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刻蚀三五半导体。
六路带MFC(非腐蚀性气体)和截止阀的气路Ar,,O2(大流量), CF4,,N2, SF6,O2(小流量), 二路带MFC和旁路设计:CH4,H2 四路带MFC、旁路设计(腐蚀性气体)和截止阀的气路推荐气体:Cl2,SiCl4,BCl3,HBr。
钢研纳克光谱分析仪器还不错的哦,我们研究所一直用的是他们的火花直读光谱仪,一体式透镜隔离阀,可防止因日常维护导致的光室污染影响强度下降,透镜易于更换。
您好,这个提问大至可以这样理解: 1.概念:当电离过程频繁发生,使电子和离子的浓度达到一定的数值时,物质的状态也就起了根本的变化,它的性质也变得与气体完全不同。为区别于固体、液体和气体这三种状态,我们...
光谱仪可以分为两大类:经典光谱仪和新型光谱仪。经典光谱仪器是建立在空间色散原理上的仪器:新型光谱仪器是建立在调制原理上的仪器.经典光谱仪器都是狭缝光谱仪器。北京钢研纳克已获得金属材料表征北京市重点实验...
TEGAL421等离子刻蚀机射频电源的维修及调整
TEGAL421 等离子刻蚀机射频电源的维 修及调整 TEGAL421 等离子刻蚀机射频电源的电路图如下: 各部分电路的作用, DC Power Supply Board 板是一块电源板提供射频源 工作所需的各路电源,包括电子管工作的高低压。 OSICLACTOR Board 板提供 射频源的激励信号, Q1是震荡管,Q4是推动管,Q3,Q2组成脉宽功率调节电路。 V1和 V2是两个输出电子管,提供所需的射频功率。其中 Lv 是低压变压器,机 器一通电,该变压器就被通电。而 BV 是高压变压器,只有在需要射频输出时才 被通电。 Power Coupler 是入射功率和反射功率检测模块。主机背面的电位器 R5 和 R6 用于矫正入射和反射功率的偏差。 Test Port 测试端口用于检测射频电 源的工作参数。 射频电源的调整 射频电源调整的步骤如下: 1. 关闭交流电源。 2. 移除射频电源
等离子体刻蚀过程中有害气体净化的原理和方法
等离子体刻蚀过程中有害气体净化的原理和方法——叙述了等离子体刻蚀过程中产生的有害气体以及处理这些有害气体的原理和方法。对燃烧分解、化学中和、 薄膜吸气、等离子体净化及脉冲电晕放电等作了简要的概述。指出等离子体净化和脉冲电晕放电是净化有害气体的...
遥耦合系统的典型作用距离可以达到1m。遥耦合系统又可细分为近耦合系统(典型作用距离为15cm)与疏耦合系统(典型作用距离为1m)两类。遥耦合系统利用的是射频标签与读写器天线无功近场区之间的电感耦合(闭合磁路)构成无接触的空间信息传输射频通道工作的。遥耦合系统的典型工作频率为13.56MHz,也有一些其他频率,如6.75MHz、27.125MHz等。遥耦合系统目前仍然是低成本射频识别系统的主流。
尼古拉·特斯拉认为通过特斯拉线圈无线供电。但它没有成功。
1978年,美国发明家约翰·乔治·博格尔试图提供电动汽车。
1989年,八电子提出了与WiTricity的磁耦合谐振原理完全相同的电路。
1993年,日本大福公司实现了世界上第一起非接触式供电和输送系统基于奥克兰大学约翰·博伊斯理论的。
1994年,村田制造公司的开发商宣布“磁耦合谐振技术”。
2006年11月,麻省理工学院(MIT)的马林·索尔贾希克成功了2米传输实验。
2010年7月,国际标准“Qi”由无线电力联盟(WPC)制定。制定了5W或更小的移动终端的标准。
密耦合系统的典型作用距离范围从0~1cm。实际应用中,通常需要将射频标签插入阅读器中或将其放置到读写器的天线的表面。密耦合系统利用的是射频标签与读写器天线无功近场区之间的电感耦合(闭合磁路)构成无接触的空间信息传输射频通道工作的。密耦合系统的工作频率一般局限在30MHz以下的任意频率。由于密耦合方式的电磁泄露很小、耦合获得的能量较大,因而可适合要求安全性较高,作用距离无要求的应用系统,如电子门锁等。