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把光器件和电子器件集成在同一基片上的集成电路。简称OEIC。
光电子集成电路从结构上可分为单片集成型和混合集成型两类。
前者是把光和电功能的器件都集成在单片上;后者则侧重光学元件的集成,然后再引入相应电路的电子器件。
用分立器件的管心集成称为混合集成OEIC模块;把光和电的元器件做在同一块半导体基片(如GaAs或InP)上,称单片集成OEIC组件。OEIC是集成光电子学系统的核心部件。20世纪90年代初混合集成较成熟,已有产品,单片集成尚属探索研制阶段,它代表未来的发展方向。光器件可以是激光器、发光二极管、光调制器、光放大器,光开关、光耦合器、光波导、光分/合束器及各类列阵等;电器件包含与光器件相搭配的驱动电路、控制电路、放大电路和其它电路等。集成减小了寄生电感和电容的影响,使组件和模块的调制速率大幅度提高、噪声降低很多,可靠性明显改进,只要设计和组装合理,各种功能的混合集成模块原则上都可实现。单片集成OEIC组件工艺难度很大,需要解决多种类型器件的工艺兼容性。单元结构的优化设计、不同层次的接点连结和降低功耗等。由此发展了许多相关工艺,如超晶格、量子阱结构材料生长、可变周期光栅、聚焦离子束扫描注入以及干法刻蚀等。
能供光纤通信使用或试验的OEIC有光发射器、光接收器和光中继器;l6:1/1:16时分复用及解复用组件;供光交换试验的多量子阱自电光效应(SEED)16×32光开关列阵;高集成度四路光开关由四路光发射器、四路光开关列阵加四路光接收器组成。正在致力研制的有光外差接收机组件(包含可调谐稳频激光器、光电控制器、波导定向耦合器、光频差分放大器及中频放大器等)和多信道频分复用组件(发射部分需集成多支不同频率的激光器并通过合束器汇集到集总波导里;接收部分需有光滤波器把不同信道的光分别取出并进入各自的分支波导)。
光电子集成电路的优点是器件之间拼接紧凑,既能减弱因互连效应引起的响应延迟和噪声,从而提高传递信息的容量和高保真度,又能使器件微型化,便于信息工程的应用。
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按功能分主要有电光发射集成电路和光电接收集成电路。前者是由电光驱动电路、有源光发射器件、导波光路、光隔离器、光调制器和光开关等组成;后者是由光滤波器、光放大器、光-电转换器以及相应的接收电路和器件集合而成。
OEIC与IC的重要区别在于,,OEIC除控制不同元件之间电子流动的功能外,还必须控制光子的流动。通常把使用半导体材料来控制光子流动的OEIC归入光子集成,把使用介质材料来控制光子流动的OEIC归入光学集成。OEIC的成功在很大程度上取决于所用材料和工艺,目前研究最多的材料是GaAs和InP。这些材料不仅具有良好的电光特性,既可用于制作光电器件,又可用于制作高速电子电路。此外,Si材料也是想望的材料,这种材料唯一的缺点是它不是理想的光电材料,很难用它制作光有源器件。目前,使用先进的工艺手段,如分子束外延(MBE)、金属有机化学气相淀积(MOCVD)和聚焦离子束微加工已能满足制作OEIC的要求。本文讨论涉及有关OEIC材料及工艺的若干问题,并讨论OEIC的潜在应用前景。
