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功率半导体模块基本介绍

功率半导体模块基本介绍

功率半导体器件以功率金属氧化物半导体场效应晶体管(功率mosfet，常简写为功率mos)、绝缘栅双极晶体管(igbt)以及功率集成电路(power ic，常简写为pic)为主。这些器件或集成电路能在很高的频率下工作，而电路在高频工作时能更节能、节材，能大幅减少设备体积和重量。尤其是集成度很高的单片片上功率系统(power system on a chip，简写psoc)，它能把传感器件与电路、信号处理电路、接口电路、功率器件和电路等集成在一个硅芯片上，使其具有按照负载要求精密调节输出和按照过热、过压、过流等情况自我进行保护的智能功能。国际专家把它的发展喻为第二次电子学革命。

功率半导体模块造价信息

市场价
信息价
询价

输入模块

规格型号：
RF1300
价格行情：
材料单位：
只
材料品牌：
荣夏
材料税率：
13%
供应商：
江苏荣夏安全科技有限公司
报价时间：
2022-12-06

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模块化机房

规格型号：
FusionModule800
价格行情：
材料单位：
套
材料品牌：
华为
材料税率：
13%
供应商：
山东科普电源系统有限公司
报价时间：
2022-12-06

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PWJ蓄水模块

规格型号：
1200×600×600
价格行情：
材料单位：
m³
材料品牌：
华畅科技
材料税率：
13%
供应商：
河南华畅建筑科技有限公司
报价时间：
2022-12-06

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功率模块

规格型号：
BKH-PM50最大功率及模块配置50KVA尺寸(宽×深×高)19英寸×690×3U
价格行情：
材料单位：
个
材料品牌：
材料税率：
13%
供应商：
航天柏克(广东)科技有限公司
报价时间：
2022-12-06

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功率模块

规格型号：
BKH-PM10最大功率及模块配置10KVA尺寸(宽×深×高)19英寸×509×2U
价格行情：
材料单位：
个
材料品牌：
材料税率：
13%
供应商：
航天柏克(广东)科技有限公司
报价时间：
2022-12-06

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气体灭火终端模块

规格型号：
GST-LD-8329
价格行情：
材料单位：
个
材料税率：
地区时间：
茂名市2009年2月信息价
所属行业：
建筑工程
备注说明：

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气体灭火终端模块

规格型号：
GST-LD-8329
价格行情：
材料单位：
个
材料税率：
地区时间：
茂名市2008年12月信息价
所属行业：
建筑工程
备注说明：

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气体灭火终端模块

规格型号：
GST-LD-8329
价格行情：
材料单位：
个
材料税率：
地区时间：
茂名市2008年7月信息价
所属行业：
建筑工程
备注说明：

查看价格

气体灭火终端模块

规格型号：
GST-LD-8329
价格行情：
材料单位：
个
材料税率：
地区时间：
茂名市2008年5月信息价
所属行业：
建筑工程
备注说明：

查看价格

气体灭火终端模块

规格型号：
GST-LD-8329
价格行情：
材料单位：
个
材料税率：
地区时间：
茂名市2008年3月信息价
所属行业：
建筑工程
备注说明：

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半导体陶瓷

规格型号：
将面板旋转到任一半导体上,旋转按钮缩小、放大,观察陶瓷.
需求量：
1项
报价数：
1
材料品牌：
材料档次：
中高档
费用说明：
不含税费 | 含运费
询价时间：
2022-10-24

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半导体陶瓷

规格型号：
将面板旋转到任一半导体上,旋转按钮缩小、放大,观察陶瓷.
需求量：
1项
报价数：
1
材料品牌：
材料档次：
高档
费用说明：
不含税费 | 含运费
询价时间：
2022-09-14

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半导体陶瓷

规格型号：
将面板旋转到任一半导体上,旋转按钮缩小、放大,观察陶瓷.
需求量：
1项
报价数：
1
材料品牌：
材料档次：
中高档
费用说明：
不含税费 | 含运费
询价时间：
2022-09-16

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半导体陶瓷

规格型号：
将面板旋转到任一半导体上,旋转按钮缩小、放大,观察陶瓷.
需求量：
1项
报价数：
1
材料品牌：
材料档次：
中档
费用说明：
不含税费 | 含运费
询价时间：
2022-08-15

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半导体泵浦全固态激光器

规格型号：
1.名称:半导体泵浦全固态激光器2.激光功率:红光(638nm)/200mW
需求量：
2套
报价数：
3
材料品牌：
材料档次：
中档
费用说明：
含税费 | 含运费
询价时间：
2022-04-12

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功率半导体模块的概述

功率半导体器件以功率金属氧化物半导体场效应晶体管(功率mosfet，常简写为功率mos)、绝缘栅双极晶体管(igbt)以及功率集成电路(power ic，常简写为pic)为主。这些器件或集成电路能在很高的频率下工作，而电路在高频工作时能更节能、节材，能大幅减少设备体积和重量。尤其是集成度很高的单片片上功率系统(power system on a chip，简写psoc)，它能把传感器件与电路、信号处理电路、接口电路、功率器件和电路等集成在一个硅芯片上，使其具有按照负载要求精密调节输出和按照过热、过压、过流等情况自我进行保护的智能功能。国际专家把它的发展喻为第二次电子学革命。

功率半导体模块重要器件

1、高压晶闸管　2、用于未来能量转换中的igbt和快速开关二极管　3、采用超级结技术的超高速开关器件　4、应用于高功率电源的sic元件

功率半导体模块基本介绍常见问题

ABB ACS800逆变模块功率半导体IGBT损坏问题

ABB原装IGBT通常情况下较贵，可用其他厂家的IGBT来代替，如三菱，西门康等。也可选国内的。
如何制作半导体制冷模块

关注你的提问几天了，想帮你，但你的问题不太清楚，你究竟要做什么半导体制冷模块，干什么用的，有什么要求，再补充一下。
半导体的特性

半导体主要具有三大特性：1.热敏特性半导体的电阻率随温度变化会发生明显地改变。例如纯锗，湿度每升高10度，它的电阻率就要减小到原来的1／2。温度的细微变化，能从半导体电阻率的明显变化上反映出来。利用半...

