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快速晶闸管工作原理

快速晶闸管工作原理

快速晶闸管的结构和工作原理与普通晶闸管相同,但在设计与制造中采取了特殊措施以减少开关耗散功率。通常采用增加门极-阴极周界长度、减薄基区厚度的办法,增加初始导通面积,提高dI/dt耐量和提高扩展速度;采用阴极短路点、非对称结构、掺金、铂或用电子、快中子辐照技术等办法降低少子寿命,提高dV/dt耐量,降低关断时间。80年代,快速晶闸管已做到通态平均电流1000A,耐压2500V,关断时间30微秒。

一种对工作频率有明确标定的快速晶闸管则称为高频晶闸管(中国型号为KG)。例如KG50(20kHz),表示该高频管的标称工作频率为20kHz,通态平均电流为50A(20kHz下正弦半波平均电流值)。80年代中期,中国已能生产KG100(20kHz)和KG200(10kHz),耐压为1~1.2kV的高频晶闸管。

快速晶闸管采取的特殊措施,在一定程度上降低了静态特性(如升高了通态压降),故限制了它直接工作于更高频率的大功率电子设备。为满足更高频率下工作对晶闸管提出的特殊要求,开发了门极辅助关断晶闸管、可关断晶闸管等。

晶闸管T在工作过程中,它的阳极A和阴极K与电源和负载连接,组成晶闸管的主电路,晶闸管的门极G和阴极K与控制晶闸管的装置连接,组成晶闸管的控制电路。

晶闸管的工作条件:

1. 晶闸管承受反向阳极电压时,不管门极承受和种电压,晶闸管都处于关短状态。

2. 晶闸管承受正向阳极电压时,仅在门极承受正向电压的情况下晶闸管才导通。

3. 晶闸管在导通情况下,只要有一定的正向阳极电压,不论门极电压如何,晶闸管保持导通,即晶闸管导通后,门极失去作用。

4. 晶闸管在导通情况下,当主回路电压(或电流)减小到接近于零时,晶闸管关断。

从晶闸管的内部分析工作过程:

晶闸管是四层三端器件,它有J1、J2、J3三个PN结图1,可以把它中间的NP分成两部分,构成一个PNP型三极管和一个NPN型三极管的复合管图2

当晶闸管承受正向阳极电压时,为使晶闸管导铜,必须使承受反向电压的PN结J2失去阻挡作用。图2中每个晶体管的集电极电流同时就是另一个晶体管的基极电流。因此,两个互相复合的晶体管电路,当有足够的门机电流Ig流入时,就会形成强烈的正反馈,造成两晶体管饱和导通,晶体管饱和导通。

设PNP管和NPN管的集电极电流相应为Ic1和Ic2;发射极电流相应为Ia和Ik;电流放大系数相应为a1=Ic1/Ia和a2=Ic2/Ik,设流过J2结的反相漏电电流为Ic0,

晶闸管的阳极电流等于两管的集电极电流和漏电流的总和:

Ia=Ic1+Ic2+Ic0 或Ia=a1Ia+a2Ik+Ic0

若门极电流为Ig,则晶闸管阴极电流为Ik=Ia+Ig

从而可以得出晶闸管阳极电流为:I=(Ic0+Iga2)/(1-(a1+a2))(1-1)式

硅PNP管和硅NPN管相应的电流放大系数a1和a2随其发射极电流的改变而急剧变化如图3所示。

当晶闸管承受正向阳极电压,而门极未受电压的情况下,式(1-1)中,Ig=0,(a1+a2)很小,故晶闸管的阳极电流Ia≈Ic0 晶闸关处于正向阻断状态。当晶闸管在正向阳极电压下,从门极G流入电流Ig,由于足够大的Ig流经NPN管的发射结,从而提高起点流放大系数a2,产生足够大的极电极电流Ic2流过PNP管的发射结,并提高了PNP管的电流放大系数a1,产生更大的极电极电流Ic1流经NPN管的发射结。这样强烈的正反馈过程迅速进行。从图3,当a1和a2随发射极电流增加而(a1+a2)≈1时,式(1-1)中的分母1-(a1+a2)≈0,因此提高了晶闸管的阳极电流Ia.这时,流过晶闸管的电流完全由主回路的电压和回路电阻决定。晶闸管已处于正向导通状态。

式(1-1)中,在晶闸管导通后,1-(a1+a2)≈0,即使此时门极电流Ig=0,晶闸管仍能保持原来的阳极电流Ia而继续导通。晶闸管在导通后,门极已失去作用。

在晶闸管导通后,如果不断的减小电源电压或增大回路电阻,使阳极电流Ia减小到维持电流IH以下时,由于a1和a1迅速下降,当1-(a1+a2)≈0时,晶闸管恢复阻断状态。

