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非晶硅/晶体硅异质结太阳电池

《非晶硅/晶体硅异质结太阳电池》是由化学工业出版社出版的图书，作者是沃尔夫冈·瑞纳·法赫纳。

非晶硅/晶体硅异质结太阳电池基本信息

书名非晶硅/晶体硅异质结太阳电池
别名Amorphous Silicon、Crystalline Silicon Heterojunction Solar Cells
作者沃尔夫冈·瑞纳·法赫纳
类别科技
出版社化学工业出版社
出版时间2014年6月1日
页数111 页
开本16 开
语种简体中文

非晶硅/晶体硅异质结太阳电池作者简介

作者：（德国）沃尔夫冈·瑞纳·法赫纳（Wolfgang Rainer Fahrner）

非晶硅/晶体硅异质结太阳电池造价信息

市场价
信息价
询价

UPS蓄电池

规格型号：
12V150AH
价格行情：
材料单位：
块
材料品牌：
联科
材料税率：
13%
供应商：
山东科普电源系统有限公司
报价时间：
2022-12-08

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UPS蓄电池

规格型号：
型号:12V100AH参数:输出电压:12V额定容量:100AH
价格行情：
材料单位：
只
材料品牌：
联科
材料税率：
13%
供应商：
山东科普电源系统有限公司
报价时间：
2022-12-08

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20w/10v硅太阳能电池

规格型号：
20w/10v硅太阳能电池
价格行情：
材料单位：
组
材料品牌：
材料税率：
13%
供应商：
淮安市九洲航标有限公司
报价时间：
2022-12-08

查看价格

20w/10v硅太阳能电池

规格型号：
20w/10v硅太阳能电池
价格行情：
材料单位：
组
材料品牌：
材料税率：
13%
供应商：
赛孚航标电器有限公司
报价时间：
2022-12-08

查看价格

20w/10v硅太阳能电池

规格型号：
20w/10v硅太阳能电池
价格行情：
材料单位：
组
材料品牌：
材料税率：
13%
供应商：
广州翔曦能源科技有限公司
报价时间：
2022-12-08

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电池

规格型号：
7Ah12V
价格行情：
材料单位：
节
材料税率：
地区时间：
云浮市2012年2季度信息价
所属行业：
建筑工程
备注说明：

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电池

规格型号：
10Ah12V
价格行情：
材料单位：
节
材料税率：
地区时间：
云浮市2012年2季度信息价
所属行业：
建筑工程
备注说明：

查看价格

电池

规格型号：
14Ah12V
价格行情：
材料单位：
节
材料税率：
地区时间：
云浮市2012年2季度信息价
所属行业：
建筑工程
备注说明：

查看价格

电池

规格型号：
10Ah12V
价格行情：
材料单位：
节
材料税率：
地区时间：
云浮市2012年1季度信息价
所属行业：
建筑工程
备注说明：

查看价格

电池

规格型号：
10Ah12V
价格行情：
材料单位：
节
材料税率：
地区时间：
云浮市2011年4季度信息价
所属行业：
建筑工程
备注说明：

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单晶硅太阳电池组件

规格型号：
TDB103X103-36-P(58W)
需求量：
2件
报价数：
1
材料品牌：
材料档次：
费用说明：
含税费 | 含运费
询价时间：
2010-03-02

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水晶硅防火玻璃

规格型号：
水晶硅防火玻璃
需求量：
1000m²
报价数：
1
材料品牌：
材料档次：
中高档
费用说明：
含税费 | 含运费
询价时间：
2021-08-09

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晶体硅光伏组件

规格型号：
1、外形尺寸:2094mm×1038mm×35mm2、峰值功率(Pmax)阅45Wp3、玻璃盖板:3.2 mm布纹钢化玻4、输出582块电缆:1×mmm2 ,长约1.0米5、组件重量(kg):23.3.
需求量：
582块
报价数：
1
材料品牌：
材料档次：
中档
费用说明：
不含税费 | 不含运费
询价时间：
2022-07-04

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硅PU

规格型号：
8mm晶透耐磨硅PU面层
需求量：
660m²
报价数：
3
材料品牌：
材料档次：
中档
费用说明：
含税费 | 含运费
询价时间：
2020-05-29

