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等离子体增强化学气相沉积镀膜机技术指标

2022/07/16216 作者：佚名
导读：使用衬底尺寸200mm*200mm；衬底温度最高为350℃，温度均匀性正负5℃；可用于沉积SiO2，SiNx薄膜；薄膜均匀性正负5%；可接入6路工艺气体；传送腔室最终压力小于10Pa；反应腔室最终压力小于2Pa。

使用衬底尺寸200mm*200mm；衬底温度最高为350℃，温度均匀性正负5℃；可用于沉积SiO2，SiNx薄膜；薄膜均匀性正负5%；可接入6路工艺气体；传送腔室最终压力小于10Pa；反应腔室最终压力小于2Pa。

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