·cm,与Ti5Si3晶体的本征电阻率相当。这种单层镀膜玻璃的红外反射率可高达92.1%,可见光区的透过率为25%,兼具阳光控制和低辐射功能。

等离子体增强化学气相沉积设备主要功能

低温成膜,温度对基片影响小,可制备厚膜,膜层成分均匀;等离子体对基片有清洗作用;该设备主要应用等离子体化学气相沉积技术,用来制作SiO2、SiN4、非品Si等介电、半导体及金属膜。

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等离子体增强化学气相沉积设备技术指标

直径450*H400mm,真空极限优于6.7*10-5Pa,频率13.56MHz.低温成,温度对基片影响小,可制备厚膜,膜层成分均匀,等离子体对基片有清洗作用。

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等离子体增强化学气相沉积系统主要功能

薄膜材料。

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