选择特殊符号
选择搜索类型
请输入搜索
结合国内外IGBT的发展及最新应用技术,重点阐述IGBT的驱动、保护电路的设计及应用电路实例。本书结合国内外IGBT的发展和最新应用技术,以从事IGBT应用电路设计人员为本书的读者对象,系统、全面地讲解了IGBT应用电路设计必备的基础知识,并选取和总结了IGBT的典型应用电路设计实例,以供从事IGBT应用电路设计的工程技术人员在实际设计工作中参考。
全书共分为6章,在概述了IGBT的发展历程与发展趋势的基础上,讲解了IGBT的结构和工作特性、IGBT模块化技术、IGBT驱动电路设计、IGBT保护电路设计、IGBT应用设计与电路实例等内容。本书题材新颖实用,内容丰富,文字通俗,具有很高的实用价值。
本书可供电信、信息、航天、电力、军事及家电等领域从事IGBT应用电路开发、设计、应用的工程技术人员和高等院校及职业技术学院的师生阅读参考。
第2版前言
第1版前言
第1章IGBT的发展历程与发展趋势
第2章IGBT的结构和工作特性
第3章IGBT模块化技术
第4章IGBT驱动电路设计
第5章IGBT保护电路设计
第6章IGBT应用电路实例
参考文献
IGBT综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。图1所示为一个N 沟道增强型绝缘栅双极...
IGBT对驱动电路的要求:(1)提供适当的正反向电压,使IGBT能可靠地开通和关断。当正偏压增大时IGBT通态压降和开通损耗均下降,但若UGE过大,则负载短路时其IC随UGE增大而增大,对其安全不利,...
只要VCC和VEE的电压正确就不用担心A314J的VO端子输出电压不足(但事实上这个电路中VEE电压是0V)。C18 C19 是VCC和VEE的储能电容,D3 D4 是限制输出电压不高于VCC和不低于...
继电器触点保护电路设计
电磁继电器在自动化控制中应用非常广泛,但继电器触点常因打火①和拉弧②而损坏。本文设计了一种成本低廉易于实现的触点保护方案。利用过零检测电路分别检测出空载时220V交流电压零点和负载时交流电流零点,再通过单片机控制继电器动作,保证继电器触点在交流电压零点附近吸合并能在负载电流零点断开,以尽可能减小触点拉弧,从而起到保护继电器触点的目的。同时,单片机统计继电器动作时间,当继电器老化,动作时间变长,单片机能自动调整启动继电器的时间,以适应继电器变化。
IGBT驱动电路是驱动IGBT模块以能让其正常工作,并同时对其进行保护的电路。
MOSFET/IGBT驱动器集成电路应用集萃
作 者:王水平等编
出版社:中国电力出版社
出版时间:2010-1-1MOSFET/IGBT驱动器集成电路应用集萃
开 本:16开
ISBN:9787508387970
定价:¥48.00
对于大功率IGBT,选择驱动电路基于以下的参数要求:器件关断偏置、门极电荷、耐固性和电源情况等。门极电路的正偏压VGE负偏压-VGE和门极电阻RG的大小,对IGBT的通态压降、开关时间、开关损耗、承受短路能力以及dv/dt电流等参数有不同程度的影响。门极驱动条件与器件特性的关系见表1。栅极正电压 的变化对IGBT的开通特性、负载短路能力和dVcE/dt电流有较大影响,而门极负偏压则对关断特性的影响比较大。在门极电路的设计中,还要注意开通特性、负载短路能力和由dVcE/dt 电流引起的误触发等问题(见表1)。
表1 IGBT门极驱动条件与器件特性的关系
由于IGBT的开关特性和安全工作区随着栅极驱动电路的变化而变化,因而驱动电路性能的好坏将直接影响IGBT能否正常工作。为使IGBT能可靠工作。IGBT对其驱动电路提出了以下要求。
1)向IGBT提供适当的正向栅压。并且在IGBT导通后。栅极驱动电路提供给IGBT的驱动电压和电流要有足够的幅度,使IGBT的功率输出级总处于饱和状态。瞬时过载时,栅极驱动电路提供的驱动功率要足以保证IGBT不退出饱和区。IGBT导通后的管压降与所加栅源电压有关,在漏源电流一定的情况下,VGE越高,VDS傩就越低,器件的导通损耗就越小,这有利于充分发挥管子的工作能力。但是, VGE并非越高越好,一般不允许超过20 V,原因是一旦发生过流或短路,栅压越高,则电流幅值越高,IGBT损坏的可能性就越大。通常,综合考虑取+15 V为宜。
2)能向IGBT提供足够的反向栅压。在IGBT关断期间,由于电路中其他部分的工作,会在栅极电路中产生一些高频振荡信号,这些信号轻则会使本该截止的IGBT处于微通状态,增加管子的功耗。重则将使调压电路处于短路直通状态。因此,最好给处于截止状态的IGBT加一反向栅压(幅值一般为5~15 V),使IGBT在栅极出现开关噪声时仍能可靠截止。
3)具有栅极电压限幅电路,保护栅极不被击穿。IGBT栅极极限电压一般为+20 V,驱动信号超出此范围就可能破坏栅极。
4)由于IGBT多用于高压场合。要求有足够的输入、输出电隔离能力。所以驱动电路应与整个控制电路在电位上严格隔离,一般采用高速光耦合隔离或变压器耦合隔离。
5)IGBT的栅极驱动电路应尽可能的简单、实用。应具有IGBT的完整保护功能,很强的抗干扰能力,且输出阻抗应尽可能的低。