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基于表面微纳结构的GaN基发光器件光输出特性调控研究结题摘要

基于表面微纳结构的GaN基发光器件光输出特性调控研究结题摘要

在LED照明技术日益发展的今天，偏振光源作为普通光源一种功能上的扩展，在CCD偏振成像、光学存储、光通信、光电探测、平板显示背光等方面具有广阔的应用前景。基于GaN基LED的微纳光子学和光电子学是一个及其重要的研究方向。本项目开展了表面微纳结构对LED出光特性的调控研究工作，设计并制备了基于纳米结构偏振转换的高效偏振出光GaN基LED。主要工作包括：1) 利用时域有限差分进行数值模拟，设计并制备了基于可见光波段的偏振纳米光栅，以及基于纳米结构偏振转换的高效偏振出光GaN基LED。采用深紫外曝光技术制作了最小周期190nm的纳米偏振光栅，偏振度达到25 dB。2) 提出、设计并制备了二维椭圆柱纳米阵列结构，实现了半波片偏振转换的功能，并将该结构集成到振度LED上，进一步提高了偏振光出光的效率，在宽角度内（±60o内）平均提高20%。3)提出了一种基于荧光陶瓷和纳米光栅集成的GaN基白光LED复合结构，能在450nm~650nm光谱范围内实现高偏振度白光出射。利用纳米压印及反应离子束刻蚀工艺，实验制备了荧光陶瓷基底上周期150nm，有效面积达20mm×20mm的介质/金属复合纳米光栅结构。测试结果表明偏振白光LED在450nm~650nm可见光范围内的消光比大于20dB，TM波透过率高于60%。本项目的研究对拓展LED应用领域、创新平板显示的解决方案、探索氮化镓基材料的微纳光电子学应用均具有重要的意义。

基于表面微纳结构的GaN基发光器件光输出特性调控研究造价信息

市场价
信息价
询价

侧发光格栅教室灯

规格型号：
1200×300×30mm
价格行情：
材料单位：
个
材料品牌：
LOHUA
材料税率：
13%
供应商：
深圳市罗化光源有限公司
报价时间：
2022-12-07

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方形晶格片发光道钉

规格型号：
PR2F-11-112规格:白色ABS基座,尺寸:112×94×22mm,晶格反光片,自发光部分:42×74mm
价格行情：
材料单位：
块
材料品牌：
欣红
材料税率：
13%
供应商：
广东欣红陶瓷股份有限公司
报价时间：
2022-12-07

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双面发光字

规格型号：
规格:1.5米x1.5米双面发光字功率:400w光源:外控黄光电压:DC12V外壳:2.5厘亚克力面板、冷板4x4角铁芯片:台湾进口芯片防水
价格行情：
材料单位：
个
材料品牌：
材料税率：
13%
供应商：
广东万佳广告有限公司
报价时间：
2022-12-07

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发光粉

规格型号：
品种:石粉;粒径范围:100 目;
价格行情：
材料单位：
t
材料品牌：
喜跃发
材料税率：
13%
供应商：
山西喜跃发道路建设养护有限公司
报价时间：
2022-12-07

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发光粉

规格型号：
品种:石粉;粒径范围:100 目;
价格行情：
材料单位：
t
材料品牌：
喜跃发
材料税率：
13%
供应商：
喜跃发国际环保新材料股份有限公司
报价时间：
2022-12-07

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氯化纳

规格型号：
价格行情：
材料单位：
kg
材料税率：
地区时间：
韶关市2008年9月信息价
所属行业：
建筑工程
备注说明：

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氯化纳

规格型号：
价格行情：
材料单位：
kg
材料税率：
地区时间：
韶关市2008年6月信息价
所属行业：
建筑工程
备注说明：

查看价格

氯化纳

规格型号：
价格行情：
材料单位：
kg
材料税率：
地区时间：
韶关市2008年4月信息价
所属行业：
建筑工程
备注说明：

查看价格

氯化纳

规格型号：
价格行情：
材料单位：
kg
材料税率：
地区时间：
韶关市2008年3月信息价
所属行业：
建筑工程
备注说明：

查看价格

氯化纳

规格型号：
价格行情：
材料单位：
kg
材料税率：
地区时间：
韶关市2007年9月信息价
所属行业：
建筑工程
备注说明：

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LED调光输出器

规格型号：
L6893-01Z
需求量：
14个
报价数：
1
材料品牌：
材料档次：
费用说明：
不含税费 | 不含运费
询价时间：
2012-07-09

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纤维增强覆面木基结构板

规格型号：
160mm厚,木基结构板容重≤4.5KN/
需求量：
560m²
报价数：
1
材料品牌：
材料档次：
中档
费用说明：
不含税费 | 含运费
询价时间：
2022-08-03

