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晶体管原理

晶体管原理造价信息

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CPU224晶体管型

规格型号：
CPU224, DC PS, 14DE DC/10DA DC-CN
价格行情：
材料单位：
件
材料品牌：
材料税率：
13%
供应商：
武汉运通达科技有限公司
报价时间：
2022-12-06

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CPU226晶体管型

规格型号：
CPU226, DC PS, 24DE DC/16DA DC-CN
价格行情：
材料单位：
件
材料品牌：
材料税率：
13%
供应商：
武汉运通达科技有限公司
报价时间：
2022-12-06

查看价格

CPU222晶体管型

规格型号：
CPU222, DC 24V, 8DE DC/6DA DC-CN
价格行情：
材料单位：
件
材料品牌：
材料税率：
13%
供应商：
武汉运通达科技有限公司
报价时间：
2022-12-06

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CPU224XP晶体管型

规格型号：
CPU224XP, DC PS, 14DE DC/10DA DC/2AE/1AA
价格行情：
材料单位：
件
材料品牌：
材料税率：
13%
供应商：
武汉运通达科技有限公司
报价时间：
2022-12-06

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晶体管图示仪

规格型号：
XJ-4810
价格行情：
材料单位：
台
材料品牌：
材料税率：
13%
供应商：
成都天大仪器设备有限公司
报价时间：
2022-12-06

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自发电一体焊机

规格型号：
305A
价格行情：
材料单位：
台班
材料税率：
地区时间：
韶关市2010年8月信息价
所属行业：
建筑工程
备注说明：

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二氧化碳气体保护焊机

规格型号：
电流250A
价格行情：
材料单位：
台班
材料税率：
地区时间：
汕头市2011年3季度信息价
所属行业：
建筑工程
备注说明：

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二氧化碳气体保护焊机

规格型号：
电流250A
价格行情：
材料单位：
台班
材料税率：
地区时间：
广州市2010年3季度信息价
所属行业：
建筑工程
备注说明：

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二氧化碳气体保护焊机

规格型号：
电流250A
价格行情：
材料单位：
台班
材料税率：
地区时间：
汕头市2010年2季度信息价
所属行业：
建筑工程
备注说明：

查看价格

二氧化碳气体保护焊机

规格型号：
电流250A
价格行情：
材料单位：
台班
材料税率：
地区时间：
广州市2010年2季度信息价
所属行业：
建筑工程
备注说明：

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晶体管图示仪

规格型号：
BJ4811A
需求量：
10台
报价数：
1
材料品牌：
材料档次：
普通
费用说明：
不含税费 | 含运费
询价时间：
2015-12-20

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晶体管测试仪

规格型号：
HP3326A
需求量：
10台
报价数：
1
材料品牌：
材料档次：
中档
费用说明：
不含税费 | 不含运费
询价时间：
2015-12-18

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晶体管图示仪

规格型号：
XJ-4810A
需求量：
5台
报价数：
1
材料品牌：
材料档次：
普通
费用说明：
不含税费 | 含运费
询价时间：
2015-10-21

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晶体管话筒U87Ai

规格型号：
技术指标: 声音工作原理:压力梯度传感器指向性:全向性,心型,8字型频响:20Hz-20KHz 灵敏度(1KHz-1KOHM):20/28/22mVPa × 输出阻抗:200ohms 负载阻抗
需求量：
2只
报价数：
1
材料品牌：
材料档次：
中高档
费用说明：
含税费 | 含运费
询价时间：
2018-07-02

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晶体管图示仪

规格型号：
DW4822
需求量：
4台
报价数：
1
材料品牌：
材料档次：
普通
费用说明：
含税费 | 不含运费
询价时间：
2015-10-22

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晶体管原理常见问题

晶体管是什么

晶体管（transistor）是一种固体半导体器件，可以用于检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制和许多其它功能。晶体管作为一种可变开关，基于输入的电压，控制流出的电流，开关速度可以非常之快，在实验室...
单极型晶体管？

只用一种载流子进行导电的晶体管称为单极型晶体管。
晶体管集成的问题

晶体管是统称。三极管是其中一种，三极管是双极型晶体管，体积较大，电流也较大。你说看到的三极管是分离原件，内部芯片也是很小的，一般在1平方毫米至5平方毫米，其他的是外壳，分离原件相对集成电路来说功率是大...