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晶体硅光伏发电组件

规格型号：
LR6-60-275M
需求量：
1瓦(W)
报价数：
1
材料品牌：
乐叶光伏科技有限公司
材料档次：
中高档
费用说明：
含税费 | 不含运费
询价时间：
2018-06-15

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非晶硅/晶体硅异质结太阳电池图书目录

AmorphousSilicon/CrystallineSiliconHeterojunctionSolarCells. 1Introduction 1.1BasicStructure 1.2Historyofa-Si:H/c-SiDeviceDevelopment 1.3EconomicAspects 2UsefulMaterialParameters 2.1UsefulDataofMonocrystallineSilicon 2.2UsefulDataofMulticrystallineSilicon 2.3UsefulDataofMicrocrystallineSilicon 2.4UsefulDataofAmorphousSiliconwithRespecttoHeterojunctionSolarCells 3Manufacturing 3.1LappingandPolishing 3.2Texturing 3.3Cleaning 3.4PECVDofi-,n-,andp-Layers 3.5TCO 3.6MetallizationandScreenPrinting 4Concepts 4.1Conventionalna-Si:H/pc-SiCell 4.2Bifaciala-Si:H/c-SiHeterojunctionSolarCellwithIntrinsicThinLayer,HITStructure 4.3a-Si:H/c-SiHeterocontactCellWithouti-Layer 4.4OtherConceptsforImprovedEntranceWindows 4.5a-Si:H/c-SiHeterocontactCellwithInvertedGeometry 4.6InterdigitatedHITCell 5ProblemsandChallenges 5.1ChoiceoftheBaseMaterial,ImpactoftheDoping,n/pVersusp/n 5.2SurfaceStates 5.3SurfacePassivation 5.4PECV-DepositedEmitterandBackSurfaceField 6MeasurementTechniques 6.1Absorption,Reflection,andTransmission 6.2ExcessChargeCarrierLifetime 6.3Electroluminescence 6.4a-SiCharacterization 6.5ElectronicDeviceCharacterization 7Simulation 7.1AFORS-HET 7.2ComparisonwithExperiments 8Long-TermStabilityandDegradation 8.1Long-TermStability 8.2RadiationHardness 9StateoftheArt 10Silicon-BasedHeterojunctionSolarCellsinChina 10.1IntroductionoftheActiveGroupsinthisAreainChina. 10.2ExperimentalStudies 10.3TheoreticalSimulation References2100433B

非晶硅/晶体硅异质结太阳电池内容简介

非晶硅/晶体硅异质结太阳电池（AmorphousSilicon/CrystallineSiliconHeterojuncionSolarCells）是太阳电池中深具代表性的一类，具有开路电压高、填充因子高、转换效率高等优点，具有广阔的技术进步空间和市场发展前景。 沃尔夫冈·瑞纳·法赫纳主编的《非晶硅晶体硅异质结太阳电池(精)》介绍了非晶硅/晶体硅异质结太阳电池的基本结构和制备技术，讨论了其市场潜力，概述了非晶硅/晶体硅异质结太阳电池的发展历史，论述了其构成材料及能带结构，分步详解了其制备工艺，包括抛光、腐蚀、制绒、本征层、背电场、减反射层及金属层沉积等；本书还对其结构的合理性进行了论证。非晶硅/晶体硅异质结太阳电池现阶段的主要问题及挑战有：基础材料的选择、n/p结构或者p/n结构的选择，表面缺陷态、晶硅表面钝化效果的优化、发射极和背电场层。对于测试分析技术，本书部分列举了反射、透过、微波测试技术、光学及光电测试、椭偏仪、拉曼光谱、光/暗IV曲线、量子效率、光诱导电流等。本书还采用AFORS-HET软件模拟分析太阳电池的性能并与实验相比较验证，并对非晶硅/晶体硅异质结太阳电池的衰减特性和耐辐射特性进行了测试。本书结尾列举了当前实验室研究所获得的最优太阳电池效率和中国目前相关研究和产业现状。 本书可供从事新能源材料、太阳能光伏以及半导体材料等领域的科技工作者和企业工程师作为参考，也可作为大专院校相关专业师生的教学参考书。

非晶硅/晶体硅异质结太阳电池常见问题

非晶硅和晶体硅到底哪个好?