最有代表性的GaAs OEIC是光纤(FO)光发射机OEIC,这类光发射机是在GaAs衬底上集成光有源器件(如激光二极管或发光二极管)和用做激光二极管的驱动电路。在GaAs衬底上集成一只ALGaAs隐埋异质结激光二极管(BHLD)和两只金属-半导体场效应晶体管(MESFET)。两只MESFET的作用是控制通过激光器的电流,其中一只提供维持激光器在阀值以上工作的偏流,另一只提供激光器直接调制输出的调制电流。两个电流独立受控于MESFET的栅压。这种OEIC设计是非平面的,这种结构的OEIC限制通过光刻可得到的最小特征尺寸,使电子线路的速度首先。因此这种OEIC光发射机的频响限制在几个GHz以下。想要获得高速工作的OEIC光发射,应采用平面型结构,这时应该将生长激光器位置的沟道通过刻蚀工艺将其降至到衬底里面,使最终生长的激光器层的最上层高度大体与MESFET顶层高度一致。迄今为止,实现高速工作的GaAs OEIC的工艺已成熟,并能满足CD-ROM和第一代FO发射机的要求。
具有1.3μm和1.55μm波长范围输出和接收的激光二极管和光电二极管通常是由在InP衬底上生长的窄带隙思远化合物In-GaAsP和三元化合物InGaAs所构成。遗憾的是,由这些材料构成的MESFET因较低的肖特基势垒,造成高的栅泄漏电流。因此In-GaAs/InP的OEIC不宜使用MESFET。异质结双极晶体管(HBT)是InP OEIC最理想的电子元件。HBT与MESFET不同,它具有由一个叠层排列的发射极、基极和集成电极组成的垂直几何形状结构。鉴于InP OEIC光发射极构形和HBT结构的各层连接方式,由于跨接基极/发射极异质结产生一正向偏压,而集电极/发射极异质结经受一反向偏压。因此,当一小电流流经发射极/基极电路时,便在经基极的发射极/集电极电路中产生一相当大的电流。由于激光器与OEIC中的HBT的集电极相连接,因此通过调节HBT的发射极/基极电路的电流便可调节通过激光器的电流。
HBT不仅消除在InGaAsP/InP系统中因高栅泄漏电流的问题,而且它的垂直几何形状和高速性能很适合宽带FO通信器件的高密度集成。除HBT之外,其他类型的FET,如金属-绝缘体-半导体FET(MIS-FET)、高电子迁移率晶体管(HEMT)和调制掺杂FET(MODFET)对InP OEIC也是有价值的。
尽管隐埋异质结构和法布里一拍罗(F-P)腔条形激光器具有很好的性能特性,但是解理的或腐蚀的反射镜面不仅使制造工艺复杂化,而且高的阐值电流还可能引起热相关的问题。一种较好的解决办法是使用分布反馈(DFB)和分布Bragg反射器(DBR)激光二极管,这类LD具有低的闭值电流和量子阱增益结构。此外,对高密度OEIC来说,低电流的垂直腔表面发射LD(VCSEL)是最理想的选择,在光计机互连网络中有巨大的应用市场。nIpOEIC另一个领域是光接收机。这类接收机组合光电探测器和用做放大及信号处理的电子线路。适合OECI的光电探测器有
两种,一种是p一i一n光电二极管,另一种是金属一半导体一金属(MSM)光电二极管,都具有高速工作的能力。在nIP衬底上集成的p一i一n光电二极管(PD)和异质结双极晶体管(HBT)是一种垂直集成的OEIC光接收机。它的制作程序很明确,首先在nIP衬底上生长PD的半导体层,然后再生长HBT的半导体层。生长结束后,选择刻蚀出PD和HBT。最后,淀积接触金属层和用做隔离的聚酞亚胺膜。PD和HBT之间的电连接是通过分离的金属淀积实现的。OECI光接收机也可采用水平集成构形,为解决各集成元件厚度的差异可采用预先腐蚀出沟或阱,而后在沟或阱上生长PD的半导体层,或者使用离子注入或扩散技术,使较厚的器件层沉没到预先的生长层中。然而,最直接的解决办法是使用平面光电二极管。遗憾的是MSMPD不能工作于窄带隙的nIGaAs/nIP系统。
Si OECI一直是人们想望的OEIC,它的内容包括在Si衬底上制作出诸如Si的光波导、调制器、光开关、光发射器和光探测器,并构成具有功能作用的OEIC。1.3、1.6拜m波段的SIOEIC最引人注目。一旦这个设想获得成功,不仅可以解决大规模IC和OEIC之间存在的工艺兼容性问题,而且还解决它们之间的互连性,这对未来的高速信息处理、光计算和FO通信无疑有着极大的吸引力。但是要实现全Si的OECI,并非是件容易的事,问题的关键在于Si不是理想的光电材料,它不能呈现出线性的电光效应,很难用它制作出光的有源器件。
