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在电感、电容串联的L-C回路中,如果容抗大于感抗,即回路固有振荡角频率
为了限制电容效应引起的工频电压升高,在超高压电网中,广泛采用并联电抗器来补偿线路的电容电流,以削弱其电容效应 。2100433B
超高压输电线路距离较长,输电线路的电容不能忽略,此时就必须考虑线路的电容效应。
长距离输电线路空载或轻载时由于线路容抗大于线路感抗,在电源电动势的作用下,线路中通过的电容电流在感抗上的压降将使容抗上的电压高于电源电动势,即空载线路上的电压高于电源电压,致使沿线电压分布不均,末端电压最高。这就是空载或轻载线路的电容效应,又称费兰梯效应(Ferranti effect)。超高压输电系统空载线路的电容效应是引起工频过电压的主要原因,这种过电压虽然对系统正常绝缘的电气设备一般没有危害 ,但在超高压远距离输电确定绝缘水平时却起着重要作用 。
超高压远距离输电线路,要考虑它的分布参数特征。对于三相对称、稳态、均匀的线路,可以取单相线路进行计算,计算时取正序参数。单相线路示意图如图1所示。
图1中:Z1、y1分别为单位长度线路的阻抗和导纳,
线路末端电压U2和电流I2为已知值时的线路稳态方程为:
式中:
对于空载无损线路:
则线路末端电压与首端电压关系为
距线路末端x处的电压为
由式(4)可见:均匀空载线路沿线电压呈余弦升高,末端电压最高。它主要起源于由输电线路对地电容引起的无功过剩,线路越长,无功过剩越多,从而沿线电压升高越明显。在我国超高压系统中,要求线路侧工频过电压不大于最高运行相电压的1.4倍,母线侧不大于1.3倍。因此,应当采取措施抑制工频电压升高 。
1)超高压输电线路在空载或轻载时会出现工频电压升高,如不采取措施,对设备绝缘及其运行条件产生重大影响,影响保护电器的工作条件和效果。
2)采用分段并联电抗器的无功补偿措施可有效抑制工频电压升高,沿线设置的并联电抗器数越多,效果越好。并联电抗器的数量和补偿度的确定应考虑技术和经济的因素。
3)仅一处并联电抗器时,在末端最佳;线路末端压将给变电站无功补偿、电压控制带来困难 。
电容器的电容量表示电容器在极板上储存电荷的能力, C = Q / U,电荷(Q,库仑)与电容器极板两端的电位差(U,伏)之比,称为电容器的电容量(C,法拉),在数值上等于极板两端每升高一伏电压...
平行板电容器电容的定义式:C=决定式是:c=电容量任何两块金属导体中间用绝缘体隔开就形成了电容器.金属板称为极板 ,绝缘体称为介质 电容器极板上的带电量Q与电容器两端电压U之比称为电容量C,既 C =...
电器的定义
1. 电器的定义 :电器就是根据外界施加信号和要求,能手动或自动地款开或接通电路,断 续或连续的改变电路参数,以实现对电或非电对象的切换,控制,检测,保护,变换和 调节的电工器械。 2. 低压电器的定义 :低压电器通常指工作在直流电压 1500V 以下,交流电压 1200V 以下 的电器。 3. 电磁式低压电器由触头, 灭弧装置和电磁机构组成, 其中触头和灭弧装置称为触点系统。 4. 触点的接通形式有点接触,线接触,面接触三种。 5. 触头的结构形式主要有单断点指形触头和双断点桥式触头。 6. 电弧的定义 :电弧实际上是一种气体放点现象。所谓气体放点就是气体中有大量的带电 质点做定向运动。 7. 灭弧的主要方法: a多断点灭弧 b 磁吹式灭弧 c 灭弧栅 d 灭弧罩 8. 电磁机构的作用 :电磁机构是电磁式低压电器的感测部件,他的作用是将电磁能量转换 成机械能量,带动触头动作使之闭合或断开
弱化分数定义教学沉锚负效应的策略研究
学生已有的经验、思维方式和习惯常使后续的思维活动趋于一定的方向,就像沉入海底的锚一样,把思维固定在了某一处。心理学把这种现象称为沉锚效应。沉锚效应对当前学习既有积极的作用,也有消极的影响。笔者在分数教学中,就感受到了较为明显的沉锚负效应。
PN结的电容效应限制了二极管三极管的最高工作效率,PN结的电容效应将导致反向时交流信号可以部分通过PN结,频率越高则通过越多。
二极管,三极管反向的时候,PN结两边的N区和P区仍然是导电的,这样两个导电区就成了电容的两个电极。从而构成PN结的电容效应。
为了减小这个电容,会减小PN结面积或增加PN结厚度,并且一般用势垒电容,扩散电容来等效。
采用平衡法或中和法可以适当地减弱密勒电容的影响。中和方法即是在晶体管的输出端与输入端之间连接一个所谓中和电容,并且让该中和电容上的电压与密勒电容上的电压相位相反,使得通过中和电容的电流恰恰与通过密勒电容的电流方向相反,以达到相互抵消的目的;当然,为了有效地抑制密勒效应,即应该要求中和电容与密勒电容正好完全匹配(实际上,由于作为密勒电容的晶体管输出电容往往与电压有关,所以很难完全实现匹配,因此需要进行多种改进)。
电容是一种能储存电荷(充电)和释放电荷(放电)的元件
PN结电容包括势垒电容和扩散电容.
PN结交界处存在势垒区.结两端电压变化引起积累在此区域的电荷数量的改变,从而显现电容效应.
当所加的正向电压升高时,PN结变窄,空间电荷区变窄,结中空间电荷量减少,相当于电容放电.同理,当正向电压减小时,PN结变宽,空间电荷区变宽,结中空间电荷量增加,相当于电容充电.加反向电压升高时,一方面会使耗尽区变宽,也相当于对电容的充电.加反向电压减少时,就是P区的空穴、N区的电子向耗尽区流,使耗尽区变窄,相当于放电.。
PN结电容算法与平板电容相似,只是宽度会随电压变化。
在PN结反向偏置时,少子数量很少,电容效应很少,也就可以不考虑了。在正向偏置时,P区中的电子,N区中的空穴,会伴着远离势垒区,数量逐渐减少。即离结近处,少子数量多,离结远处,少子的数量少,有一定的浓度梯度。
正向电压增加时,N区将有更多的电子扩散到P区,也就是P区中的少子----电子浓度、浓度梯度增加。同理正向电压增加时,N区中的少子---空穴的浓度、浓度梯度也要增加。相反,正向电压降低时,少子浓度就要减少。从而表现了电容的特性。