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合成薄膜绝缘电流互感器结构设计与运行维护

《合成薄膜绝缘电流互感器结构设计与运行维护》是2010年中国电力出版社出版的图书,作者是王如璋、刘朝辉。

合成薄膜绝缘电流互感器结构设计与运行维护基本信息

合成薄膜绝缘电流互感器结构设计与运行维护目录

前言

第一章 概述

第一节 定义

第二节 用途

第三节 分类

第四节 基本工作原理

第五节 与其他类型电流互感器的比较

第六节 技术标准

第二章 结构和特点

第一节 基本结构

第二节 基本结构特点

第三节 套管式合成薄膜绝缘电流互感器

第四节 串级式合成薄膜绝缘电流互感器

第五节 大电流合成薄膜绝缘电流互感器(另一种串级式)

第六节 电子式合成薄膜绝缘电流互感器

第七节 合成薄膜绝缘电子/电磁双系统电流互感器

第八节 配件

第三章 绝缘结构及材料

第一节 内绝缘的结构及材料

第二节 外绝缘的结构及材料

第四章 绝缘特性

第一节 内绝缘特性

第二节 外绝缘特性

第三节 老化特性

第四节 温度特性

第五章 技术参数及使用环境

第一节 技术参数

第二节 使用环境

第六章 设计要点

第一节 概述

第二节 确定外绝缘弧闪距离及爬电距离

第三节 二次绕组设计及箱体基本尺寸确定

第四节 稳定温升计算和温升限值

第五节 确定一次导体长度、截面积及形状

第六节 一次绕组绝缘设计

第七章 工艺制造及试验

第一节 工艺及制造

第二节 试验及试验方法

第八章 运行维护

第一节 一般运行情况

第二节 运行后的跟踪检查

第三节 运行中可能出现的问题及处理措施

附录一 合成薄膜绝缘。TA温升计算方法

附录二 荷兰KEMA试验室对LRGBJ一220型TA的试验报告(摘抄并翻译)

附录三 老虎滩变电站3号穿墙套管试验、解剖、分析报告

附录四 110kV干式电流互感器电气试验及解剖报告

附录五 电力工业电气设备质量检验测试中心(武汉高压研究所)检测报告

参考文献

后记

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合成薄膜绝缘电流互感器结构设计与运行维护造价信息

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合成薄膜绝缘电流互感器结构设计与运行维护图书信息

出版社: 中国电力出版社; 第1版 (2010年1月1日)

丛书名: 合成薄膜绝缘电流互感器结构设计与运行维护

正文语种: 简体中文

ISBN: 9787508399010

条形码: 9787508399010

尺寸: 20 x 13.8 x 0.8 cm

重量: 141 g

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合成薄膜绝缘电流互感器结构设计与运行维护常见问题

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合成薄膜绝缘电流互感器结构设计与运行维护文献

电流互感器结构及原理 电流互感器结构及原理

电流互感器结构及原理

格式:pdf

大小:145KB

页数: 8页

一、电流互感器结构原理 1 普通电流互感器结构原理 电流互感器的结构较为简单, 由相互绝缘的一次绕组、 二次绕组、铁心以 及构架、壳体、接线端子等组成 。其工作原理与变压器基本相同,一次绕组的匝 数 (N1)较少,直接串联于电源线路中,一次负荷电流 ( )通过一次绕组时,产生 的交变磁通感应产生按比例减小的二次电流 ( );二次绕组的匝数 (N2)较多,与 仪表、继电器、变送器等电流线圈的二次负荷 (Z) 串联形成闭合回路,见图 1。 图 1 普通电流互感器结构原理图 由于一次绕组与二次绕组有相等的安培匝数, I 1N1=I 2N2,电流互感器额定电 流比: 。电流互感器实际运行中负荷阻抗很小,二次绕组接近于短路状 态,相当于一个短路运行的变压器 。 2 穿心式电流互感器结构原理 穿心式电流互感器其本身结构不设一次绕组,载流 (负荷电流 )导线由 L1至 L2穿过由硅钢片擀卷制成的圆形 (

超高压油浸式电流互感器结构分析 超高压油浸式电流互感器结构分析

超高压油浸式电流互感器结构分析

格式:pdf

大小:145KB

页数: 1页

油浸式电流互感器都是户外式产品。按主绝缘结构不同,它可分为纯油纸绝缘的链型结构和电容型油纸绝缘结构,其中正立式互感器常采用U形电容结构,倒立式互感器则常采用吊环形电容结构。

(合成薄膜绝缘电流互感器装置)

本词条由全国电网运行与控制标准化技术委员会 审核 。

一种主绝缘釆用合成薄膜绝缘材料制成的、非油浸的电容型电流互感器。

——引自DL/T 725-2013《电力用电流互感器使用技术规范》

中文名
合成薄膜绝缘电流互感器
外文名
current transformer with compound film insulation
所属学科
电力系统

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合成绝缘油种类

芳烃合成油,硅油,酯类油,醚类和砜类合成油,聚丁烯等都是合成绝缘油

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多层绝缘薄膜绝缘体上硅材料简介

多层绝缘薄膜绝缘体上硅材料,英语缩写SOIM。具有多层绝缘衬底的绝缘体上硅材料。克服常规绝缘体上硅结构中由于二氧化硅绝缘埋层的低热导率而存在着自加热问题。如氮化硅薄膜较二氧化硅绝缘薄膜具有更高热导率,采用不同比例的二氧化硅与氮化硅制成薄膜作埋层,可获得不同热导率的半导体材料。还可通过这种结构提高绝缘体上硅器件与电路的抗辐照性能。

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