众所周知,Si是一种间接带隙材料,它阻止导带的电子与价带的空穴有效辐射复合,室温下电学注入1醉、105个载流子只能产生一个光子,即使在77K下也只能提高4倍的效率。已进行的研究表明,要克服低效率的限制,可以通过K守恒选择法则,强制性地给出带一带间的转换,这就是首先必须确定出Si中引入的杂质中心,以产生有效的亚带隙光发射。较有成效的研究是在Si中引入激活的光学转换杂质,且这种光学转换杂质的浓度必须相当的高。其中一种方法是使用等价的m族杂质来形成辐射的络合物,这种方法为红外波长Si发射器件开辟了一条道路。今后的工作是要提高其发光效率和辐射工作的温度。
OEIC的应用领域主要有两大类,一是信号传输,二是信号处理。在信号传输中,第9卷第6期光电子技术与信息996年月又可分为强度调制直接探测MDD)传输系统和相干传输系统。在信号处理中,又可分为开关系统和计算系统。IM/DD系统要求OEIC具备发射/探测、调制、波分复用和开关的功能;相干传输系统要求OEIC具备发射/探测、频分复用(FDM)、偏振控制和频率控制的功能。开关或计算系统要求OEIC具备发射/探测、波分复用、开关和存储的功能。由于OEIC的固有平行性、抗扰性和高速性使其还有许多应用领域,如平板显示和光存储。许多商用CD唱机目前加进完全集成的光电读出头,该光电读出头可以完成激光二极管、束分裂光栅、非涅尔聚焦光学、波导和光电二极管的组合功能。对OEIC来说,最具爆炸性影响的应用将是光计算机,下一代的光计算机将大量依赖光子开关、逻辑电路和大量平行光互连的
二维和三维的集成。要实现上述系统和功能,OEIC还必须解决以下儿个技术问题:.
实现亚微米量级的刻蚀技术,以减少光学器件和电子器件之间的高度差和间隔。
.解决光源的集成化问题。
·解决光学和电子器件间的工艺相容
性。
·提高成品率,克服制造和大批量生产
的困难。
·解决热隔离和电隔离间题。
·提高光藕合效率。
所谓完全集成的OEIC是指该OEIC不仅具备控制不同元件间的电子流动的能力,而且具备控制光子流动的能力。控制光子流动的路径是光波导。如果将带有增益源和吸收介质的光波导称之为有源光波导,那么单纯传输光波的光波导则称之为无源光波导。我们把无源和有源光波导组合的OEIC称之为完全集成的OEIC。这里介绍两个为光纤通信而设计的完全集成的OEIC。一个是四路波分复用扭xWDM)的可调谐发射机。它由四个集成的多量子阱(MQW)DBR激光器组成,通过四个无源波导将四个激光器的光输出传送到MQW光输出放大器。为了达到波长调节和直接强度调制的目的,使用直接淀积在激光器结构上的分离控制电极。另一个是用于相干光纤通信的平衡外差接收机,它由无源的隐埋凸条波导、定向藕合器、MQW光电二极管和作为本机振荡器的MQWDBR激光器组成。为了达到调节波长和本机振荡器与入射光信号间的固有外差的目的,使用分离控制的Bragg反射器和相位部分装备MQW激光器。通过改变淀积到前、后Bragg反射器上电极的电压实现波长调节。同样,通过改变激光器相位部分上电极达到改变隐埋波导折射率的目的。通过另一电极的电/光控制,在定向辆合器上实现本机振荡器输出光和输入信号光的混合,然后通过隐埋光波导将来自栖合器的外差光引进到两个光电探测器中,将光信号转换为进一步电学处理的电信号。
OEIC技术已开始进入电子工业各领域,使电子工业出现一个大的技术革命。它的作用如同晶体管、CI对电子工业的影响。下个世纪将是光电子技术主宰电子工业的时代,包括通信、信息处理、显示、光计算将会出现一个崭新的面貌。
光电子技术光纤与光纤技术简介
光电子技术光纤与光纤技术简介
