选择特殊符号
选择搜索类型
请输入搜索
检测光敏二极管,可用万用表Rx1k电阻档。当没有光照射在光敏二极管时,它和普通的二极管一样,具有单向导电作用。正向电阻为8-9kΩ,反向电阻大于5MΩ。如果不知道光敏二极管的正负极,可用测量普通二极管正、负极的办法来确定,当测正向咆阻时,黑表笔接的就是光敏二极管的正极。
当光敏二极管处在反向连接时,即万用表红表笔接光敏二极管正极,黑表笔接光敏二极管负极,此时电阻应接近无穷大(无光照射时),当用光照射到光敏二极管上时,万用表的表针应大幅度问右偏转,当光很强时,表针会打到0刻度右边。
当测量带环极的光敏二极管时,环极和后极(正极)也相当一个光敏二极管,其性能也具有单向导电作用和见光后反向电阻大大下降。
区分环极和前极的办法是,在反向连接情况下,让不太强的光照在光敏二极管上,阻值略小的是前极,阻值略大的是环极。
(1) 光谱特性
(2) 伏安特性
(3) 光照特性
(4) 温度特性
(5)频率响应特性
光敏二极管是将光信号变成电信号的半导体器件。它的核心部分也是一个PN结,和普通二极管相比,在结构上不同的是,为了便于接受入射光照,PN结面积尽量做的大一些,电极面积尽量小些,而且PN结的结深很浅,一般小于1微米。
光敏二极管是在反向电压作用之下工作的。没有光照时,反向电流很小(一般小于0.1微安),称为暗电流。当有光照时,携带能量的光子进入PN结后,把能量传给共价键上的束缚电子,使部分电子挣脱共价键,从而产生电子---空穴对,称为光生载流子。
它们在反向电压作用下参加漂移运动,使反向电流明显变大,光的强度越大,反向电流也越大。这种特性称为"光电导"。光敏二极管在一般照度的光线照射下,所产生的电流叫光电流。如果在外电路上接上负载,负载上就获得了电信号,而且这个电信号随着光的变化而相应变化。
光敏二极管是电子电路中广泛采用的光敏器件。光敏二极管和普通二极管一样具有一个PN结,不同之处是在光敏二极管的外壳上有一个透明的窗口以接收光线照射,实现光电转换,在电路图中文字符号一般为VD。
光敏二极管是将光信号变成电信号的半导体器件。它的核心部分也是一个PN结,和普通二极管相比,在结构上不同的是,为了便于接受入射光照,PN结面积尽量做的大一些,电极面积尽量小些,而且PN结的结深很浅,一...
每个厂家都有的型号命名方式,所以不要追求什么型号配对,红外线对管都大同小异,从外形上看有F3、F5、F8、F10 ,其中前两者是小功率二极管
光敏二极管是利用硅PN结受光照后产生光电流的一种光电器件。光敏二极管的电路符号、外形见图1所示。其封装有金封和塑封两种(即圆柱形和扁方形)。有的光敏二极管为了提高其稳定性,还外加了一个接地脚,外形似光...
光敏二极管也叫光电二极管。光敏二极管与半导体二极管在结构上是类似的,其管芯是一个具有光敏特征的PN结,具有单向导电性,因此工作时需加上反向电压。无光照时,有很小的饱和反向漏电流,即暗电流,此时光敏二极管截止。当受到光照时,饱和反向漏电流大大增加,形成光电流,它随入射光强度的变化而变化。当光线照射PN结时,可以使PN结中产生电子一空穴对,使少数载流子的密度增加。这些载流子在反向电压下漂移,使反向电流增加。因此可以利用光照强弱来改变电路中的电流。常见的有2CU、2DU等系列。
光敏小,一般为光敏二极管负载的1/10。
用LED作光敏二极管
图1中的简单电路采用一只3.6V镍镉可充电电池供电,它能用一只LED探测光亮。电路实际上不消耗静态功耗。两只LED作为光敏二极管,用于探测和响应环境光。上方的小型透明红色LED包有一个黑套管,当有环境光时,它的有效电阻高于下方的绿色大LED。
用光敏二极管和微型话筒制作楼道灯的声光控开关
在<普通高中物理课程标准>选修模块选修3-1的教学活动建议中,要求"用光敏二极管和微型话筒制作楼道灯的光控-声控开关",如何指导学生完成这一活动,笔者作了初步的尝试,并取得了较为满意的效果.
