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运算放大器的种类繁多,而在实际的应用中我们应该怎么样去选择,随着技术的发展也已形成了一些选用依据了,其依据分别如下:
1. 信号源的性质。
2. 负载的性质。
3. 精度的要求。
4. 环境的条件 。
如果是一般的应用无特殊的要求,我们常常选项用通用型运算放大器,只有在通用型无法满足我们的要求的时候才会考虑选用针对特定的用途而设计的运算放大器。
高阻型集成运算放大器的特点是差模输入阻抗非常高,输入偏置电流非常小,一般rid>(109~1012)W,IIB为几皮安到几十皮安。实现这些指标的主要措施是利用场效应管高输入阻抗的特点,用场效应管组成运算放大器的差分输入级。
输入级经常采用结型场效应管JFET与BJT相结合构成差动输入级,称为BIFET,或采用超管与BJT结合的电路,构成差动输入级。
因为是在通用型无法满足特殊的应用要求的情况下,高阻型运算放大器才产生的。而高阻型运算放大器的特点是差模输入阻抗高。输入级采用了JFET和BJT构成了差动输入级。用FET作输入级,不仅输入阻抗高,输入偏置电流低,而且具有高速、宽带和低噪声等优点,但输入失调电压较大。
仪表放大器是在有噪声的环境下放大小信号的器件,其本身所具有的低漂移、低功耗、高共模抑制比、宽电源供电范围及小体积等一系列优点,它利用的是差分小信号叠加在较大的共模信号之上的特性,能够去除共模信号,而又...
音频放大器有两种,一种是专用于音频放大的运算放大器,它在音频范围内有比较好的性能(主要是频响特性和失真特性,好的音频放大器这两个特性都非常好),一般用于音响的前置放大级;另一种是音频功放,也就是功率放...
运放的内部就是由许多三级管构成的,运放的出现就是为了使问题变得简单,运放的输入阻抗很大,输出阻抗很小的特性很容易实现阻抗匹配,而三极管构成的普通电路并没有这么方便。理解运放的虚短与虚断:虚断是说运放的...
运算放大器16个基本运算电路
一、 电路原理分析与计算 1. 反相比例运算电路 输入信号从反相输入端引入的运算,便是反相运算。反馈电阻 RF 跨接在输 出端和反相输入端之间。根据运算放大器工作在线性区时的虚开路原则可知: i- =0,因此 i1= i f。电路如图 1所示, R1 10kΩ V1 500mV U1A TL082CD 3 2 4 8 1 R2 9.1k Ω RF 100kΩ V2 12 V V3 12 V XMM1 图 1 根据运算放大器工作在线性区时的虚短路原则可知: u-=u+=0。 由此可得: 0 1 f i R u u R 因此闭环电压放大倍数为: 1 o f uo i u R A u R 2. 同相比例运算电路 输入信号从同相输入端引入的运算,便是同相运算。电路如图 2所示, U1A TL082CD 3 2 4 8 1 R2 10kΩ RF 10kΩ V2 12 V V3 12 V X
跨导运算放大器及其Spice电路模型的构建
山东科技大学工程硕士学位论文 跨导运算放大器及其 Spice电路模型的构建 2.1 CMOS 模拟集成电路基本单元 2.1.1 MOS 场效应管的基本结构 绝缘栅场效应管又叫作 MOS 场效应管,意为金属 -氧化物 -半导体场效应管。图 2.1 为 MOS 场效应管的结构和电路符号。图中的 N型硅衬底是杂质浓度低的 N型硅薄片。 在它上面再制作两个相距很近的 P区,分别引为漏极和源极, 而由金属铝构成的栅极则 是通过二氧化硅绝缘层与 N型衬底及 P型区隔离。这也是绝缘栅 MOS 场效应管名称的 由来。因为栅极与其它电极隔离, 所以栅极是利用感应电荷的多少来改变导电沟道去控 制漏源电流的。 MOS场效应管的导电沟道由半导体表面场效应形成。 栅极加有负电压, 而 N 型衬底加有正电压。由于铝栅极和 N型衬底间电场的作用,使绝缘层下面的 N 型 衬底表面的电子被排斥,而带正电的空穴被吸引到表面上