主要内容包括光发射器件、光电探测器、光波导器件、光电子专用集成电路、硅基光电子集成回路、甚短距离光传输技术以及微电子与光电子混合集成技术等。
微电子与光电子集成技术的实用化进程,必将为21世纪科学技术的发展作出重大贡献。然而,微电子与光电子集成技术是信息技术发展的一个崭新方向,虽然各项关键技术的发展取得了一定的进步,但还存在诸多难题需要进一步解决和完善。
本书主要为从事集成光电子和光通信等相关技术研究的科研人员提供参考。
微电子技术与光电子技术紧密结合,相互渗透,必将推进信息技术及相关的高新技术进入新的发展阶段。本书共分为9章,从技术基础和实际应用的角度出发,着重对微电子与光电子集成技术相关的工艺基础、基本原理和关键集成技术进行了详细阐述。
“名家芯思维”
-硅基光电子集成技术和应用|硅光实操
活动介绍
汇集行业内全球顶级专家,主办硅基光电子集成技术与应用系列活动,把大规模集成半导体工艺和光电子应用结合,实现高速万物互联。旨在为地区汇智聚力,推动我国硅电子集成技术高速发展,在核心芯片技术领域弯道超车。
2018年,人工智能是产业发展的热门方向,活动促进人工智能与光电子信息领域的紧密融合和双向驱动,将为光联万物产业生态注入新的基因,为地区发展增添新的动力。邀请国内外知名科学家、行业领袖、产业精英等人共同参与,共话硅光子集成技术的发展趋势,以此来协助地方进行科技资源统筹和前沿产业化技术研究。
时间
2018年7月20日至21日
地点
南京
主办单位
工业和信息化部人才交流中心(MIITEC)
江北新区IC智慧谷
协办单位
南京江北新区人力资源服务产业园
留德中国物理学者学会GCPD e.V.
Luceda Photonics
活动内容
硅基光电子集成技术和应用研讨会
(免费参与)
活动时间
2018年7月21日(周六)
活动地点
南京新华传媒粤海国际大酒店翔宇厅(南京市江东中路363号-南京国际博览中心东门)
主题
大规模集成半导体工艺与光电子应用结合,实现高速万物互联
环节设置
本次研讨会设置圆桌讨论环节和专家面对面交流机会
报名地址
报告人介绍
周治平
北京大学教授
演讲主题: 硅基光电子芯片及其应用扩展
个人简介
OSA Fellow, SPIE Fellow, IET Fellow;中国光学学会荣誉理事,中国光学工程学会常务理事;IEEE中国武汉分会创会主席(2006-2008),Photonics Research创刊主编(2012-现在),Electronics Letters中国版主编(2008-2010)。承担过国家基金委重点项目,科技部973,863项目,以及工业界支持的多个横向项目。多次主持IEEE,SPIE,OSA, 及中国光学学会等举办的国际学术会议。主编出版中外物理学精品书系《硅基光电子学》;发表论文,书籍章节,特邀报告460余篇,专利20余项。
演讲摘要
将简要回顾硅基光电子芯片的形成和特点,聚焦其国内外发展现状、应用扩展、以及所面临的挑战,详细讨论与低能耗,小型化,以及低成本相关的核心技术。
余明斌
上海微系统与信息技术研究所研究员
演讲主题:硅光子技术应用与发展
个人简介
上海微技术工业院硅光子资深总监。他在国际学术期刊和会议上发表了300多篇论文和8项美国专利。他目前的研究兴趣包括硅光电子器件和集成电路技术,3D-IC TSV集成。
余明斌因在硅光集成方面的工作,在2010年获得新加坡总统科技奖。2011年新加坡微电子研究院(工业工程)优秀奖。2011年新加坡工程师学会IES著名工程成就奖(杰出的硅光子学研究)。
演讲摘要
硅光子技术,是在硅和硅基衬底材料上,如SOI上,通过集成电路工艺制造相应的光子器件和光电器件(包括发光器件、探测器,调制器、及各种光波导器件等),并利用这些器件对光子进行操纵,以实现其在光通信、光互连、光计算等领域中的应用。相较于传统的基于III-V族材料的光电技术,硅光子技术可以充分利用现有的大量CMOS生产线,能充分结合集成电路技术的超大规模、超高精度制造的特性和光子技术超高速率、超低功耗的优势。