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快速晶闸管造价信息

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kk平板(凹型)快速晶闸管

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管工作

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管工作

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管工作

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快速晶闸管简介

可以在 400Hz以上频率工作的晶闸管。视电流容量大小,其开通时间为4~8微秒,关断时间为10~60微秒。主要用于较高频率的整流、斩波、逆变和变频电路。

快速晶闸管是一个PNPN四层三端器件,其符号与普通晶闸管(见逆阻晶闸管)一样,它不仅要有良好的静态特性,尤其要有良好的动态特性。快速晶闸管的动态参数要求为开通速度和导通扩展速度快,反向恢复电荷少,关断时间短,通态电流临界上升率(dI/dt)及断态电压临界上升率 (dV/dt)高。通态电流临界上升率是在规定条件下,器件从断态转入通态时,对晶闸管不产生有害影响的最大通态电流上升率;断态电压临界上升率是在规定条件下,器件从断态不致转向通态的最大断态电压上升率。快速晶闸管在额定频率内其额定电流不随频率的增加而下降或下降很少。而普通晶闸管在 400Hz以上时,因开关损耗随频率的提高而增大,并且在总损耗中所占比重也增加,所以,其额定电流随频率增加而急速下降。

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快速晶闸管名称

快速晶闸管

fast switching thyristor

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快速晶闸管工作原理常见问题

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快速晶闸管工作原理文献

道闸的工作原理 道闸的工作原理

道闸的工作原理

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道闸的工作原理 道闸主要是由智能控制电路控制强电的通断,从而达到驱动电机的正反向转动, 电机的的正反向转动驱动道闸机械结构( 4杆联动机构)运动,从而达到栏杆在 垂直与水平位置之间的运动 预置点就是对摄像头的位置、焦距、光圈及变焦进行预先设置并记忆,同时用 一个编号对这些设置进行标识。 四画面分割器监视系统有监视器 、分画面分割器、摄像机组成 摄像机的种类有传统云台摄像机、室外高速球机、室内半球机、带红外日夜摄 像机、针孔摄像机、隐蔽摄像机、带红外日夜一体化摄像机、三可变摄像机。 解码器的解码方法:线路板上有 7 组的短路插针,按 1、2、4、8码相加而成。 门禁的分类;密码识别、卡片识别、人像识别。 门禁的组成:门禁控制器、读卡器、电控锁、卡片、其他设备。 可视对讲系统的功能:可视门铃功能、远程电子开锁功能、报警管理功能、选 呼通话功能、远程监控录像功能 门磁开关由一个条形永久磁铁和一个

LED数码管工作原理及控制 LED数码管工作原理及控制

LED数码管工作原理及控制

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LED数码管工作原理及控制

新型晶闸管数据手册图书目录

普通型反向阻断晶闸管(SCR)

快速晶闸管

高频晶闸管

双向晶闸管(TRIAC)

门极关断晶闸管(GTO)

附录A 晶闸管厂商名称对照表

附录B 晶闸管封装外形尺寸

索引

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反向阻断晶闸管概述

介绍

快速晶闸管是一个PNPN四层三端器件,其符号与普通晶闸管(见逆阻晶闸管)一样,它不仅要有良好的静态特性,尤其要有良好的动态特性。快速晶闸管的动态参数要求为开通速度和导通扩展速度快,反向恢复电荷少,关断时间短,通态电流临界上升率(dI/dt)及断态电压临界上升率(dV/dt)高。通态电流临界上升率是在规定条件下,器件从断态转入通态时,对晶闸管不产生有害影响的最大通态电流上升率;断态电压临界上升率是在规定条件下,器件从断态不致转向通态的最大断态电压上升率。快速晶闸管在额定频率内其额定电流不随频率的增加而下降或下降很少。而普通晶闸管在400Hz以上时,因开关损耗随频率的提高而增大,并且在总损耗中所占比重也增加,所以,其额定电流随频率增加而急速下降。

快速晶闸管的结构和工作原理与普通晶闸管相同,但在设计与制造中采取了特殊措施以减少开关耗散功率。通常采用增加门极-阴极周界长度、减薄基区厚度的办法,增加初始导通面积,提高dI/dt耐量和提高扩展速度;采用阴极短路点、非对称结构、掺金、铂或用电子、快中子辐照技术等办法降低少子寿命,提高dV/dt耐量,降低关断时间。80年代,快速晶闸管已做到通态平均电流1000A,耐压2500V,关断时间30微秒。

一种对工作频率有明确标定的快速晶闸管则称为高频晶闸管(中国型号为KG)。例如KG50(20kHz),表示该高频管的标称工作频率为20kHz,通态平均电流为50A(20kHz下正弦半波平均电流值)。80年代中期,中国已能生产KG100(20kHz)和KG200(10kHz),耐压为1~1.2kV的高频晶闸管。

快速晶闸管采取的特殊措施,在一定程度上降低了静态特性(如升高了通态压降),故限制了它直接工作于更高频率的大功率电子设备。为满足更高频率下工作对晶闸管提出的特殊要求,开发了门极辅助关断晶闸管、可关断晶闸管等。

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逆导晶闸管特点

逆导晶闸管RCT(Reverse-Conducting Thyristir)亦称反向导通晶闸管。其特点是在晶闸管的阳极与阴极之间反向并联一只二极管,使阳极与阴极的发射结均呈短路状态。由于这种特殊电路结构,使之具有耐高压、耐高温、关断时间短、通态电压低等优良性能。例如,逆导晶闸管的关断时间仅几微秒,工作频率达几十千赫,优于快速晶闸管(FSCR)。该器件适用于开关电源、UPS不间断电源中,一只RCT即可代替晶闸管和续流二极管各一只,不仅使用方便,而且能简化电路设计。

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