第1章 光敏传感器电路基础
1 应用最广泛的通用型光敏二极管
2 响应速度快的PIN型光敏二极管
3 检测范围达到紫外线的光敏二极管
4 灵敏度非常高的光敏三极管
5 射线检测中不可缺少的辐射传感器
6 输出电流与光能成正比的光敏二极管原理
7 影响极间分布电容和暗电流的光敏二极管结构
8 光敏二极管的分光灵敏度特性
9 比视觉灵敏度表示人类视觉分光灵敏度特性
10 将光敏传感器与发光器件组合时的注意点
11 当传感器的信号小时,使用低噪声电缆
【专栏】光敏传感器的配件
12 使用电阻器的电流一电压变换电路
13 使用运算放大器的电流一电压变换电路
【专栏】易于将传感器冷却的珀耳帖微型组件
14 电流一电压变换电路的保护电路
【专栏】充电放大器
15 低噪声的电荷一电压变换电路
16 用于光敏传感器的偏置电压电路制作方法
17 偏置电压的稳压电路
18 传感器信号小时,采用屏蔽或特氟隆绝缘端子更有效
第2章 红外传感器
19 可用于高精度测量的红外光敏二极管
20 廉价易用的热释电型红外传感器一
21 采用热释电型红外传感器的人体检测微型组件
22 使用热电偶的热电堆
23 热释电型红外传感器的电压灵敏度
24 决定传感器用途的窗口材料
25 用场效应晶体管实现热释电型红外传感器的输出缓冲
26 将检测距离大幅度增加的透镜和反射镜是重要部件
27 可减少误动作的双器件型传感器
28 在使用电阻器的电流一电压变换电路中,提高信噪比将会使频率特性变差
29 若要兼顾信噪比与高速化可使用互阻抗电路
30 使用互阻抗电路的专用集成电路也是方法之一
31 互阻抗电路噪声的计算方法
32 CR并联电路的噪声计算方法
第3章 热敏电阻器
33 批量生产可降低成本的通用型热敏电阻器
34 热响应速度非常快的热敏电阻器
35 可以在高温下使用的热敏电阻器
36 分散性小的高精度热敏电阻器
37 电阻-温度特性呈线性变化的线性热敏电阻器
38 自动组装中不可缺少的片式热敏电阻器
39 利用其自身加热的自加热型热敏电阻器
40 热敏电阻器的复杂的电阻值表达式(请注意R0和B值)
41 标称电阻值R0与室温电阻值
42 B值表示热敏电阻器的灵敏度
43 热敏电阻器的温度系数可由-B/T2计算
44 B值的大小随温度变化
45 容易忽略的自身加热与热耗散系数
46 热响应时间(热时间常数)——使用时不可超过最大容许功率
47 使用B值分散度小的热敏电阻器可简化电路的设计
48 非常简单的热敏电阻器线性化电路
49 使用温度范围越窄线性化误差就越小
50 使用两只以上热敏电阻器的高精度线性化电路
51 使用热敏电阻器的温度报警电路
……
第4章 铂电阻
第5章 热电偶
第6章 湿度传感器
第7章 气体传感器
第8章 磁敏传感器
第9章 超声波传感器
第10章 振动传感器与加速度传感器
第11章 电流传感器
第12章 压力传感器
第13章 应变传感器
第14章 风速传感器
第15章 位置传感器
参考文献
2100433B
第1章 光敏电阻及其电路制作
1.1 光敏电阻的基本原理、结构与特性
1.2 CdS光敏电阻的制造工艺和结构
1.3 光敏电阻的应用
1.4 光敏电阻电路的制作
第2章 光敏二极管及其电路制作
2.1 光敏二极管的工作原理、结构与基本特性及主要参数
2.2 光敏二级管的简易检测方法
2.3 光敏二极管的基本应用电路