硅不仅是一种电子材料,也是一种光子材料。作为电子材料,硅基微电子技术成绩斐然,伴随摩尔定律的步伐,引领了过去半个世纪信息技术的发展。作为光学材料,硅材料对通信波段的光吸收很小,有利于降低器件损耗,而且硅和二氧化硅材料之间的折射率对比大,增强了光器件对光场的限制,有助于减小硅基光集成器件尺寸,从而提高芯片的集成密度。在经历了初期的理论及原型器件探索阶段(~1985-2005年),近年的分立器件技术突破阶段(2005-2015年)后,硅光子技术逐步走向成熟(2015年后),越来越多的硅光芯片开始出现在市场上。市场研究和策略咨询公司法国悠乐(Yole)认为,硅光市场即将引爆,出现巨大增长。到2025年,硅光芯片在数据中心和其他几个新兴应用领域的市场销售总值将达到数十亿美元。
互联网的兴起使我们处于一个信息爆炸的时代,广泛存在于数据中心机柜中的铜线缆已经不能适应日益增长的数据传输需求(包括带宽、成本、功耗),光链路取代电路变为必须。硅光子技术目前最主要的应用领域是通信领域,主要为数据中心,也包括其他硅光芯片可以支撑的应用,如高性能计算机、远程通信等。2025年后(或者更早),硅光子技术将更多地用于信号处理中,如光计算或光量子计算。同时,因为硅光子技术能推进光功能的集成和小型化,自动驾驶汽车所用的激光雷达,以及生物化学和化学传感器将获得重点发展。
本报告首先介绍了硅光子技术的应用及市场前景;接着介绍组成硅光芯片的各种核心器件的设计及进展,进而讨论集成硅光芯片的设计制备流程;最后,分析讨论硅光子技术面临的挑战及机遇。
崔一平
东南大学教授
演讲主题:硅基微波光子集成技术及应用
个人简介
东南大学先进光子学中心主任,国际照明委员会(CIE)副主席,中国照明学会副理事长,江苏省光学学会理事长,《Journal of Nonlinear Optical Physics and Materials》和《光学学报》编委。他长期从事光电子学方面的研究工作,在有机聚合物和纳米光子材料的光学非线性与发光特性研究、尤其是在光折变和多光子吸收机制研究方面作出了开拓性贡献,近几年又在生物光子技术、光通信技术与集成光子技术以及光传感技术方面取得了一系列重要成果。
江伟
南京大学教授
演讲主题: 面向光互连与激光雷达应用的若干硅光研究进展
个人简介
南京大学现代工程与应用科学学院教授,博士生导师。江苏省光通信系统与网络工程研究中心副主任。回国前任美国罗得格斯(新泽西州立)大学 (Rutgers, the State University of New Jersey)电子和计算机工程系副教授(暨终身教职)。长期致力于以硅基光子学研究。在硅片上做出了首个光子晶体高速电光调制器。被Nature Photonics, Laser Focus World等广泛报道。提出高密度波导集成的新思路和物理原理,并在硅基波导上实现,为高性能光学相控阵开辟了道路,受到Phys.org关注。获美国国防先进研究计划局(DARPA)青年教授奖(Young Faculty Award),美国电气与电子工程师协会一区(IEEE Region 1)杰出教学奖等荣誉。
演讲摘要
