1. 利用 外部电路的驱动能力，减少IC内部的驱动。当IC内部MOSFET（MOS管）导通时，驱动电流是从外部的VCC流经R pull-up （上拉电阻），MOSFET到GND。IC内部仅需很小的栅极驱动电流。

2. 可以将多个开漏输出的Pin，连接到一条线上。形成 “与逻辑” 关系。当PIN_A、PIN_B、PIN_C任意一个变低后，开漏线上的逻辑就为0了。这也是I2C，SMBus等总线判断总线占用状态的原理。

3. 可以利用改变上拉电源的电压，改变传输电平。如图2, IC的逻辑电平由电源Vcc1决定，而输出高电平则由Vcc2决定。这样我们就可以用低电平逻辑控制输出高电平逻辑了。

4. 开漏Pin不连接外部的上拉电阻，则只能输出低电平(因此对于经典的51单片机的P0口而言，要想做输入输出功能必须加外部上拉电阻，否则无法输出高电平逻辑)。

5. 标准的开漏脚一般只有输出的能力。添加其它的判断电路，才能具备双向输入、输出的能力。

1. 开漏和开集的原理类似，在许多应用中我们利用开集电路代替开漏电路。例如，某输入Pin要求由开漏电路驱动。则我们常见的驱动方式是利用一个三极管组成开集电路来驱动它，即方便又节省成本。如图3。

2. 上拉电阻R pull-up的阻值决定了逻辑电平转换的沿的速度。阻值越大，速度越低功耗越小。反之亦然。

需要补充的是，开漏和开集都可以作为驱动输出控制的开关，但是开漏电路在关闭输出的情况下会耗电，Vcc经上拉电阻过漏极到地，上拉电阻大小影响开关响应及驱动能力，如果上拉过小势必会导致在漏极导通的情况下的电力消耗。图2所示的开集输出电路，有同样的耗电问题。不过集电极驱动输出还有一种接法，可以解决耗电问题，使用PNP的三极管，发射极接电源，集电极接输出，基极加一个电阻接开关控制。当然在有些耗电不是问题的情况下开漏也是一个好的选择，很多处理器的i/o口都带有开漏功能，这样，就可以节约一个三极管。2100433B

开漏电路概念中提到的“漏”就是指MOS FET的漏极。

同理，开集电路中的“集”就是指三极管的集电极。

开漏电路就是指以MOS FET的漏极为输出的电路。

一般的用法是会在漏极外部的电路添加上拉电阻。

完整的开漏电路应该由开漏器件和开漏上拉电阻组成。

开漏输出跟集电极开路十分相似，工作原理也是一样的。不同的是，开漏输出使用的场效应管，使用时要加上拉电阻而已。

参考：集电极开路输出(OC)、漏极开路输出(OD)、推挽输出

开漏极就是漏极开路，漏极开路是驱动电路的输出三极管的集电极开路，可以通过外接的上拉电阻提高驱动能力。

特点

组成开漏形式的电路有以下几个特点

1. 利用外部电路的驱动能力，减少IC内部的驱动。当IC内部MOSFET导通时，驱动电流是从外部的VCC流经R pull-up ，MOSFET到GND。IC内部仅需很小的栅极驱动电流。

2. 可以将多个开漏输出的Pin，连接到一条线上。形成“与逻辑”关系。当PIN_A、PIN_B、PIN_C任意一个变低后，开漏线上的逻辑就为0了。这也是I2C，SMBus等总线判断总线占用状态的原理。

3. 可以利用改变上拉电源的电压，改变传输电平。IC的逻辑电平由电源Vcc1决定，而输出高电平则由Vcc2决定。这样我们就可以用低电平逻辑控制输出高电平逻辑了。

4. 开漏Pin不连接外部的上拉电阻，则只能输出低电平。

5. 标准的开漏脚一般只有输出的能力。添加其它的判断电路，才能具备双向输入、输出的能力。2100433B

开漏输出，指漏极开路的输出形式。就像晶体管集电极开路的输出形式一样，集电极上没有接集电极电阻Rc，直接引到芯片外面成为输出端，需要在芯片外面接上一个负载电阻（上拉电阻）才能形成完整的放大（逻辑）电路。这种电路结构方便于组成“线与”逻辑。通常用于数字电路中的门电路以及模拟电路中的比较器输出级。2100433B