晶体管原理文献

塑料基底晶体管

塑料基底晶体管

塑料基底晶体管

格式：pdf

大小：135KB

页数： 2页

晶体管制造一般是用玻璃作基底材料。这有利于在多变的环境下保持稳定，从而保证用电设备所需的电流。据美国物理学家组织网报道，美国佐治亚理工大学研究人员最近开发出一种双层界面新型晶体管，性能极为稳定，还能在可控的环境中。

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S波段RF功率晶体管

S波段RF功率晶体管

S波段RF功率晶体管

格式：pdf

大小：135KB

页数：未知

S波段500WRF器件2729GN～500越于碳化硅衬底氮化镓（GaN on SiC）技术，新器件瞄准大功率空中交通管制机场监视雷达（ASR）应用，ASR用于监视和控制在机场大约100英里范围的飞机。

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薄膜晶体管原理

薄膜晶体管是一种绝缘栅场效应晶体管.它的工作状态可以利用 Weimer 表征的单晶硅 MOSFET 工作原理来描述.以 n 沟 MOSFET 为例,物理结构如图 2. 当栅极施以正电压时,栅压在栅绝缘层中产生电场,电力线由栅电极指向半导体表面,并在表面处产生感应电荷.随着栅电压增加,半导体表面将由耗尽层转变为电子积累层,形成反型层.当达到强反型时(即达到开启电压时) ,源,漏间加上电压就会有载流子通过沟道.当源漏电压很小时,导电沟道近似为一恒定电阻,漏电流随源漏电压增加而线性增大. 当源漏电压很大时,它会对栅电压产生影响,使得栅绝缘层中电场由源端到漏端逐渐减弱,半导体表面反型层中电子由源端到漏端逐渐减小,沟道电阻随着源漏电压增大而增加.漏电流增加变得缓慢,对应线性区向饱和区过渡.当源漏电压增到一定程度,漏端反型层厚度减为零,电压在增加,器件进入饱和区.在实际 LCD 生产中,主要利用 a-Si:H TFT 的开态(大于开启电压)对像素电容快速充电,利用关态来保持像素电容的电压,从而实现快速响应和良好存储的统一.

隧道场效应晶体管原理

计算机包含有无数个晶体管，仅仅CPU内就有不下10亿个晶体管，这些小的晶体管通过打开和关闭来提供用0和1表示的二进制指令，从而让我们能够发送邮件、观看视频、移动鼠标等。晶体管使用的技术名叫“场效应”——通过该效应，电压诱导一个电子隧道来激活晶体管，但是，场效应技术正在慢慢达到其极限，尤其在降低能耗方面已经没有什么施展的空间了。 不过，隧道场效应晶体管技术则基于迥然不同的原理。在隧道场效应晶体管中，两个小槽被一个能量势垒分开。在第一个小槽中，一大群电子在静静等待着，晶体管没有被激活，当施加电压时，电子就会通过能量势垒并且移入第二个小槽内，同时激活晶体管。 根据量子理论，有些电子纵使明显缺乏足够的能量来穿过能量势垒，它们也能做到这一点，这就是量子隧道效应。通过减少能量势垒的幅度，增强并利用量子效应将成为可能，因此，电子穿过势垒所需要的能量会大大减少，晶体管的能耗也会因此而显著下降。

双极型功率晶体管晶体管

通常简称功率晶体管。其中大容量型又称巨型晶体管，简称GTR。功率晶体管一般为功率集成器件，内含数十至数百个晶体管单元。图1是功率晶体管的符号，其上e、b、c分别代表发射极、基极和集电极。按半导体的类型，器件被分成NPN型和PNP型两种，硅功率晶体管多为前者。

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