硅基光子学具有对现代信息技术产生革命性影响的潜力。过去十几年中,硅光领域在器件技术上取得了一系列突破,并在光通信与光互连领域获得实际应用。在未来十年内,硅基光子学将朝着高密度集成的方向发展,并可能开拓激光雷达等新应用领域。高密度集成不但需要器件小型化,而且需要密集度高。相对而言,小型化器件研究较多,我们也将简要介绍我们在此方面的近期进展。另一方面,密集度高的硅基波导器件研究相对较少。其原因显而易见,高度密集的波导间会强烈耦合而产生串扰,这是集成光学一个基本难题。我们提出“波导超晶格”的设想与相关降低串扰的理论、并通过实验实现了半波长间距的高密度,低串扰的波导集成。我们将介绍此技术在光学相控阵中的应用,以及对激光雷达等相关技术领域的影响。并简要介绍在空分复用、波分复用、片上光互连领域的相关应用。硅基光子器件及其集成需要相应的制造工艺平台,我们将简要介绍在CMOS线上合作开发硅基光子工艺的相关工作。
潘栋
Sifotonics公司创始人兼CEO
演讲主题:硅基光电子器件在400g数据中心和5G的应用
个人简介
博士,美国费吉尼亚大学博士后和麻省理工学院研究学者。SiFotonics创始人兼CEO,主要从事Ge/Si光电器件、高速模拟电路,单片100G/400G硅基光集成芯片和及其解决方案等产品开发。纳米量子器件红外探测和Ge/Si激光器的发明人,发表论文30篇,专利20多项。
曹如平
Luceda Photonics公司大中国区负责人
演讲主题:可靠并且差异化的硅光设计制作–Luceda和Tanner在硅
光设计自动化领域的前沿工作介绍
个人简介
就职于Luceda Photonics公司(比利时),担任应用工程师和亚洲业务发展经理,致力于帮助集成光电路设计者寻找并实施适当的设计自动化解决方案,以实现高效、可靠、易扩展的芯片设计流程。此前就职于Mentor, A Siemens Business公司,并从其与里昂纳米科技研究所(法国里昂中央理工学院)的合作科研项目取得博士学位。
Mentor, A Siemens Business MEMS、
物联网周边器件和硅光子方向负责人
演讲主题:可靠并且差异化的硅光设计制作–Luceda和Tanner在硅光设计自动化领域的前沿工作介绍
个人简介
毕业于清华大学电机工程学系,拥有18年半导体行业经验。硕士毕业后任职于台湾积体电路制造公司(TSMC),为21项国内外半导体器件已公告专利的唯一或主要发明人,2011年加入明导电子科技(Mentor, A Siemens Business),目前在IC设计方案事业部(IC Design Solutions Division)负责MEMS、物联网周边器件、硅光芯片(Silicon Photonics)方面与全球各大晶圆厂的合作。
注:以上内容可根据实际情况调整。
IC家园 - 硅光实操
(免费参与,审核通过)
活动概况
可靠并且差异化的硅光设计制作 – 基于IPKISS和Tanner软件的硅光设计上机操作课程。
活动时间
2018年7月20日(周五)
活动地点
南京江北新区产业技术研创园腾飞大厦A座5楼
专家
曹如平(Luceda光子公司大中国区负责人)
陈昇祐(Mentor Graphics MEMS、物联网周边器件和硅光子方向负责人)
实操大纲
基础知识 (硅光设计流程、工艺设计套件(PDK)、元件建模和仿真的概念、版图设计、线路仿真、虚拟制造、物理验证(DRC))
硅光线路的全流程设计 (从线路布局到建模仿真:使用IPKISS.eda,Tanner S-Edit,L-Edit和L-Edit Photonics的线路原理图和布局布线、用Caphe工具进行线路建模仿真、使用Calibre DRC执行设计规则检查,包括擅长于验证光集成设计的Calibre eqDRC)
自定义光子元件设计 (参数化元件设计、元件物理仿真和优化、创造使用于IPKISS.eda和Tanner L-Edit的自定义元件库)
背景介绍
Luceda Photonics协助光子集成设计工程师享有像电子集成设计工程师一样的“首次即成功”的设计体验。
Luceda Photonics的软件工具和服务,是基于五十多年的光子集成芯片设计经验的累积。全球的产业研发团队和科研机构已经使用Luceda团队的专长服务,包括工艺设计包PDK的开发、光子集成芯片的设计和验证。