建议使用适合自身情况的，详情如下：非晶硅跟单晶硅和多晶硅的区别1、结构组成：单晶硅是硅的单晶体，具有基本完整的点阵结构的晶体。不同的方向具有不同的性质，是一种良好的半导材料。多晶硅是单质硅的一种形...
多晶硅薄膜太阳电池和多晶硅太阳电池的区别有哪些？

你好，多晶硅电池与多晶硅薄膜电池的主要区别在与两个方面： 1。成品电池的衬底不同，多晶硅电池衬底是多晶硅，全是硅材料。多晶硅薄膜电池衬底一般式石英或者玻璃 2.表面涂...
谁知道非晶硅薄膜太阳电池转换率现在能达到多少？

就是不是用硅晶体薄膜做的太阳能电池吧！！！ 1. 多元化合物薄膜太阳能电池转换效率可达28% &nb...

非晶硅/晶体硅异质结太阳电池文献

晶体硅太阳电池工艺技术新进展-副本-副本

晶体硅太阳电池工艺技术新进展-副本-副本

晶体硅太阳电池工艺技术新进展-副本-副本

格式：pdf

大小：447KB

页数： 5页

晶体硅太阳电池工艺技术新进展 3 赵汝强 ,梁宗存 ,李军勇 ,金井升 ,沈　辉 (中山大学太阳能系统研究所 ,广东省教育厅太阳能重点实验室 ,国家新能源工程技术研究中心华南分中心 ,广州 510006 ) 摘要　　晶体硅太阳电池是目前技术最成熟、应用最广泛的太阳电池。以晶体硅太阳电池的生产流程为基础 , 主要从提高电池转换效率和降低生产成本出发 ,介绍了晶体硅太阳电池制造技术的最新进展和成果 ,并对各种制备工艺进行了评价。关键词　　晶体硅太阳电池　制备工艺　最新进展 New Develop ment of Manufact ure Technology of Crystalline Silicon Solar Cells ZHAO Ruqiang , L IAN G Zongcun , L I Junyong , J IN Jinsheng , SH EN Hui (

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双面玻璃晶体硅太阳电池组件封装工艺

双面玻璃晶体硅太阳电池组件封装工艺

双面玻璃晶体硅太阳电池组件封装工艺

格式：pdf

大小：447KB

页数： 3页

对双面玻璃晶体硅太阳电池组件的封装工艺进行了研究,探讨了玻璃-EVA(乙烯和醋酸乙烯酯的共聚物)-太阳电池-EVA-玻璃封装方法存在的问题,详细提出了改善和解决这些问题的途径和方法。

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非晶硅/晶体硅异质结太阳能电池简介

中文名称 非晶硅/晶体硅异质结太阳能电池 英文名称 amorphous/crystalline silicon heterojunction solar cell 定　　义 由掺杂非晶硅发射区、极薄非晶硅本征层(数纳米厚)和晶体硅基区构成的异质结电池。用以改善电池表面的钝化特性和降低电池的制备温度(200℃以下)。 应用学科 材料科学技术（一级学科），半导体材料（二级学科），非晶和微晶半导体材料（三级学科）