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主题发光字

规格型号：
1.1米X9个+1.85mX1个不锈钢边内发光字:激光焊接成型;侧边厚度:1.0mm#201不锈钢板材、侧8cm厚度;亚克力面板:3.0mm红色透光亚克力板材;背锁10mm高密PVC底板;内装置红色5050透镜发光模组.配3个400W电源
需求量：
13平
报价数：
1
材料品牌：
定制
材料档次：
中高档
费用说明：
含税费 | 含运费
询价时间：
2022-11-02

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基于WEBBIM的集成管理平台

规格型号：
用WEB形式进行配置及展示,应具备的功能包括:与所有对接的智能化系统数据互通;与综合能耗管理系统数据互通;可以跨平台使用;展示所有的监控人员关心的界面、参数、参考资料.
需求量：
1套
报价数：
1
材料品牌：
材料档次：
中档
费用说明：
含税费 | 含运费
询价时间：
2018-09-28

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基于WEBBIM的集成管理平台

规格型号：
用WEB形式进行配置及展示,应具备的功能包括:与所有对接的智能化系统数据互通;与综合能耗管理系统数据互通;可以跨平台使用;展示所有的监控人员关心的界面、参数、参考资料.
需求量：
1套
报价数：
1
材料品牌：
南京古河
材料档次：
中档
费用说明：
含税费 | 含运费
询价时间：
2018-09-20

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基于表面微纳结构的GaN基发光器件光输出特性调控研究项目摘要

氮化镓基LED的发展逐渐从追求单一的高流明效率向多功能化过渡，数字照明、通讯照明正在逐渐成为前沿研发热点，基于氮化镓LED的微纳光子学和光电子学将是一个极其重要的研究领域。本项目拟开展表面微纳结构对LED出光特性的调控作用研究，设计反射面微纳结构实现TE光的反射和位相转换，设计出光面为金属/介质的复合微纳光栅结构，大幅度提高LED的偏振出光消光比和出光效率，获得偏振消光比100：1的高效偏振出光LED。进一步深入研究金属微纳结构中等离子激元波的电磁特性对LED偏振光输出的特性的影响，探索LED在未来纳米光子学的应用方案。在制备工艺技术上，创新采用金属/介质复合光栅，在实现同样偏振消光比的前提下，大大降低了对光栅周期和占空比的容差要求，实现可以大面积（2英寸及以上）制备的工艺技术。本项目的研究对拓展LED应用领域、创新平板显示的解决方案、探索氮化镓基材料的微纳光电子学应用均具有重要的意义。

基于表面微纳结构的GaN基发光器件光输出特性调控研究结题摘要常见问题

半导体发光器件的基本原理

半导体分为N型和P型，当这两者结合在一起就形成PN结，由于内建场的存在，两端产生电势差。当PN结连接外电路时产生电流，成为光生伏特效应。
发光二极管器件制造流程

发光二极管器件制造流程：1：注入一定的电流后，电子与空穴不断流过PN结或与之类似的结构面，并进行自发复合产生辐射光的二极管半导体器件。应用学科：测绘学（一级学科）；测绘仪器（二级学科）定义2：在半导体...
3m灯布表面怎么安装发光字

3M授权经销商----郑州金艾斯商贸有限公司，告诉您3M灯箱布上安装发光字，有俩种方法，分别是：1. 直接粘贴法通过粘贴的方式将发光字和3M灯箱布固定在一起2. 机械紧固法通过螺栓紧固的方式将发光字和...