Luceda公司是比利时imec微电子研究中心、根特大学、和布鲁塞尔自由大学的分离子公司。Luceda是光子集成设计领域的领军企业,为全球的龙头企业服务,近几年的复合年均增长率(CAGR)超过100%。
Mentor, A Siemens Business是电子硬件和软件设计解决方案的世界领导者,主要产品为集成电路芯片和系统开发的各种设计、仿真、验证、测试工具。领先的工具包括:芯片物理验证工具 Calibre ®系列及OPC、芯片测试工具 Tessent ® DFT, SoC验证软件CDC ,Questa ® 及 Veloce ® 硬件仿真器、模拟电路仿真软件AFS™,硅光子及集成电路設計软件Tanner, FPGA设计软件, PCB 设计Xpedition® 及高速电路分析软件Hyperlynx。
报名地址
拟参与机构
陕西光电子集成电路先导技术研究院
厦门大学管理学院EDP中心
华润半导体
工业和信息化部电子科学技术情报研究所
武汉光迅科技股份有限公司
西安市高新区产业发展局
中科院西安光机所
FreesVC
IMT
PhoeniX Software
STMicroelectronics
鴻海精密工業股份有限公司
华为海思
华为技术有限公司
江苏亨通光网科技有限公司
武汉东隆科技有限公司
西安交通大学
西安奇芯光电科技有限公司
西安全波激光芯片科技有限公司
浙江大学
中电55所
中国电子科技集团公司第五十五研究所
中国科学院福建物质结构研究所
中国科学院上海微系统与信息技术研究所
中国科学院微电子研究所
中国科学院西安光机所
中科院南通光电工程中心
中南大学
中兴通讯股份有限公司
航天704所
厦门大学
深圳帧观德芯科技有限公司
摩尔精英
光纤在线
厦门优迅高速芯片有限公司
Cadence
成都新易盛通信技术股份有限公司
方正证券
福建师范大学
福建亿芯源半导体股份有限公司
合肥南巢科技有限公司
南京大学
南京吉隆光纤通信股份有限公司
宁波环球广电科技有限公司
深圳市贝思科尔软件技术有限公司
深圳云飞鹰信息技术服务部
是德科技(中国)有限公司
西安盛佳光电有限公司
意法半导体
英屬維京群島商祥茂光電科技股份有限公司台灣分公司
中山大学
中兴光电子
昂纳信息技术(深圳)有限公司
厦门三优光电股份有限公司
西南技术物理研究所
厦门三优光电
华中科技大学
中国电子科技集团第三十八研究所
厦门博晶光电技术有限公司
中国电科14所
福建师范大学光电学院
福州大学
Imec 比利时微电子研究所
IC-link 半导体制造部门(Imec)
Ghent University 根特大学
东南大学
南京大学
Luceda Photonics
Mentor
Lumerical
烽火通信
讯石光通信
海信
中芯国际集成电路制造有限公司
台积电
紫光
富士康
晶门科技(中国)有限公司
等
酒店预订
酒店名称
南京瑞斯丽酒店
酒店地址
南京浦口区浦滨路207号近扬子科创中心
(酒店距离江北新区产业技术研创园步行约5分钟路程)
协议价格
奢华型大床/双人房 480元/间(发票由会务公司开具会议服务费)
接驳车
线路时间
(临江路地铁1号口有免费接驳车送至研创园,步行5分钟到达瑞斯丽酒店)
酒店名称
新华传媒粤海酒店
酒店地址
南京市江东中路363号-南京国际博览中心正门(酒店为硅基光电子集成技术与应用研讨会会议酒店)
协议价格
大床/标间 518元/间
预定酒店
联系人
郁大鹏 18017813372
邮箱:icqy@miitec.cn
联系方式
联系人:王海明
邮箱:wanghaiming@csoe.org.cn
电话:022-59013420,15900391856
文章来源:中国光学工程学会