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复合平带

复合平带简介

中文名称
复合平带
英文名称
laminated belt
定  义
由尼龙片基或涤纶绳为承载层,工作面贴铬鞣革或挂胶帆布等层压而成的平带。
应用学科
机械工程(一级学科),传动(二级学科),带传动(三级学科)

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复合平带造价信息

  • 市场价
  • 信息价
  • 询价

铝塑复合带

  • 材 铝90%+膜10% 厚0.12mm
  • t
  • 13%
  • 武汉图华通信材料有限公司
  • 2022-12-06
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垫活接

  • 品种:活接头;材质:可锻铸铁;表面处理:冷镀锌;公称直径DN(mm):20;规格:20;
  • 迈克
  • 13%
  • 青海国建商贸有限公司
  • 2022-12-06
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垫活接

  • 品种:活接头;材质:可锻铸铁;表面处理:无处理;公称直径DN(mm):15;规格:15;
  • 迈克
  • 13%
  • 青海国建商贸有限公司
  • 2022-12-06
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垫活接

  • 品种:活接头;材质:可锻铸铁;表面处理:无处理;公称直径DN(mm):25;规格:25;
  • 迈克
  • 13%
  • 青海国建商贸有限公司
  • 2022-12-06
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垫活接

  • 品种:活接头;材质:可锻铸铁;表面处理:冷镀锌;公称直径DN(mm):100;规格:100;
  • 迈克
  • 13%
  • 青海国建商贸有限公司
  • 2022-12-06
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钻机

  • 直径100内
  • 台班
  • 韶关市2010年8月信息价
  • 建筑工程
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多辊板料样

  • 厚度×宽度 10×2000mm
  • 台班
  • 广州市2008年2季度信息价
  • 建筑工程
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多辊板料样

  • 厚度×宽度 10×2000mm
  • 台班
  • 广州市2007年4季度信息价
  • 建筑工程
查看价格

多辊板料样

  • 厚度×宽度 16×2000mm
  • 台班
  • 广州市2007年4季度信息价
  • 建筑工程
查看价格

多辊板料样

  • 厚度×宽度 16×2000mm
  • 台班
  • 广州市2007年3季度信息价
  • 建筑工程
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折叠复合支架540

  • 折叠复合支架540
  • 180根
  • 2
  • 中档
  • 含税费 | 含运费
  • 2018-01-05
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折叠复合支架355

  • 折叠复合支架355
  • 180根
  • 2
  • 中档
  • 含税费 | 含运费
  • 2018-01-05
查看价格

复合胶带

  • Wintape AT 复合胶带 宽50mmx长30m/卷
  • 5133卷
  • 1
  • 普通
  • 含税费 | 不含运费
  • 2015-07-10
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复合板装饰门

  • 复合板装饰门
  • 100m²
  • 2
  • 轩之星
  • 中档
  • 不含税费 | 含运费
  • 2021-05-21
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壁钢塑复合管DN800

  • 壁钢塑复合管 DN800
  • 0自定
  • 1
  • 不含税费 | 不含运费
  • 2010-05-21
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复合平带常见问题

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复合平带文献

[PPT]关于复合地基复合模量 [PPT]关于复合地基复合模量

[PPT]关于复合地基复合模量

格式:ppt

大小:855KB

页数: 未知

[PPT]关于复合地基复合模量——------建研院地基所-----   《关于复合地基复合模量》讲稿   注:共34页幻灯片。   

复合桩基与复合地基 复合桩基与复合地基

复合桩基与复合地基

格式:pdf

大小:855KB

页数: 4页

复合桩基与复合地基——鉴于目前复合桩基、复合地基概念上的混淆,从不同侧面,讲述了复合桩基和复合地基之间的联系和区别。 为区分这两种新型的基础形式,进而更合理的利用它们,提供一些有益的参考。

平带电压概念

平带状态一般是指理想MOS系统中各个区域的能带都是拉平的一种状态。对于实际的MOS系统,由于金属-半导体功函数差φms和Si-SiO2系统中电荷Qf 的影响, 在外加栅极电压为0 时,半导体表面的能带即发生了弯曲,从而这时需要另外再加上一定的电压才能使能带拉平,这个额外所加的电压就称为平带电压

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平带电压平带电压测定

对于体相的半导体材料而言,我们可以通过Mott-Schottly公式推算,进行简化戳通过作图大体上计算出其平带电位,但是对于纳米级别的半导体材料则主要是通过仪器的直接测定。

电化学方法:在三电极体系下,使用入射光激发半导体电极,并改变电极上的电势。当施加的电位比平带电位偏负的时候,光生电子不能够进入外电路,也就是说不会产生光电流。相反,当施加的电位比平带电位偏正的时候,光生电子则能偶进入外电路,进而产生光电流。所以开始产生光电流的电势即为该纳米半导体的平带电位。

光谱电化学方法:该方法同样是在三电极体系下,对半导体纳米晶施加不同的电位,测量其在固定波长下吸光度的变化。基本的原理与电化学方法大体相同。当电极电位比平带电位正时,吸光度不发生变化;偏负时则急剧上升。因为,吸光度开始急剧上升的电位即为纳米半导体的平带电位。

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平带电压关系

MOS的阈值电压是指使半导体表面产生反型层(即沟道)时所需要外加的栅极电压。

如果存在平带电压,栅压超过平带电压的有效电压使得半导体表面出现空间电荷层(耗尽层),然后再进一步产生反型层;故总的阈值电压中需要增加一个平带电压部分。

由于平带电压中包含有Si-SiO2系统中电荷Qf 的影响,而这些电荷与工艺因素关系很大,故在制作工艺过程中需要特别注意Na离子等的沾污,以便于控制或者获得预期的阈值电压。

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