基于表面微纳结构的GaN基发光器件光输出特性调控研究结题摘要文献

红色磷光微腔有机电致发光器件的发光性能

红色磷光微腔有机电致发光器件的发光性能

红色磷光微腔有机电致发光器件的发光性能

格式：pdf

大小：382KB

页数：未知

制备了结构为G/DBR/ITO/Mo O3(1 nm)/Tc Ta(55 nm)/CBP∶Ir(piq)2acac(44 nm,6%)/TPBI(55nm)/Li F(1 nm)/Al(80 nm)的红色磷光微腔有机电致发光器件(MOLED),同时制作了无腔对比器件OLED,研究微腔结构对磷光器件发光性能的影响。研究发现,OLED的电致发光(EL)峰值为626 nm,半高全宽(FWHM)为92 nm;MOLED的发光峰值为628 nm,FWHM为42 nm,窄化了1/2。MOLED的最大亮度、最大电流效率、最大外量子效率(EQE)分别为121 000 cd/m2、27.8 cd/A和28.4%,OLED的最大亮度、最大电流效率、最大EQE分别为54 500 cd/m2、13.1 cd/A和16.6%。结果表明,微腔器件的发光性能与无腔器件相比得到了较大幅度的提升。

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光纤通信系统与光器件(光器件)

光纤通信系统与光器件(光器件)

光纤通信系统与光器件(光器件)

格式：pdf

大小：382KB

页数： 104页

光纤通信系统与光器件(光器件)

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热能调控微纳结构材料内容简介

《纳米科学与技术热能调控微纳结构材料》在综合国内外研究工作的基础上，结合作者承担的国家纳米研究重大专项“高效节能微纳结构材料体系研究”工作撰写而成。《纳米科学与技术热能调控微纳结构材料》共6章，第1章介绍微纳结构材料微结构表征方法及常用仪器；第2章介绍微纳结构材料热物理性能的表征；第3章介绍微纳结构热物理理论分析和模拟；第4章介绍高效隔热材料结构设计及性能评价；第5章介绍相变储能材料在热调控方面的应用；第6章列举常用微纳结构节能材料及其应用领域。

热能调控微纳结构材料编辑推荐

《热能调控微纳结构材料》为读者提供从材料的微纳结构设计到材料热物理基本规律的相关知识，可供从事节能材料、纳米技术研究的科研人员阅读与参考，也可作为化学、材料、物理等专业的研究生和大学本科高年级学生的专业参考书。

激光剥离GaN表面纳米级平整度的控制结题摘要

本项目针对研制III族氮化物光电子器件的关键工艺--激光剥离技术进行研究。该技术是利用激光辐照使蓝宝石与GaN外延片界面处的GaN分解，进而实现蓝宝石与GaN外延薄膜的分离。通过研究激光剥离工艺参数对剥离后GaN表面的影响，实现激光剥离GaN表面纳米级粗糙度的控制。该技术可用于研制GaN基发光二极管（LED）、共振腔发光管（RCLED）以及面发射激光器（VCSEL）等新型III族氮化物半导体光电子器件。这些器件在照明、通信、存储、显示等领域具有广阔的应用前景。通过本项目的研究，主要取得了以下几个方面的进展：（1）利用有限元分析法研究了激光剥离过程中GaN和蓝宝石中的热传输机理, 得出了激光剥离过程中GaN材料内瞬态温度场分布函数，为激光剥离工艺参数的选取提供了重要理论依据。（2）研究了激光剥离工艺参数对激光剥离后GaN表面的影响，分析了激光剥离GaN表面不平整及出现损伤的原因，实现了GaN外延片与蓝宝石衬底的完整剥离，剥离后GaN表面平整、无裂缝，表面平整度小于10nm。（3）研究了湿法腐蚀、化学机械抛光、ICP刻蚀技术对激光剥离GaN表面的影响，实现了激光剥离GaN表面纳米级平整度的控制。（4）获得了亚纳米平整度的激光剥离GaN表面，在此基础上制作了高品质的氮化物微谐振腔，实现了GaN 基VCSEL低阈值光泵激射。（5）研制出了多种具有优良散热特性的GaN基LED器件，为将来开发新型的实用化LED器件提供了新的方案。（6）研制出了具有高Q值的电注入氮化物共振腔器件，为研制GaN基VCSEL和RCLED等新型微结构光电子器件提供了新的途径。 2100433B

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