非晶硅太阳电池技术优势

（1）材料和制造工艺成本低 首先，非晶硅太阳能电池可以节省很多的硅材料。非晶硅具有较高的光吸收系数，特别是在0.3-0.75μm的可见光波段，它的吸收系数比单晶硅要高出一个数量级，因而它比单晶硅对太阳辐射的吸收效率要高40倍左右，用很薄的非晶硅膜就能吸收90%有用的太阳光能。一般情况下非晶硅电池的厚度小于0.5um ，而晶体硅太阳电池的基本厚度为240-270um，相差200多倍，因此非晶硅太阳能电池要节省很多的硅材料。材料是生产高纯多晶硅过程中使用的硅烷，这种气体，化学工业可大量供应，且价格十分便宜。 由于反应温度低，可在200℃左右的温度下制造，因此可以在玻璃、不锈钢板、陶瓷板、柔性塑料片上淀积薄膜，易于大面积化生产，成本较低。单节非晶硅薄膜太阳能电池的生产成本目前可降到1.2美元/Wp。叠层非晶硅薄膜电池的成本可降至1美元/Wp以下。 综上，从原材料及生产工艺上来考虑，非晶硅的生产相对来说成本很低，并且这也成为非晶硅太阳能电池最大的优势。 （2）能量返回期短 由于制造非晶硅电池原材料及较低温生产能源消耗少，在每一阶段,制造非晶硅太阳能电池所需消耗的电能比生产单晶硅太阳能电池少,因此它的能量返回期较短。以转换效率为6%的非晶硅太阳电池，其生产用电约1.9度电/瓦，由它发电后返回的时间约为1.5-2年，能量返回期短。而其他多晶硅、单晶硅电池的发电返回时间一般6年以上。 （3）适于大批量生产 非晶硅材料是由气相淀积形成的，目前已被普遍采用的方法是等离子增强型化学气相淀(PECVD)法。此种制作工艺可以连续在多个真空淀积室完成，从而实现大批量生产。采用玻璃基板的非晶硅太阳能电池，其主要工序（PECVD）与TFT-LCD阵列生产相似，生产方式均具有自动化程度高、生产效率高的特点。 （4）品种多，用途广 晶硅可以在任何形状的基底上制作，并且可以可以在柔性基底或者很薄的不锈钢和塑料基底上制备超轻量级的太阳能电池；非晶硅太阳电池可做成集成型，器件功率、输出电压、输出电流都可自由设计制造，可以较方便地制作出适合不同需求的多品种产品。可以较方便地制作出适合不同需求的多品种产品。由于光吸收系数高，暗电导很低，适合制作室内用的微低功耗电源，如手表电池、计算器电池等；由于a-Si膜的硅网结构力学性能结实，适合在柔性的衬底上制作轻型的太阳能电池；灵活多样的制造方法，可以制造建筑集成的电池，适合用户屋顶电站的安装。 （5）高温性能好 当太阳能电池工作温度高于标准测试温度25℃时，其最佳输出功率会有所下降；非晶硅太阳能电池受温度的影响比晶体硅太阳能电池要小得多。 （6）弱光响应好、充电效率高 非晶硅材料的吸收系数在整个可见光范围内，在实际使用中对低光强光有较好的适应。

平面异质结有机太阳能电池3平面异质结

经过几十年发展，有机太阳能电池已经形成多种结构体系，根据活性层中有机半导体材料的不同可分为单质结、平面异质结、体异质结等结构。其中平面异质结是以往采用最为普遍的一种有机太阳能电池结构。 早在 1986 年，有机光电子器件领域著名的C. W. Tang教授就制备了由两种共轭小分子有机材料组成的光伏器件，当时这个器件实现大约 1%的能量转换效率。在平面体异质结光伏器件中，电极间有两种不同的物质层，形成层叠的双层薄膜。由于这两种物质层在电子亲和性和电离能方面存在差异，两种物质层界面间存在静电力。两种物质层所用的材料要尽可能使这种差异更大，从而使局部电场大到足以使激子分离。两种不同的材料中拥有较高电子亲和性和电离能的是电子受体，另外一种材料为提供电子的吸光体，为电子给体。 电子给体中产生的激子可以扩散到与电子受体的分界面上并分离，空穴保留在给体中而电子进入到受体里。平面异质结太阳能电池中，虽然电子给体和电子受体之间的界面有较大面积，但激子只能在界面区域分离，因为有机半导体中载流子输运距离是很短的，大约是在10 nm的量级，而为了保证足够的光吸收，活性层厚度又往往需要大于这个距离(至少是100 nm), 所以离界面较远处产生的激子往往还没到达界面就复合了。另外，有机材料载流子迁移率通常都比较低，从界面上分离出来的载流子在向电极运动的过程中大量损失。这两点制约了平面异质结光伏电池的能量转换效率的提高。

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