2.4 光敏二极管组成的电路制作实例
第3章 光敏三极管及其电路制作
3.1 光敏三极管的原理、结构主要特性
3.2 达林顿型光敏三极管原理、主要参数值和应用
3.3 光敏三极管的应用
3.4 光敏三极管电路的制作
第4章 发光二极管LED及其电路制作
4.1 发光二极管基础、特性与参数
4.2 发光二极管驱动电路
4.3 几种特殊发光二极管及其电路应用
4.4 发光二极管电路的制作
第5章 LED显示器件及其电路制作
5.1 LED数码管
5.2 LED点矩阵显示器
5.3 LED光柱显示器
第6章 光电耦合器及其电路制作
6.1 光电耦合器原理、结构与主要性能参数
6.2 光电耦合器的检测与代换
6.3 光电耦合器的应用
6.4 光电耦合器电路的制作
第7章 红外器件及其电路制作
7.1 红外器件原理、结构与特性
7.2 红外器件电路的制作
第8章 激光器件及其电路制作
8.1 激光器及红光半导体激光二极管
8.2 激光器件电路制作
第9章 光电池及其电路制作
9.1 光电池结构、特性和制作工艺
9.2 光电池的应用
9.3 光电池电路制作
CMOS传感器按像素结构分为被动式与主动式两种。
被动式像素结构(Passive Pixel Sensor.简称PPS),又叫无源式。它由一个反向偏置的光敏二极管和一个开关管构成。光敏二极管本质上是一个由P型半导体和N型半导体组成的PN结,它可等效为一个反向偏置的二极管和一个MOS电容并联。当开关管开启时,光敏二极管与垂直的列线(Column bus)连通。位于列线末端的电荷积分放大器读出电路(Charge integrating amplifier)保持列线电压为一常数,当光敏二极管存贮的信号电荷被读出时,其电压被复位到列线电压水平,与此同时,与光信号成正比的电荷由电荷积分放大器转换为电荷输出。
主动式像素结构(Active Pixel Sensor.简称APS),又叫有源式. 几乎在CMOS PPS像素结构发明的同时,人们很快认识到在像素内引入缓冲器或放大器可以改善像素的性能,在CMOS APS中每一像素内都有自己的放大器。集成在表面的放大晶体管减少了像素元件的有效表面积,降低了“封装密度”,使40%~50%的入射光被反射。这种传感器的另一个问题是,如何使传感器的多通道放大器之间有较好的匹配,这可以通过降低残余水平的固定图形噪声较好地实现。由于CMOS APS像素内的每个放大器仅在此读出期间被激发,所以CMOS APS的功耗比CCD图像传感器的还小。
这填充因数(Fill Factor),又叫充满因数,它指像素上的光电二极管相对于像素表面的大小。量子效率(Quantun efficiency)是指一个像素被光子撞击后实际和理论最大值电子数的归一化值.被动式像素结构的电荷填充因数通常可达到70%,因此量子效率高。但光电二极管积累的电荷通常很小,很易受到杂波干扰。再说像素内部又没有信号放大器,只依赖垂直总线终端放大器,因而读出的信号杂波很大,其S/N比低,更因不同位置的像素杂波大小不一样(固定图形噪波FPN)而影响整个图像的质量。而主动性像素结构与被动式相比,它在每个像素处增加了一个放大器,可以将光电二极管积累的电荷转换成电压进行放大,大大提高了S/N比,从而提高了传输过程中抗干扰的能力。但由于放大器占据了过多的像素面积,因而它的填充因数相对较低,一般在25%-35%之间。