功率半导体模块的重要器件

1、高压晶闸管 2、用于未来能量转换中的igbt和快速开关二极管 3、采用超级结技术的超高速开关器件 4、应用于高功率电源的sic元件

功率半导体模块发展趋势

功率电子模块的集成度　半导体模块之间的差异，不仅仅体现在连接技术方面。另一个差别因素是附加有源和无源器件的集成度。根据集成度不同，可分为以下几类：标准模块，智能功率模块（ipm），（集成）子系统。在ipm被广泛使用（尤其在亚洲地区）的同时，集成子系统的使用只刚刚起步。　1、智能功率模块（ipms）　智能功率模块的特点在于除了功率半导体器件外，还有驱动电路。许多ipm模块也配备了温度传感器和电流平衡电路或用于电流测量的分流电阻。通常智能功率模块也集成了额外保护和监测功能，如过电流和短路保护，驱动器电源电压控制和直流母线电压测量等。　然而，大部分智能功率模块没有对功率侧的信号输入进行电气隔离。只有极少数的ipm包含了一个集成光耦。另一种隔离方案是采用变压器进行隔离。　通常，小规模的ipm的特点在于其引线框架技术。穿孔铜板用作功率开关和驱动ic的载体。通过一层薄薄的塑料或绝缘金属板进行散热。　用于中高功率应用的ipm模块的设计特点是将模块分为两个层次。功率半导体在底部，驱动器和保护电路在上部。本领域内名气最大的ipm是赛米控的skiip"_blank" href="/item/电流传感器/10894884" data-lemmaid="10894884">电流传感器、电气隔离和电源。这些模块装在风冷或水冷冷却器上，并在供货前进行全面的测试。　一个有趣的趋势是将标准模块升级为ipm。可直接或使用带驱动电路（通过弹簧连接）的适配器板来进行升级。赛米控的skypertm驱动器是这方面理想的产品。　2、集成子系统　所有这些ipm的共同点是真实的“智能”，即将设定点值转换成驱动脉冲序列的控制器不包含在模块中。赛米控是250kw以下转换器用集成子系统的核心制造商。skaitm模块也是ipm，其特点是集成了dsp控制器，除脉宽调制外，还可进行其它通信任务。这些子系统也包含集成直流环节电容器，一个辅助电源，精密电流传感器和一个液体冷却器。。

功率半导体模块基本介绍文献

高功率半导体激光器列阵光纤耦合模块

高功率半导体激光器列阵光纤耦合模块

高功率半导体激光器列阵光纤耦合模块

格式：pdf

大小：54KB

页数： 3页

根据大功率半导体激光二极管列阵与光纤列阵耦合方式,分别从理论和实验两方面讨论、分析了大功率半导体激光二极管列阵与微球透镜光纤列阵耦合。将19根芯径均为200μm的光纤的端面分别熔融拉锥成具有相同直径的微球透镜,利用V形槽精密排列,排列周期等于激光二极管列阵各发光单元的周期。将微球透镜光纤列阵直接对准半导体激光二极管列阵的19个发光单元,精密调节两者之间的距离,使耦合输出功率达到最大。半导体激光二极管列阵与微球透镜光纤列阵直接耦合后,不仅从各个方向同时压缩了激光束的发散角,有效地实现了对激光束的整形、压缩,而且实现30 W的高输出功率,最大耦合效率大于80%,光纤的数值孔径为0.16。

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大功率半导体激光器光纤耦合模块的温度控制

大功率半导体激光器光纤耦合模块的温度控制

大功率半导体激光器光纤耦合模块的温度控制

格式：pdf

大小：54KB

页数：未知

随着光纤激光器技术的飞速发展,作为光纤激光器泵浦源的高功率,高亮度的大功率半导体激光器光纤耦合模块越来越受到人们的关注。提高光纤耦合效率和光纤耦合模块的可靠性,有效控制大功率半导体激光器光纤耦合模块的温度成为人们关注的重点。

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碳化硅混合模块测试方法适用范围

本标准规定了由硅基绝缘栅双极晶体管（IGBT）以及碳化硅肖特基二极管构成的混合功率半导体模块的术语、文字符号、基本额定值和特性以及测试方法等产品特性要求。

碳化硅混合模块测试方法主要内容

本标准规定了由硅基绝缘栅双极晶体管（IGBT）以及碳化硅肖特基二极管构成的混合功率半导体模块的术语、文字符号、基本额定值和特性以及测试方法等产品特性要求。 本标准规定了极限值试验，特性参数测试、耐久性测试，根据特性参数确认模块特性，由此判断是否通过极限值试验。参数包括（集电极-发射极电压VCES, 二极管反向电压VR、集电极-发射极短路时的栅极-发射极电压±VGES、最大集电极电流IC、二极管正向（直流）电流IF、集电极峰值电流ICM、二极管正向峰值电流IFM、反偏安全工作区RBSOA、短路安全工作区1 SCSOA1、二极管正向（不重复）浪涌电流IFSM、端子和底板之间的绝缘电压Visol等）。 本标准还规定了检测报告中应给出的信息。

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