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R1一R20选用1/4W碳膜电阻器或金属膜电阻器。
RP选用合成膜电位器。
C选用耐压值为lOV以上的铝电解电容器。
VD1一VD6均选用1N4148型硅开关二极管。
VLl一VL6均选用2EF302型三端双色发光二极管。
V选用3DG6或58050、59013等型号的硅NPN晶体管。
IC1和IC2均选用CD4069或C033型六非门集成电路。