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合成膜电位器

合成膜电位器是在绝缘基体上涂敷一层合成碳膜,经加温聚合后形成碳膜片,再与其他零件组合而成的电阻体.

合成膜电位器基本信息

合成膜电位器注意事项

①使用前应先对电位器的质量进行检查。电位器的轴柄应转动灵活、松紧适当,无机械杂声。用万用表检查标称电阻值,应符合要求。若用万用表测量电位器固定端与滑动端接线片间的电阻值,在缓慢旋转电位器旋柄轴时,表针应平稳转动、无跳跃现象。  ②由于电位器的一些零件是用聚碳酸酣等合成树脂制成的,所以不要在含有氨、胺、碱溶液和芳香族碳氢化合物、酮类、卤化碳氢化合物等化学物品浓度大的环境中使用,以延长电位器的使用寿命。  ③对于有接地焊片的电位器,其焊片必须接地,,以防外界干扰。  ④电位器不要超负载使用,要在额定值内使用。当电位器作变阻器调节电流使用时,允许功耗应与动触点接触电刷的行程成比例地减少,以保证流过的电流不超过电位器允许的额定值,防止电位器由于局部过载而失效。  为防止电位器阻值调整接近零时的电流超过允许的最大值,最好串接一限流电阻,以避免电位器过流而损坏。  ⑤电流流过高阻值电位器时产生的电压降,不得超过电位器所允许的最大工作电压。  ⑥为防止电位器的接点、导电层变质或烧毁,小阻值电位器的工作电流不得超过接点允许的最大电流。  ⑦电位器在安装时必须牢固可靠,应紧固的螺母应用足够的力矩拧紧到位,以防长朝使用过程中发生松动变位,与其他元件相碰而引生电路故障。  ⑧各种微调电位器可直接在印制电路板上安装,但应注意相邻元件的排列,以保证电位器调节方便而又不影响相邻元件。  ⑨非密封的电位器最容易出现噪声大的故障,这主要是由于油污及磨损造成的。此时千万不能用涂润滑油的方法来解决这一问题,涂润滑油反而会加重内部灰尘和导电微粒的聚集。正确的处理方法是,用蘸有无水酒精的棉球轻拭电阻片上的污垢,并清除接触电刷与引出簧片上的油溃。  ⑩电位器严重损坏时需要更换新电位器,这时最好选用型号和阻值与原电位器相同的电位器,还应注意电位器的轴长及轴端形状应与原旋钮相匹配。如果万一找不到原型号、原阻值的电位器,可用相似阻值和型号的电位器代换。代换的电位器阻值允许增值变化20%]]-30%]],代换电位器的额定功率一般不得小于原电位器的额定功率。除此之外,代换的电位器还应满足电路及使用中的要求。

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合成膜电位器造价信息

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电位器

  • H5K电位器
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  • 2022-12-08
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电位器

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  • 2022-12-08
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电位器

  • 0-4.7千欧
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  • 上海铂耀照明器材有限公司
  • 2022-12-08
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电位器

  • СП5-22 1ВТ 22 ОМ±5%В
  • RU
  • 13%
  • 湖北省海牛通信电子器材有限公司
  • 2022-12-08
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电位器

  • СП5-14 22
  • RU
  • 13%
  • 湖北省海牛通信电子器材有限公司
  • 2022-12-08
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电流试验器

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电器检验仪

  • 台班
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电压电流表

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  • 韶关市2010年7月信息价
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精密热

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精密

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  • 韶关市2010年7月信息价
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风机调速电位器

  • 风机调速电位器
  • 2台
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  • 2017-11-03
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电位器

  • 0-4.7千欧
  • 1块
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电位器

  • WXD3-13 种类 多圈用途 微调 材料 线绕性能 螺杆驱动 阻值调节方式 旋转式阻值变化方式 X式(直线式) 标称阻值 1Ω470K额定功率 2W(W) 阻值允许偏差 ±5(%)
  • 4866个
  • 2
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  • 2015-04-18
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电位器

  • LA42DWQ-22
  • 3个
  • 3
  • 中高档
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  • 2020-05-18
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电位器

  • 3935只
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  • 哥伦
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  • 2015-10-27
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合成膜电位器特点

合成膜电位器电位器的阻值变化连续,分辨率高,阻值范围宽(几百欧~几兆欧),成本低,稳定性好、噪声低;易于制作成符合需要的电阻规律.缺点是功率不能太高,一般做到2w,对温度和湿度的适应性差, 使用寿命短.

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合成膜电位器常见问题

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合成膜电位器文献

电阻器与电位器.. 电阻器与电位器..

电阻器与电位器..

格式:pdf

大小:6.8MB

页数: 55页

电阻器与电位器..

pH玻璃电极膜电位的形成及其应用 pH玻璃电极膜电位的形成及其应用

pH玻璃电极膜电位的形成及其应用

格式:pdf

大小:6.8MB

页数: 2页

pH玻璃电极对溶液中H+的选择性响应,关键在于其敏感膜中膜电位的形成。因此准确理解膜电位形成的思维逻辑非常必要,该思维逻辑就是模型思维与函数思维的联合运用。鉴于此,本文阐述了膜电位形成所采纳的模型及其计算公式推导,并对pH玻璃电极发展趋势进行了讨论。

LED电平指示器元器件选择

R1一R20选用1/4W碳膜电阻器或金属膜电阻器。

RP选用合成膜电位器。

C选用耐压值为lOV以上的铝电解电容器。

VD1一VD6均选用1N4148型硅开关二极管。

VLl一VL6均选用2EF302型三端双色发光二极管。

V选用3DG6或58050、59013等型号的硅NPN晶体管。

IC1和IC2均选用CD4069或C033型六非门集成电路。

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